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ON Semiconductor 電圧監視 IC， 2.85V， USB強制過電圧保護， 5-Pin TSOPON SEMICONDUCTOR

￥2,298税込￥2,528

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様電圧管理タイプ = USB強制過電圧保護管理数 = 1最大リセット閾値電圧 = 3.15 V， 5.9 V最小リセット閾値電圧 = 2.85V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 5寸法 = 3 x 1.5 x 1mm高さ = 1mm長さ = 3mm動作供給電圧 Max = 20 V動作供給電圧 Min = 1.2 V電圧保護、ON Semiconductor. 電圧保護コントローラバッテリ保護コントローラRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 19V， 5 W， 2-Pin DO-15ON SEMICONDUCTOR

￥3,298税込￥3,628

1袋(50個)

7日以内出荷

仕様標準ツェナー電圧 = 19V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 65mA最大ツェナーインピーダンス = 3 Ω， 75 Ω最大逆漏れ電流 = 500nA直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 4.7V， 200 mW， 2-Pin SOD-323ON SEMICONDUCTOR

￥679税込￥747

1袋(150個)

7日以内出荷

仕様標準ツェナー電圧 = 4.7V実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 1.8mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ショットキーバリアダイオード， 4A， 10V， 2-Pin DO-214AB (SMC)ON SEMICONDUCTOR

￥1,798税込￥1,978

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 10V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 250mV長さ = 7.11mm幅 = 6.1mm高さ = 2.26mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150Aメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、3 A → 9 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 6.2V， 1.5 W， 2-Pin SMAON SEMICONDUCTOR

￥759税込￥835

1袋(20個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.5 Wパッケージタイプ = SMAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 60.5mA最大ツェナーインピーダンス = 2Ω最大逆漏れ電流 = 2.5μA長さ = 4.57mm寸法 = 4.57 x 2.92 x 2.05mm幅 = 2.92mmツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 6.8V， 5 W， 2-PinON SEMICONDUCTOR

￥1,198税込￥1,318

1袋(20個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 175mA最大ツェナーインピーダンス = 1Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -60 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN ダーリントンペア， 100 V， 8 A， hFE≧1000， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR

￥1,298税込￥1,428

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3.5 V dc最大コレクタカットオフ電流 = 10μA最大パワー消費 = 2 W先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNダーリントントランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor LEDドライバ IC， 350 mA， 50 V， 2-Pin SMCON SEMICONDUCTOR

￥1,398税込￥1,538

1袋(10個)

当日出荷

仕様セグメント数 = 1最大供給電流 = 350 mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMCピン数 = 2標準動作供給電圧 = 50 V寸法 = 7.11 x 6.1 x 2.41mm高さ = 2.41mm長さ = 7.11mm動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃幅 = 6.1mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 25 V， 6-Pin CPHON SEMICONDUCTOR

￥879税込￥967

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 20 → 40mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -25Vトランジスタ構成 = コモンソース実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = CPHピン数 = 6ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 6pFソースゲートオンキャパシタンス = 2.3pF寸法 = 2.9 x 1.6 x 0.9mm幅 = 1.6mmNチャンネルJFET、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 2-Pin SOD-523ON SEMICONDUCTOR

￥529税込￥582

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1Aメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、最大900 mA、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 2V， 500 mW， 2-Pin SOD-123ON SEMICONDUCTOR

￥629税込￥692

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様標準ツェナー電圧 = 2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 0.05mA最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 2.84mm寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.35mm幅 = 1.8mmツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 80 V， 6 A， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR

￥1,598税込￥1,758

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 65 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 100 V， 1 A， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR

￥1,598税込￥1,758

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 80 V， 10 A， 3-Pin TO-220FPON SEMICONDUCTOR

￥1,598税込￥1,758

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 36 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 10 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 20 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V dc先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN ダーリントンペア， 100 V， 2 A， hFE≧1000， 3-Pin IPAK (TO-251)ON SEMICONDUCTOR

￥2,798税込￥3,078

1袋(15個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V最大コレクタカットオフ電流 = 20μA動作温度 Min = -65 ℃先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNダーリントントランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 80 V， 15 A， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR

￥1,098税込￥1,208

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 90 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 80 V， 10 A， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR

￥1,088税込￥1,197

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 90 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 30 V， 560 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥1,498税込￥1,648

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 560 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 690 mW幅 = 1.4mmNチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 4チャンネル単方向 TVSダイオードアレイ， 500W， 20V， 6-Pin SOT-363 (SC-88)ON SEMICONDUCTOR

