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ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ， 400mA， 3.3 V 固定出力， 3+Tab-Pin SOT-223ON SEMICONDUCTOR￥659税込￥725
1袋(2個)
当日出荷
仕様出力電圧 = 3.3 V出力電流 Max = 400mAパッケージタイプ = SOT-223出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 4.5 V入力電圧 Max = 40 Vピン数 = 3+Tab動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +150 ℃出力数 = 1極性 = 正静止電流 = 0.15mA低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、400 mA、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥299税込￥329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥299税込￥329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 400 V， 4 A， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.83mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 定電流 LEDドライバ IC， 20 mA， 123-Pin SODON SEMICONDUCTOR￥539税込￥593
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様最大供給電流 = 20 mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SODピン数 = 123先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， 整流ダイオード， 300mA， 100V， 2-Pin DO-35ON SEMICONDUCTOR￥329税込￥362
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 4.56mm幅 = 1.91mm高さ = 1.91mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ， 1A， 12 V 固定出力， 3-Pin DPAKON SEMICONDUCTOR￥189税込￥208
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様出力電圧 = 12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = DPAK出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正静止電流 = 3.4mAMC7812リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC7812リニア電圧レギュレータは、固定電圧調整用の製品です。 7812シリーズレギュレータICの電流出力は1 Aを超えます。 外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。 ON Semiconductor正電圧リニアレギュレータは、さまざまな機能を備え、電子産業で使用される傾向があります。 主な用途には、ローカルオンカードレギュレーション、電源、配電システムなどがあります。. 出力電圧: 12 V、許容差: 4 % 内部の熱的過負荷保護 内部の短絡電流制限 出力トランジスタ安全動作領域補償RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ツェナーダイオード， 5.6V， 500 mW， 2-Pin SMAON SEMICONDUCTOR￥389税込￥428
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 5.6V実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SMAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 66.9mA最大ツェナーインピーダンス = 2Ω最大逆漏れ電流 = 2.5μA長さ = 4.32mm寸法 = 4.32 x 2.6 x 2mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 27 A， 3 ピン パッケージTO-220AB QFET シリーズON SEMICONDUCTOR(2件のレビュー)￥2,198税込￥2,418
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 120000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 30 nsQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 500 V， 18 A， 3 ピン パッケージTO-220F UniFET シリーズON SEMICONDUCTOR￥459税込￥505
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 265 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 38.5 W標準ターンオフ遅延時間 = 95 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 150 V， 8 A， 3 ピン パッケージTO-220ABON SEMICONDUCTOR￥639税込￥703
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 310000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 39 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ ON Semiconductor H11L1M， ロジックゲート出力， 6-PinON SEMICONDUCTOR￥899税込￥989
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.5Vピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrms論理出力 = Y標準降下時間 = 0.1μsオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥279税込￥307
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 8.8 A， 8 ピン パッケージSOICON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)￥699税込￥769
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW幅 = 4mm自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 1.7 A， 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR￥589税込￥648
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 5 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 74 HCシリーズ ヘキサ CMOS インバータ(NOTゲート)， 5.2mA， 2～6 V， 14-Pin SOICON SEMICONDUCTOR￥749税込￥824
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125 ns @ 2 V， 21 ns @ 6 V， 25 ns @ 4.5 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 5.2mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14ロジックファミリー = HC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作温度 Min = -55 ℃74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ショットキーバリアダイオード， 1A， 50V， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR￥119税込￥131
