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ON Semiconductor デュアル NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 6 A， 8 ピンパッケージSOICON SEMICONDUCTOR

￥2,798税込￥3,078

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1.6 Wシリーズ = PowerTrenchPowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上させるように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,498税込￥1,648

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,498税込￥1,648

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 4.58mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,598税込￥1,758

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 50 V， 800 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,998税込￥2,198

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 50 V， 800 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,698税込￥1,868

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 100 V， 1 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥2,398税込￥2,638

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，スイッチングダイオード， 300mA， 75V， 2-Pin SOD-523，エレメント数 1，シングルON SEMICONDUCTOR

￥579税込￥637

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 単方向 TVSダイオード， 600W， 9.2V， 2-Pin DO-214AA (SMB)ON SEMICONDUCTOR

￥1,398税込￥1,538

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 10mA過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクションピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能低インクリメンタルサージ抵抗高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥969税込￥1,066

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲートオンキャパシタンス = 28pF寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm高さ = 0.93mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 整流用ブリッジダイオード単相 500mA， 200V， 4-Pin SOICON SEMICONDUCTOR

￥1,498税込￥1,648

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 4.95mm幅 = 4.2mmUL、E258596. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低い漏洩電流基板(PCB)リフローはんだ付けに最適RoHS指令(10物質対応)対応

フォトカプラ ON Semiconductor H11N1M，シュミットトリガー出力， 6-PinON SEMICONDUCTOR

￥599税込￥659

1袋(2個)

翌々日出荷

仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = シュミットトリガー最大順方向電圧 = 2Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 7.5ns最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 7500 V論理出力 = Y標準降下時間 = 12nsオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor FXMAシリーズ電圧レベルトランスレータ， 1.65～5.5 V， 8-Pin MicroPakON SEMICONDUCTOR

￥699税込￥769

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様ロジックファミリー = FXMAロジック機能 = 電圧レベルトランスレータ出力タイプ = オープンドレイン実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroPakピン数 = 8寸法 = 1.6 x 1.6 x 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1.6mm動作供給電圧 Min = 1.65 Vシリアル入出力ペリフェラル、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 3A， 600V， 2-Pin DO-214AB (SMC)ON SEMICONDUCTOR

￥519税込￥571

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様最大連続順方向電流 = 3A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 7.11mm幅 = 6.22mm高さ = 2.62mmピーク逆回復時間 = 45ns寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.62mm整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 整流用ブリッジダイオード単相 1.5A， 200V， 4-Pin SDIPON SEMICONDUCTOR

￥869税込￥956

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 8.51mm幅 = 6.5mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション低DC逆電流RoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 600V， 2-Pin DO-214AC (SMA)ON SEMICONDUCTOR

￥899税込￥989

1袋(25個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 4.6mm幅 = 2.9mm高さ = 2.44mmピーク逆回復時間 = 35ns動作温度 Max = +150 ℃整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

フォトカプラ ON Semiconductor MCT61，トランジスタ出力， 8-PinON SEMICONDUCTOR

￥749税込￥824

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2.4μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5000 V ac最大電流変換率 = 50%標準降下時間 = 2.4μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 50 V， 30 A， 3 ピンパッケージTO-220ABON SEMICONDUCTOR

￥1,298税込￥1,428

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 75Wトランジスタ素材 = Si強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,598税込￥1,758

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 整流用ブリッジダイオード単相 500mA， 600V， 4-Pin SOICON SEMICONDUCTOR

￥1,598税込￥1,758

1袋(25個)

翌々日出荷

仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 4.95mm寸法 = 4.95 x 4.2 x 2.7mmUL、E258596. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低い漏洩電流基板(PCB)リフローはんだ付けに最適RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 整流用ブリッジダイオード単相 1.5A， 600V， 4-Pin SDIPON SEMICONDUCTOR

￥499税込￥549

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 8.51mm幅 = 6.5mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション低DC逆電流RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 265 A， 3 ピンパッケージTO-220 PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR

￥769税込￥846

1個

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 265 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 395 W標準ターンオフ遅延時間 = 348 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 800V， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥1,298税込￥1,428

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 600V， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥1,898税込￥2,088

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥1,998税込￥2,198

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 100V， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥999税込￥1,099

1袋(50個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = ファストリカバリーピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mm動作温度 Min = -65 ℃整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 650 V， 15 A， 3 ピンパッケージTO-220F UniFET シリーズON SEMICONDUCTOR

￥469税込￥516

1個

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 440 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 38.5 W1チップ当たりのエレメント数 = 1UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 35 V， 55 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252)ON SEMICONDUCTOR

￥1,398税込￥1,538

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 55 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 35 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 57 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2370 pF @ -20 V自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 300 V， 28 A， 3 ピンパッケージD2PAK (TO-263)ON SEMICONDUCTOR

￥659税込￥725

1袋(2個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 28 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 300 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 129 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250W標準ターンオン遅延時間 = 35 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 79 A， 3 ピンパッケージD2PAK (TO-263)ON SEMICONDUCTOR

￥739税込￥813

1個

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 79 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 48 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 310 W1チップ当たりのエレメント数 = 1自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。RoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 16V， 1 W， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥629税込￥692

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 15mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 13V， 1 W， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥829税込￥912

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 12V， 1 W， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥999税込￥1,099

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 9Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 74VHCシリーズ 8ステージシフトレジスタ，シリアル/パラレル単方向， 2～5.5 VON SEMICONDUCTOR

￥389税込￥428

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様パッケージタイプ = TSSOPロジック機能 = シフトレジスターステージ数 = 8ロジックファミリー = 74VHC実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = シリアル/パラレルエレメント数 = 1ピン数 = 16動作供給電圧 Min = 2 V動作供給電圧 Max = 5.5 V寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm長さ = 5mm幅 = 4.4mm動作温度 Min = -40 ℃74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 74LCXシリーズバッファ / ラインドライバ， 3ステート非反転， 2～3.6 V， 20-PinON SEMICONDUCTOR

￥659税込￥725

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仕様ロジックファミリー = 74LCXロジック機能 = バッファ，ラインドライバ1チップ当たりのチャンネル数 = 8入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5ns寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm高さ = 0.9mm動作温度 Max = +85 ℃74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力RoHS指令(10物質対応)対応

Power Switch 0.1A 10 pin MSOPON SEMICONDUCTOR

￥139税込￥153

1個

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仕様出力数 = 2スイッチオン抵抗 = 6.5Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MSOPピン数 = 10寸法 = 3 x 3 x 0.7mm長さ = 3mm幅 = 3mm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃USBパワースイッチ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 60 V， 1 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥359税込￥395

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翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 81トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 160 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥319税込￥351

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 400 V， 4 A， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR

￥1,498税込￥1,648

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翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.83mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 500 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥259税込￥285

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 300 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応

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