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onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 57 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥859税込￥945

1箱(5個)

7日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：57 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：37 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)44チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi ツェナーダイオード 7.5V スルーホール 1 Wonsemi

￥799税込￥879

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)34最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)4

バリエーション一覧へ(4)

onsemi ツェナーダイオード 4.7V スルーホール 1 Wonsemi

￥799税込￥879

1箱(100個)

7日以内出荷

仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)53最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)8

onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 5 V， 3-Pin， MC7805ABTGonsemi

￥379税込￥417

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様●レギュレータタイプ：リニア電圧A●出力電圧： 5 V●ラインレギュレーション： 10 mV●ロードレギュレーション： 25 mV%●極性：正●パッケージタイプ： TO-220mA●ピン数： 3●出力タイプ：固定●寸法： 10.28 x 4.82 x 30.02mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●長さ： 10.28mm●ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは●MC7805ファミリに属しています。これらの製品は●ローカル●オンカード調整など●幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず●内部の熱過負荷保護と電流制限●さらに安全領域補償を内蔵しています。RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 14 A 表面実装パッケージPower 33 8 ピンonsemi

￥689税込￥758

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：14 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージPower 33実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)30チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)150

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 18.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：18.5 A幅(mm)3.9ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)2.5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi 整流ダイオード，コモンカソード， 16A， 400V スルーホール， 3-Pin TO-220AB シリコンジャンクション 1.3Vonsemi

￥179税込￥197

1個

5日以内出荷

仕様●実装タイプ：スルーホール●パッケージタイプ： TO-220AB●最大連続順方向電流： 16A●ピーク逆繰返し電圧： 400V●ダイオード構成：コモンカソード●整流タイプ：スイッチング●ダイオードタイプ：整流器●ピン数： 3●最大順方向降下電圧： 1.3V●1チップ当たりのエレメント数： 2●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間： 60ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流： 100A●メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル MOSFET250 V 51 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥1,998税込￥2,198

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：51 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：55 nC @ 10 V高さ(mm)9.4ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)320000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)250最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)60最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi ツェナーダイオード 5.1V スルーホール 1 Wonsemi

￥819税込￥901

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)49最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)7

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onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 18 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥2,698税込￥2,968

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：18 A幅(mm)3.9高さ(mm)1.575ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥959税込￥1,055

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：3.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：5.1 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)31チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)107最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成絶縁型

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 10 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥699税込￥769

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.4166666667●標準ゲートチャージ @ Vgs：8.7 nC @ 5 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 11.2 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥569税込￥626

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：11.2 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)5材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)17最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 1.5A， 1000V， 8.51 x 6.5 x 2.6mm， DF10Sonsemi

￥839税込￥923

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション低DC逆電流寸法(mm)8.51×6.5×2.6高さ(mm)2.6ピン数(ピン)4動作温度(℃)-55～+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)1.5ピーク逆繰返し電圧(V)1000ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1

onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 76 A 表面実装パッケージPQFN8 8 ピンonsemi

￥1,498税込￥1,648

1箱(3個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：76 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：72 nC @ 10 V高さ(mm)1.05ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorパッケージPQFN8実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)125チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)80最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi フォトカプラ，表面実装，ロジックゲート出力， FOD0721onsemi

￥489税込￥538

1個

5日以内出荷

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 6.5Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5ns最大入力電流 = 10 μA絶縁電圧 = 3750 V ac論理出力 = あり標準降下時間 = 4.8nsシリーズ = FODオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi 整流ダイオード， 15A， 1200V スルーホール， 2-Pin TO-220AC シリコンジャンクション 3.2Vonsemi

￥339税込￥373

1個

欠品中

仕様●ダイオードタイプ：整流器●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：スイッチング●最大連続順方向電流：15Aピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応特性整流ダイオード、10 A → 80 A、Fairchild SemiconductorパッケージTO-220AC実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)3.2ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200ピーク逆回復時間(ns)75

onsemi Nチャンネル MOSFET300 V 28 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi

￥659税込￥725

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：28 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：39 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)250Wチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)129最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥769税込￥846

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：13 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：21 nC @ 5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.3 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピンonsemi

￥989税込￥1,088

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：3.3 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.1 nC @ 10 V高さ(mm)1.7ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージSOT-223実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)2.2チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)189最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 55 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：55 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：75 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(パッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)3750チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET400 V 10.5 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥949税込￥1,044

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：10.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：28 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)135000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)400最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)530最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 2.7 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥419税込￥461

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：2.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：3 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)183最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi NPN ダーリントントランジスタ， 100 V， 10 A， 3-Pin TO-247onsemi

￥699税込￥769

1袋(2個)

5日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●パッケージタイプ： TO-247●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 500●最大ベース-エミッタ間飽和電圧： 3.5 V●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 3 V●最大コレクタカットオフ電流： 2mA●最大パワー消費： 125 Wmm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は●AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi 整流ダイオード， 15A， 400V スルーホール， 2-Pin TO-220AC シリコンジャンクション 1.25Vonsemi

￥199税込￥219

1個

5日以内出荷

仕様●実装タイプ：スルーホール●パッケージタイプ： TO-220AC●最大連続順方向電流： 15A●ピーク逆繰返し電圧： 400V●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：スイッチング●ダイオードタイプ：整流器●ピン数： 2●最大順方向降下電圧： 1.25V●1チップ当たりのエレメント数： 1●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間： 60ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流： 150A●メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Pチャンネル MOSFET35 V 55 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：55 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：45 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)57チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)35最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)19最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 15 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥699税込￥769

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：15 A幅(mm)4シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi ツェナーダイオード 4.7V スルーホール 1 Wonsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)53最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)8

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onsemi Nチャンネル MOSFET150 V 14 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥919税込￥1,011

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：14 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：11.2 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)65チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)150最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)282最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 145 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥579税込￥637

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：145 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：89 nC @ 10 V高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)153チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET150 V 1.8 A 表面実装パッケージMLPAK33 8 ピンonsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：1.8 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 10 V高さ(mm)0.95ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージMLPAK33実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)42000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)150最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 10.6 A 表面実装パッケージMLP8 8 ピンonsemi

￥2,798税込￥3,078

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：10.6 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：32 nC @ 10 V高さ(mm)0.75ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージMLP8実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)12最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 62 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi

￥749税込￥824

1個

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：62 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：76 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)260チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)27最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET250 V 44 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi

￥889税込￥978

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：44 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：47 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)307チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)250最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)69トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥139税込￥153

1個

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：14 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：25 nC @ 5 V、40 nC @ 10 V高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)48000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 11.6 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥649税込￥714

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：11.6 Aピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 15 A スルーホールパッケージTO-220F 3 ピンonsemi

￥469税込￥516

1個

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：15 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：48.5 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)38.5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)650最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)440最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 61 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥239税込￥263

1個

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：61 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：58 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)417000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)41最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET12 V 10 A 表面実装パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピンonsemi

￥899税込￥989

1箱(10個)

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仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷幅(mm)2シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)10最大ドレイン-ソース間電圧(V)12最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)82最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8トランジスタ構成シングル最大パワー消費2.4 W

onsemi ツェナーダイオード 10V スルーホール 1 Wonsemi

￥869税込￥956

1箱(100個)

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仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)25最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)7

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