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 50V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 5.2mm幅 = 2.7mm高さ = 2.7mm動作温度 Min = -65 ℃メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、1 A → 2 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ツェナーダイオード， 28V， 5 W， 2-Pin DO-15ON SEMICONDUCTOR￥279税込￥307
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 50mA最大ツェナーインピーダンス = 6Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ツェナーダイオード， 9.1V， 500 mW， 2-Pin SOD-123ON SEMICONDUCTOR￥259税込￥285
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 2.69mm寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm幅 = 1.6mmツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 60 V， 1.5 A， 3-Pin TO-225ON SEMICONDUCTOR￥119税込￥131
1個
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-225実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.25 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 400 V， 8 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR￥589税込￥648
1個
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 450 V， 5 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR￥279税込￥307
1個
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最小DC電流ゲイン = 6トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 13 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 2チャンネル 双方向 TVSダイオード， 350W， 44V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR￥699税込￥769
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 44V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 350W最大ピークパルス電流 = 8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 100nANUP2105L、NUP3105LデュアルラインCAN保護機能. NUP2105L / NUP3105Lは、高速のフォルトトレランスネットワークにおいてCANトランシーバを、ESD及びその他の危険な過渡電圧事故から保護する目的で設計されています。. ライン当たりのピーク電力消失: 350 W 逆漏洩電流が低い(< 100 nA) 低静電容量高速CANデータ転送速度 IEC対応: IEC61000-4-2 (ESD): レベル4 IEC61000-4-4 (EFT): 40 A - 5/50 ns (NUP3105Lは50 A - 5/50 ns) IEC61000-4-5 (照明) 8 A (8/20 μs)RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 250 V， 8 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 9.28mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ツェナーダイオード， 6.2V， 5 W， 2-Pin 017AA-01ON SEMICONDUCTOR￥529税込￥582
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = 017AA-01ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 200mA最大ツェナーインピーダンス = 1Ω最大逆漏れ電流 = 1μA長さ = 8.89mm寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5333 → 1N5346シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
TVS DIODE 6V 10.3V AXIALON SEMICONDUCTOR￥70税込￥77
1個
5日以内出荷
仕様【パワーライン保護】なしその他【一方向チャンネル】1電流(A)【ピークパルス(10/1000μs)】48.5電圧(V)【逆スタンドオフ】6【ブレークダウン】最小6.67【クランピング@Ipp】10.3RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55～150(TJ)実装タイプスルーホールパッケージ/ケースDO-204AC、DO-15、アキシャルピークパルスパワー消費(W)500
DIODE ZENER 18V 500MW SOD123ON SEMICONDUCTOR￥56税込￥62
1個
5日以内出荷
その他電流：【Vr印加時の逆方向漏れ】100nA @ 14V電圧【If印加時の順方向(Vf)】最大900mV @ 10mA電圧(V)【ツェナー(Vz)】18インピーダンス(最大)(Zzt) 21 Ohms許容誤差±5%RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55～150電力(mW)最大500実装タイプ面実装パッケージ/ケースSOD-123
IC LATCH R-S QUAD P/N 16SOEIAJON SEMICONDUCTOR￥119税込￥131
1個
5日以内出荷
タイプ【ロジック】S-Rラッチ電流(mA)8.8回路1:1、【独立回路】4RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55～125供給電圧(V)3～18実装タイプ面実装パッケージ/ケース16-SOIC(0.209インチ、5.30mm幅)遅延時間(ms)【伝搬】60出力タイプ3ステート
IC REG LINEAR-5V 1A TO220ABON SEMICONDUCTOR￥109税込￥120
1個
5日以内出荷
負のリニア電圧レギュレータ
その他【パッケージ/ピン】TO-220/3出力電圧-5V最大入力電圧-35VRoHS指令(10物質対応)対応出力電流1A動作温度範囲(℃)0～+125出力数1
IC OPAMP GP 1.8MHZ 8DIPON SEMICONDUCTOR￥169税込￥186
1個
5日以内出荷
その他【スルーレート】2.1V/μs、電流：【入力バイアス】20nA電圧【入力オフセット】2mV電流(mA)【出力/チャンネル】27回路数1RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-40～85使用帯域【ゲイン】1.8MHz供給電圧(V)【シングル】3～44【デュアル】±1.5～22実装タイプスルーホールパッケージ/ケース8-DIP(0.300インチ、7.62mm)最大供給電流(μA)220
IC RCVR/DRVR ECL DIFF 5V 8SOICON SEMICONDUCTOR￥1,998税込￥2,198
1個
5日以内出荷
AND/NANDゲート MC100EL04DG ON-Semiconductor製を販売します。
仕様●ロジックタイプ：差動レシーバ/ドライバ●電源電圧：3V～5.5V●動作温度：-40℃～85℃●実装タイプ：面実装●パッケージ/ケース：8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)アズワン品番67-0354-94
7.5A 45V Schottky RectifierON SEMICONDUCTOR￥3,500税込￥3,850
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mm動作温度 Min = -65 ℃RoHS指令(10物質対応)対応