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TIP30CG ON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 100 V， 1 A， 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 100 V， 1 A， 3-Pin TO-220AB
RoHS
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥629 税込￥692
翌々日出荷
TIP142G ON Semiconductor NPN ダーリントンペア， 100 V， 10 A， 3-Pin TO-247 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN ダーリントンペア， 100 V， 10 A， 3-Pin TO-247
RoHS
仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 500最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 3.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V最大コレクタカットオフ電流 = 2mA長さ = 21.08mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNダーリントントランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥679 税込￥747
7日以内出荷
MUR120G オンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 200V， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 200V， 2-Pin DO-41
RoHS
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V高さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥319 税込￥351
7日以内出荷
MJE13007G ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 400 V， 8 A， 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 400 V， 8 A， 3-Pin TO-220AB
RoHS
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥999 税込￥1,099
7日以内出荷
2N6292G ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 70 V， 7 A， 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 70 V， 7 A， 3-Pin TO-220AB
RoHS
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 70 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 2.3トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥999 税込￥1,099
欠品中
1N5354BG オンセミ， ツェナーダイオード， 17V， 5 W， 2-Pin Surmetic 40 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ツェナーダイオード， 17V， 5 W， 2-Pin Surmetic 40
RoHS
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 70mA最大ツェナーインピーダンス = 75Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥689 税込￥758
翌々日出荷
2SC5707-TL-E ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 50 V， 8 A， 4-Pin TP-FA ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 50 V， 8 A， 4-Pin TP-FA
RoHS
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TP-FA実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.2 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,198 税込￥1,318
7日以内出荷
MBR130LSFT1G オンセミ， ショットキーバリアダイオード， 2A， 30V， 2-Pin SOD-123 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ショットキーバリアダイオード， 2A， 30V， 2-Pin SOD-123
RoHS
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 380mV長さ = 2.9mm幅 = 1.8mm高さ = 0.9mm動作温度 Max = +125 ℃メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、1 A → 2 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥439 税込￥483
翌々日出荷
CAT24C64WI-GT3 ON Semiconductor， シリアルEEPROM 64kbit ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor， シリアルEEPROM 64kbit
RoHS
仕様メモリサイズ = 64kbitインターフェースタイプ = シリアル-I2Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 8 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.7 V動作供給電圧 Max = 5.5 V1ワード当たりのビット数 = 8bit長さ = 5mm幅 = 4mm高さ = 1.5mm寸法 = 5 x 4 x 1.5mmワード数 = 8KEEPROMシリアルI2C、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥619 税込￥681
7日以内出荷
BAT54HT1G オンセミ， ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 2-Pin SOD-323 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 2-Pin SOD-323
RoHS
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 800mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、最大900 mA、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥139 税込￥153
翌々日出荷
MDB6S ON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 1A， 600V， 4-Pin MicroDIP ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 1A， 600V， 4-Pin MicroDIP
RoHS
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroDIPピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 4.55mm寸法 = 5.15 x 4.55 x 1.45mmUL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mmμのみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,698 税込￥1,868
翌々日出荷
MDB10S ON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 1A， 1000V， 4-Pin MicroDIP ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 1A， 1000V， 4-Pin MicroDIP
RoHS
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroDIPピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 4.55mm寸法 = 5.15 x 4.55 x 1.45mmUL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mmμのみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,698 税込￥1,868
翌々日出荷
FDS6912A ON Semiconductor デュアル Nチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 6 A， 8 ピン パッケージSOIC ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor デュアル Nチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 6 A， 8 ピン パッケージSOIC
RoHS
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1.6 Wシリーズ = PowerTrenchPowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上させるように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥2,298 税込￥2,528
7日以内出荷
FAN73711MX ON Semiconductor MOSFETパワードライバ， 4A， 10～20 V， 8-Pin SOP ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor MOSFETパワードライバ， 4A， 10～20 V， 8-Pin SOP
RoHS
仕様ドライバ数 = 1動作供給電圧 Min = 10 V動作供給電圧 Max = 20 Vトポロジー = ハイサイド実装タイプ = 表面実装ピーク出力電流 = 4A出力数 = 1極性 = 非反転パッケージタイプ = SOPピン数 = 8ブリッジタイプ = ハーフブリッジ幅 = 4mmハイサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,598 税込￥1,758
7日以内出荷
BC556BTA ON Semiconductor PNP トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin TO-92
RoHS
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥999 税込￥1,099
翌々日出荷
BC546BTA ON Semiconductor NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin TO-92
RoHS
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 4.58mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,098 税込￥1,208
翌々日出荷
BC547CTA ON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin TO-92
RoHS
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,698 税込￥1,868
7日以内出荷
BC32740BU ON Semiconductor PNP トランジスタ， 50 V， 800 mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ， 50 V， 800 mA， 3-Pin TO-92
RoHS
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,298 税込￥1,428
7日以内出荷
BC33740BU ON Semiconductor NPN トランジスタ， 50 V， 800 mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ， 50 V， 800 mA， 3-Pin TO-92
RoHS
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,798 税込￥1,978
7日以内出荷
BC640TA ON Semiconductor PNP トランジスタ， 100 V， 1 A， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ， 100 V， 1 A， 3-Pin TO-92
RoHS
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥1,898 税込￥2,088
翌々日出荷
QRE1113GR ON Semiconductor 反射センサ， 4-Pin SMD 表面実装 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 反射センサ， 4-Pin SMD 表面実装
RoHS
