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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 800mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、最大900 mA、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥208
税込￥229
翌々日出荷
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroDIPピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 4.55mm寸法 = 5.15 x 4.55 x 1.45mmUL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mmμのみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,561
税込￥1,717
翌々日出荷
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroDIPピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 4.55mm寸法 = 5.15 x 4.55 x 1.45mmUL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mmμのみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,470
税込￥1,617
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1.6 Wシリーズ = PowerTrenchPowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上させるように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥2,730
税込￥3,003
5日以内出荷
仕様ドライバ数 = 1動作供給電圧 Min = 10 V動作供給電圧 Max = 20 Vトポロジー = ハイサイド実装タイプ = 表面実装ピーク出力電流 = 4A出力数 = 1極性 = 非反転パッケージタイプ = SOPピン数 = 8ブリッジタイプ = ハーフブリッジ幅 = 4mmハイサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,110
税込￥1,221
5日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,409
税込￥1,550
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 4.58mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥2,129
税込￥2,342
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥2,147
税込￥2,362
5日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,670
税込￥1,837
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,888
税込￥2,077
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥2,642
税込￥2,906
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm小信号スイッチングダイオード、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥783
税込￥861
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,710
税込￥1,881
翌々日出荷
仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 10mA過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,310
税込￥1,441
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲート オンキャパシタンス = 28pF寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm高さ = 0.93mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,160
税込￥1,276
5日以内出荷
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 4.95mm幅 = 4.2mmUL、E258596. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低い漏洩電流 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,430
税込￥1,573
5日以内出荷
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = シュミットトリガー最大順方向電圧 = 2Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 7.5ns最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 7500 V論理出力 = Y標準降下時間 = 12nsオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥2,020
税込￥2,222
翌々日出荷
仕様ロジックファミリー = FXMAロジック機能 = 電圧 レベルトランスレータ出力タイプ = オープンドレイン実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroPakピン数 = 8寸法 = 1.6 x 1.6 x 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1.6mm動作供給電圧 Min = 1.65 Vシリアル入出力ペリフェラル、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥710
税込￥781
翌々日出荷
仕様最大連続 順方向電流 = 3A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 7.11mm幅 = 6.22mm高さ = 2.62mmピーク逆回復時間 = 45ns寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.62mm整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥680
税込￥748
翌々日出荷
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 8.51mm幅 = 6.5mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥600
税込￥660
5日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 4.6mm幅 = 2.9mm高さ = 2.44mmピーク逆回復時間 = 35ns動作温度 Max = +150 ℃整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,498
税込￥1,648
翌々日出荷
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2.4μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5000 V ac最大電流変換率 = 50%標準降下時間 = 2.4μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥620
税込￥682
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 75Wトランジスタ素材 = Si強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥955
税込￥1,051
欠品中
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,470
税込￥1,617
翌々日出荷
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 4.95mm寸法 = 4.95 x 4.2 x 2.7mmUL、E258596. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低い漏洩電流 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,560
税込￥1,716
翌々日出荷
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 8.51mm幅 = 6.5mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥896
税込￥986
5日以内出荷
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 265 A， 3 ピン パッケージTO-220 PowerTrench シリーズ
エコ商品
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 265 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 395 W標準ターンオフ遅延時間 = 348 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥700
税込￥770
5日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥2,310
税込￥2,541
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥2,530
税込￥2,783
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = ファストリカバリーピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mm動作温度 Min = -65 ℃整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥2,498
税込￥2,748
5日以内出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 80 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 349 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル長さ = 15.6mm幅 = 4.7mm高さ = 20.6mm寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm動作温度 Min = -55 ℃ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥750
税込￥825
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 440 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 38.5 W1チップ当たりのエレメント数 = 1UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥440
税込￥484
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-264実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2.5 kW1チップ当たりのエレメント数 = 1UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥2,888
税込￥3,177
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 55 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 35 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 57 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2370 pF @ -20 V自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 28 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 300 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 129 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250W標準ターンオン遅延時間 = 35 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥670
税込￥737
5日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 15mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,400
税込￥1,540
5日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,470
税込￥1,617
5日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,360
税込￥1,496
翌々日出荷
仕様出力電圧 = 3.3 V出力電流 Max = 330mAパッケージタイプ = SOT-23出力タイプ = 可変実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 2.6 V入力電圧 Max = 10 Vピン数 = 5動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +150 ℃出力数 = 1極性 = 正ロードレギュレーション = 70 mV低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、250 → 300 mA、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様パッケージタイプ = TSSOPロジック機能 = シフトレジスターステージ数 = 8ロジックファミリー = 74VHC実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = シリアル/パラレルエレメント数 = 1ピン数 = 16動作供給電圧 Min = 2 V動作供給電圧 Max = 5.5 V寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm長さ = 5mm幅 = 4.4mm動作温度 Min = -40 ℃74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS
RoHS指令(10物質対応)対応
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