「seco」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

出力電流 = 20mA入力電圧 = 45 VAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM最大出力パワー = 460mW用途 = AC照明パネル、車載照明、チャンネル文字、装飾照明、標識照明、スイッチコンタクトウェッティングパッケージタイプ = SOD-123ピン数 = 2出力電圧 Max = 7.5V先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバ

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃高さ = 9.5mm寸法 = 5.3 (Dia.) x 9.5mm直径 = 5.3mmメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 小信号ダイオードタイプ = 高速ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mAメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201AD最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200Aメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201AD最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200Aメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3.5 V dc最大コレクタカットオフ電流 = 10μA寸法 = 10.63 x 4.9 x 16.12mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = SOD-123ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.69mm幅 = 1.6mm高さ = 1.12mm寸法 = 1.12 x 2.69 x 1.6mmメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2mV動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 4.32mm幅 = 3.56mm高さ = 2.13mm寸法 = 2.13 x 4.32 x 3.56mmメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = アキシャルリード型最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200Aメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.5mA寸法 = 15.75 x 10.28 x 4.82mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

パッケージタイプ = SODディスプレイタイプ = LEDピン数 = 123供給電圧 = 45 V最大供給電流 = 30mA動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +150℃高さ = 1.35mm長さ = 2.84mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバ

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃高さ = 9.5mm直径 = 5.3mmメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2mV動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃高さ = 5.2mm直径 = 2.7mmメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

出力電流 = 1.6A入力電圧 = 3 → 5.5 V dcAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM用途 = ビルボードディスプレイ、汎用ディスプレイ、機器ディスプレイ、大テント用ディスプレイパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 24出力電圧 Max = 5.5V出力電圧 Min = 0.4V定格電流 = 150mA先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバ

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2mV動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 4.57mm幅 = 2.92mm高さ = 2.05mm寸法 = 4.57 x 2.92 x 2.05mmメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2mV動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 4.6mm幅 = 3.95mm高さ = 2.27mm寸法 = 4.6 x 3.95 x 2.27mmメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 9.5mm寸法 = 5.3 (Dia.) x 9.5mm直径 = 5.3mmメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 16 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 4.6mm幅 = 3.95mm高さ = 2.27mm寸法 = 4.6 x 3.95 x 2.27mmメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.75 W最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 85 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.38 x 6.73 x 6.22mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 2ゲートあたりの入力数 = 4パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 4000入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 300 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = -5 V低レベル出力電流 Max = 4.2mA自動車規格 = AEC-Q100mm4000シリーズロジックゲート、ON Semiconductors

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-563最大連続 順方向電流 = 200mA整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆回復時間 = 6nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mAメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 10mAピーク逆繰返し電圧 = 7Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 600mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. RFショットキーダイオード、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 12.5 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングルピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 440mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40Aメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2パッケージタイプ = SOT-23ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = SOT-23ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1.25V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.9mm幅 = 1.3mm高さ = 0.94mm寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mmメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2パッケージタイプ = SOT-23ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.9mm幅 = 1.3mm高さ = 0.94mm寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mmメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 2最小DC電流ゲイン = 5000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 100nA幅 = 1.4mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大連続 順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 620mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 940mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30Aメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40Aメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