制御機器 ：「SOD-1」の検索結果

標準ツェナー電圧 = 6.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 7%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = 0.4 → 3.7mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOD-523ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 95Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.65mm標準電圧温度係数 = -3.5 → 0mV/℃ツェナーダイオード300 mW、BZT52Cシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-523

標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 0.05mA最大逆漏れ電流 = 50nA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、DDZ9シリーズ、Diodes Inc. ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 6.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = 1.2 → 4.5mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 2.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOD-523ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 7%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 600Ω最大逆漏れ電流 = 20μA寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.65mm標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃ツェナーダイオード300 mW、BZT52Cシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-523

標準ツェナー電圧 = 8.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

最大順方向電流 = 150mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1.25V小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 95Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.4mm高さ = 1.1mm寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 18V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 7mA最大ツェナーインピーダンス = 21Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード200 mW、MMBZ52xxBシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 5.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 7%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 40Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = 0.25mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

最大順方向電流 = 250mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 150Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.4mm高さ = 1.1mm寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

最大順方向電流 = 500mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1.25V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.4mm高さ = 1.1mm寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 17V最小ブレークダウン電圧 = 6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 2最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mmシングルチャンネルデータライン保護TVSダイオード、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大連続 順方向電流 = 15mAピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 1nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

標準ツェナー電圧 = 2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 150μA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOD-523ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.65mm動作温度 Max = +150 ℃mV/℃ツェナーダイオード300 mW、BZT52Cシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-523

実装タイプ 表面実装パッケージタイプ SOD-323最大連続 順方向電流 1Aピーク逆繰返し電圧 30Vダイオード構成 シングル整流タイプ ショットキーダイオードダイオードタイプ ショットキーピン数 2最大順方向降下電圧 550mV1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 5.5ADiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。

標準ツェナー電圧 = 3.9V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)