オンセミ, ツェナーダイオード, 7.5V, 1 W, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 34mA最大ツェナーインピーダンス = 4Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 10V, 1 W, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ファストリカバリー 整流ダイオード, 1A, 400V, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = ファストリカバリーピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V高さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 150ns直径 = 2.72mm動作温度 Max = +175 ℃整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
整流用ブリッジダイオード GBPC-WシリーズON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1長さ(mm)29寸法(mm)29×29×11.23ピン数(ピン)4ダイオードシリコンジャンクション動作温度(℃)-55~150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールブリッジタイプ単相
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = -800 V小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor CMOSシリーズ 電圧 レベルトランスレータ, 20μA, 1.5~5.5 V, 8-Pin SOICON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ロジックファミリー = CMOSロジック機能 = 電圧 レベルトランスレータ伝送 = 電圧論理信号高レベル出力電流 Max = 20μA低レベル出力電流 Max = 20μA出力タイプ = オープンドレイン最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 1000 ns@ 15 pF実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 5 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm長さ = 5mm動作供給電圧 Min = 1.5 VNLSVシリーズ、ON Semiconductor. ON Semiconductor製のNLSVシリーズのデバイスは、デュアル電源非反転レベルトランスレータです。 この設定可能な電圧レベルトランスレータは、VCCA / VCCB電源レールを管理できる入力ポートと出力ポートを備えています。 NLSVシリーズでは、入力ポートから出力ポートへの低電圧変換が可能です。RoHS指令(10物質対応)対応
Diode, Fairchild, FDH300ATRON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 125V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 3.3mm直径 = 1.5mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 単方向 TVSダイオード, 600W, 87.1V, 2-Pin DO-214AA (SMB)ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 87.1V最小ブレークダウン電圧 = 60V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 54Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 6.9A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃高さ = 2.45mm過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 電圧監視 IC, 2.85V, USB強制過電圧保護, 5-Pin TSOPON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様電圧管理タイプ = USB強制過電圧保護管理数 = 1最大リセット閾値電圧 = 3.15 V, 5.9 V最小リセット閾値電圧 = 2.85V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 5寸法 = 3 x 1.5 x 1mm高さ = 1mm長さ = 3mm動作供給電圧 Max = 20 V動作供給電圧 Min = 1.2 V電圧保護、ON Semiconductor. 電圧保護コントローラ バッテリ保護コントローラRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 19V, 5 W, 2-Pin DO-15ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 19V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 65mA最大ツェナーインピーダンス = 3 Ω, 75 Ω最大逆漏れ電流 = 500nA直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 4.7V, 200 mW, 2-Pin SOD-323ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 4.7V実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 1.8mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ショットキーバリアダイオード, 4A, 10V, 2-Pin DO-214AB (SMC)ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 10V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 250mV長さ = 7.11mm幅 = 6.1mm高さ = 2.26mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150Aメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、3 A → 9 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 6.2V, 1.5 W, 2-Pin SMAON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.5 Wパッケージタイプ = SMAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 60.5mA最大ツェナーインピーダンス = 2Ω最大逆漏れ電流 = 2.5μA長さ = 4.57mm寸法 = 4.57 x 2.92 x 2.05mm幅 = 2.92mmツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 6.8V, 5 W, 2-PinON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 175mA最大ツェナーインピーダンス = 1Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -60 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN ダーリントンペア, 100 V, 8 A, hFE≧1000, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3.5 V dc最大コレクタカットオフ電流 = 10μA最大パワー消費 = 2 W先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNダーリントントランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ, 25 V, 6-Pin CPHON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 20 → 40mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -25Vトランジスタ構成 = コモンソース実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = CPHピン数 = 6ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 6pFソースゲート オンキャパシタンス = 2.3pF寸法 = 2.9 x 1.6 x 0.9mm幅 = 1.6mmNチャンネルJFET、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ショットキーバリアダイオード, 200mA, 30V, 2-Pin SOD-523ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1Aメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、最大900 mA、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 2V, 500 mW, 2-Pin SOD-123ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 0.05mA最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 2.84mm寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.35mm幅 = 1.8mmツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 80 V, 6 A, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 65 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 80 V, 10 A, 3-Pin TO-220FPON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 36 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 10 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 20 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V dc先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN ダーリントンペア, 100 V, 2 A, hFE≧1000, 3-Pin IPAK (TO-251)ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V最大コレクタカットオフ電流 = 20μA動作温度 Min = -65 ℃先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNダーリントントランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 80 V, 10 A, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 90 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET, 30 V, 560 mA, 3 ピン パッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 560 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 690 mW幅 = 1.4mmNチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ショットキーバリアダイオード, 2A, 100V, 2-Pin SOD-123FLON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123FLダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 840mV長さ = 2.9mm幅 = 1.8mm高さ = 0.9mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50Aメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、1 A → 2 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, スイッチングダイオード, 200mA, 200V, 3-Pin SOT-23,エレメント数 1, シングルON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 200Vパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 380 mA, 3 ピン パッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 380 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 420 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルパワーMOSFET、60 V、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP パワートランジスタ, 100 V, 1 A, 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN ダーリントンペア, 100 V, 10 A, 3-Pin TO-247ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 500最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 3.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V最大コレクタカットオフ電流 = 2mA長さ = 21.08mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNダーリントントランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ファストリカバリー 整流ダイオード, 4A, 1000V, 2-Pin DO-201ADON SEMICONDUCTOR予約販売
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.85V高さ = 9.5mmピーク逆回復時間 = 100ns直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 70Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ファストリカバリー 整流ダイオード, 1A, 200V, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V高さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 400 V, 8 A, 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 70 V, 7 A, 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 70 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 2.3トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 17V, 5 W, 2-Pin Surmetic 40ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 70mA最大ツェナーインピーダンス = 75Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 50 V, 8 A, 4-Pin TP-FAON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TP-FA実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.2 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応