19ページ目: トランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 385 mW。トランジスタ構成 = デュアル。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。標準抵抗比 = 1kΩ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SC-59。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ベースエミッタ抵抗器 = 47kΩ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ベースエミッタ抵抗器 = 47kΩ

トランジスタタイプ = PNP。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -200 V。パッケージタイプ = SOT-93。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ、低周波数スイッチング、モータ制御用途として使用するように設計されています。MJH11017 、 MJH11019 、 MJH11021 ( PNP )、 MJH11018 、 MJH11020 、 MJH11022 ( NPN )は、コンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン @ 10 ADC - hFE = 400 分(すべてのタイプ) コレクタ - エミッタ維持電圧 VCEO ( sus ) = 150 V dc (最小) MJH11018 、 17 VCEO ( sus ) = 200 V dc (最小) - MJH11020 、 19 VCEO ( sus ) = 250 V dc (最小) - MJH11022 、 21 低コレクタ - エミッタ飽和電圧 VCE (飽和) = 1.2 V (標準) @ IC = 5.0 A VCE (飽和) = 1.8 V (標準) @ IC = 10 A モノリシック構造 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 V。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 200 W。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm

トランジスタタイプ = NPN。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = WDFN。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.5 W。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2 x 2 x 0.75mm

トランジスタタイプ = PNP。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 65 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

トランジスタタイプ = PNP。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 65 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.53 x 4.83 x 9.28mm。6 A 、 100 V PNP バイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。BD243B 、 BD243C ( NPN )、 BD244B 、 BD244C ( PNP )はコンプリメンタリデバイスです。コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (飽和) = 1.5 V dc (最大) @ IC = ADC コレクタエミッタ持続電圧 - VCEO ( sus ) = 80 V dc (最小) BD243B 、 BD244B VCEO ( us ) = 100 V dc (最小) - BD243C 、 BD244C 高電流ゲイン帯域幅製品フィート = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -25 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -260 V。パッケージタイプ = TO-264。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 200 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 260 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 5。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220F。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 40 W。最小DC電流ゲイン = 15， 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 1100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 15 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ

パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 56 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 29.5 A 低ゲート電荷量(標準) 77 nC ) 低 CRSs (標準) 80 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -30 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -250 V。パッケージタイプ = TO-204AA。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 250 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 39.37 x 26.67 x 8.51mm。MJ21195G および MJ21196G は、穴あきエミッタ技術を採用しており、高出力オーディオ出力、ディスクヘッドポジショナー、リニア用途向けに特別に設計されています。全高調波歪みの特性を示しました 高 DC 電流利得 - HFE = 25 分 @ IC = 8 ADC 優れた利得直線性 高 SOA ： 3A 、 80V 、 1 秒