仕様出力デバイス = フォトトランジスタ標準上昇時間 = 20μs標準降下時間 = 20μsチャンネル数 = 1ピン数 = 4実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMD寸法 = 3.6 x 2.9 x 1.7mm高さ = 1.7mm長さ = 3.6mm最高動作温度 = +85℃最低動作温度 = -40℃幅 = 2.9mm動作温度レンジ = -40 → +85℃反射型フォトインタラプタ. フォトトランジスタ出力付き反射型 エミッタとディテクタの向きが同じ 小型 誤検出を最小限度に抑える可視光ブロック 光学IC (GP2A231LRSAF)、TTL直接接続に対応 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥499 税込￥549
当日出荷
BC33725BU ON Semiconductor NPN トランジスタ， 50 V， 800 mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ， 50 V， 800 mA， 3-Pin TO-92
RoHS
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,198 税込￥1,318
7日以内出荷
MPSA42 ON Semiconductor NPN トランジスタ， 300 V， 500mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ， 300 V， 500mA， 3-Pin TO-92
RoHS
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥1,498 税込￥1,648
7日以内出荷
MMBFJ112 ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin SOT-23
RoHS
仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲート オンキャパシタンス = 28pF寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm高さ = 0.93mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥969 税込￥1,066
7日以内出荷
MB2S ON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 500mA， 200V， 4-Pin SOIC ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 500mA， 200V， 4-Pin SOIC
RoHS
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 4.95mm幅 = 4.2mmUL、E258596. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低い漏洩電流 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,398 税込￥1,538
7日以内出荷
H11N1M フォトカプラ ON Semiconductor H11N1M， シュミットトリガー出力， 6-Pin ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORフォトカプラ ON Semiconductor H11N1M， シュミットトリガー出力， 6-Pin
RoHS
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = シュミットトリガー最大順方向電圧 = 2Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 7.5ns最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 7500 V論理出力 = Y標準降下時間 = 12nsオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,798 税込￥1,978
翌々日出荷
FXMA2102L8X ON Semiconductor FXMAシリーズ 電圧 レベルトランスレータ， 1.65～5.5 V， 8-Pin MicroPak ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor FXMAシリーズ 電圧 レベルトランスレータ， 1.65～5.5 V， 8-Pin MicroPak
RoHS
仕様ロジックファミリー = FXMAロジック機能 = 電圧 レベルトランスレータ出力タイプ = オープンドレイン実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroPakピン数 = 8寸法 = 1.6 x 1.6 x 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1.6mm動作供給電圧 Min = 1.65 Vシリアル入出力ペリフェラル、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥699 税込￥769
翌々日出荷
ES3J オンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 3A， 600V， 2-Pin DO-214AB (SMC) ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 3A， 600V， 2-Pin DO-214AB (SMC)
RoHS
仕様最大連続 順方向電流 = 3A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 7.11mm幅 = 6.22mm高さ = 2.62mmピーク逆回復時間 = 45ns寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.62mm整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥819 税込￥901
翌々日出荷
DF02S ON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A， 200V， 4-Pin SDIP ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A， 200V， 4-Pin SDIP
RoHS
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 8.51mm幅 = 6.5mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥799 税込￥879
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ES1J オンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 600V， 2-Pin DO-214AC (SMA) ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 600V， 2-Pin DO-214AC (SMA)
RoHS
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 4.6mm幅 = 2.9mm高さ = 2.44mmピーク逆回復時間 = 35ns動作温度 Max = +150 ℃整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,098 税込￥1,208
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MCT61 フォトカプラ ON Semiconductor MCT61， トランジスタ出力， 8-Pin ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORフォトカプラ ON Semiconductor MCT61， トランジスタ出力， 8-Pin
RoHS
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2.4μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5000 V ac最大電流変換率 = 50%標準降下時間 = 2.4μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥799 税込￥879
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BUZ11-NR4941 ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 50 V， 30 A， 3 ピン パッケージTO-220AB ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 50 V， 30 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
RoHS
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 75Wトランジスタ素材 = Si強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥955 税込￥1,051
欠品中
BC557BTA ON Semiconductor PNP トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin TO-92
RoHS
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,698 税込￥1,868
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MB6S ON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 500mA， 600V， 4-Pin SOIC ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 500mA， 600V， 4-Pin SOIC
RoHS
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 4.95mm寸法 = 4.95 x 4.2 x 2.7mmUL、E258596. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低い漏洩電流 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥1,598 税込￥1,758
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HCPL2631 フォトカプラ ON Semiconductor HCPL2631， ロジックゲート出力， 8-Pin ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORフォトカプラ ON Semiconductor HCPL2631， ロジックゲート出力， 8-Pin
RoHS
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.75Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 50ns最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 2500 V ac論理出力 = Y標準降下時間 = 12nsオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,050 税込￥1,155
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DF06S ON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A， 600V， 4-Pin SDIP ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A， 600V， 4-Pin SDIP
RoHS
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 8.51mm幅 = 6.5mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥819 税込￥901
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BC636TA ON Semiconductor PNP トランジスタ， 45 V， 1 A， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ， 45 V， 1 A， 3-Pin TO-92
RoHS
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,598 税込￥1,758
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UF4006 オンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 800V， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 800V， 2-Pin DO-41
RoHS
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥1,898 税込￥2,088
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UF4005 オンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 600V， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 600V， 2-Pin DO-41
RoHS
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥2,598 税込￥2,858
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UF4004 オンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41
RoHS
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥2,398 税込￥2,638
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