￥959税込￥1,055

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = コンプレックスアレイ最大クランピング電圧 = 20V最小ブレークダウン電圧 = 6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 6ピークパルスパワー消費 = 500W最大ピークパルス電流 = 8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃テスト電流 = 1mA低静電容量ESD保護アレイRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor LDOレギュレータ 1.1A， 5 V 固定出力， -0.3～18 V入力， 3+Tab-Pin SOT-223ON SEMICONDUCTOR

￥1,598税込￥1,758

1袋(20個)

7日以内出荷

仕様出力電圧 = 5 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SOT-223出力電流 Max = 1.1A実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = -0.3 V入力電圧 Max = 18 Vピン数 = 3+Tab極性 = 正静止電流 = 700μA動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃幅 = 3.7mm低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、1.1 → 2 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor LDOレギュレータ 1.5A， 1.2 V 固定出力，最大18 V入力， 3+Tab-Pin SOT-223ON SEMICONDUCTOR

￥1,498税込￥1,648

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様出力電圧 = 1.2 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SOT-223出力電流 Max = 1.5A実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 18 Vピン数 = 3+Tab極性 = 正動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃幅 = 3.7mm低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、1.1 → 2 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ショットキーバリアダイオード， 2A， 100V， 2-Pin SOD-123FLON SEMICONDUCTOR

￥499税込￥549

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123FLダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 840mV長さ = 2.9mm幅 = 1.8mm高さ = 0.9mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50Aメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、1 A → 2 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，スイッチングダイオード，シリーズ， 715mA， 70V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥269税込￥296

1袋(50個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 70V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mmピーク逆回復時間 = 6ns寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，スイッチングダイオード， 200mA， 200V， 3-Pin SOT-23，エレメント数 1，シングルON SEMICONDUCTOR

￥439税込￥483

1袋(50個)

7日以内出荷

仕様最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 200Vパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 380 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥729税込￥802

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 380 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 420 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルパワーMOSFET、60 V、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 100 V， 1 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR

￥1,398税込￥1,538

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN ダーリントンペア， 100 V， 10 A， 3-Pin TO-247ON SEMICONDUCTOR

￥699税込￥769

1袋(2個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 500最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 3.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V最大コレクタカットオフ電流 = 2mA長さ = 21.08mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNダーリントントランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 4A， 1000V， 2-Pin DO-201ADON SEMICONDUCTOR

￥579税込￥637

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.85V高さ = 9.5mmピーク逆回復時間 = 100ns直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 70Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 200V， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥219税込￥241

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V高さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 400 V， 8 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR

￥1,498税込￥1,648

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 80 V， 15 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR

￥679税込￥747

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 83 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 20 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.2 V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 70 V， 7 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR

￥1,198税込￥1,318

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 70 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 2.3トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 75V， 5 W， 2-Pin Surmetic 40ON SEMICONDUCTOR

￥479税込￥527

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 620Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 100V， 5 W， 2-Pin Surmetic 40ON SEMICONDUCTOR

￥599税込￥659

1袋(10個)

当日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 12mA最大ツェナーインピーダンス = 800Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 50 V， 8 A， 4-Pin TP-FAON SEMICONDUCTOR

￥1,498税込￥1,648

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7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TP-FA実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.2 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ショットキーバリアダイオード， 2A， 30V， 2-Pin SOD-123ON SEMICONDUCTOR

￥459税込￥505

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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 380mV長さ = 2.9mm幅 = 1.8mm高さ = 0.9mm動作温度 Max = +125 ℃メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、1 A → 2 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor，シリアルEEPROM 64kbitON SEMICONDUCTOR

￥529税込￥582

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 64kbitインターフェースタイプ = シリアル-I2Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 8 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.7 V動作供給電圧 Max = 5.5 V1ワード当たりのビット数 = 8bit長さ = 5mm幅 = 4mm高さ = 1.5mm寸法 = 5 x 4 x 1.5mmワード数 = 8KEEPROMシリアルI2C、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 整流用ブリッジダイオード単相 1A， 800V， 4-Pin MicroDIPON SEMICONDUCTOR

￥1,598税込￥1,758

1枚(25個)

7日以内出荷

仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroDIPピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 4.55mm高さ = 1.45mmUL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mmμのみ基板(PCB)リフローはんだ付けに最適RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 整流用ブリッジダイオード単相 1A， 1000V， 4-Pin MicroDIPON SEMICONDUCTOR

￥1,598税込￥1,758

1袋(25個)

翌々日出荷

仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroDIPピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 4.55mm寸法 = 5.15 x 4.55 x 1.45mmUL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mmμのみ基板(PCB)リフローはんだ付けに最適RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor デュアル NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 6 A， 8 ピンパッケージSOICON SEMICONDUCTOR

￥2,798税込￥3,078

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1.6 Wシリーズ = PowerTrenchPowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上させるように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。RoHS指令(10物質対応)対応

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