電子部品(オンボード) (26) カテゴリ: 制御機器ブランド: onsemiすべて解除
onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, FOD852 onsemi ¥ 109,800税込 ¥ 120,780
1袋(2000個)
5日以内出荷
実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトダーリントン最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 300μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5 kVrms最大電流変換率 = 15000%標準降下時間 = 100μsシリーズ = FODオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, H11G1SR2M onsemi 5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトダーリントン最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7500 V ac最大電流変換率 = 1000%標準降下時間 = 100μsシリーズ = H11Gオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, H11G1SM onsemi 5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトダーリントン最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7500 V ac最大電流変換率 = 1000%標準降下時間 = 100μsシリーズ = H11Gオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
onsemi PNP ダーリントントランジスタ, 30 V, 1.2 A, 3-Pin SOT-23 onsemi 5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 4000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.0001mA幅 = 1.3mmダーリントントランジスタ、Fairchild Semiconductor
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, FOD8523S onsemi 5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ダーリントン最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 300μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms最大電流変換率 = 15000%標準降下時間 = 100μsシリーズ = FODオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, FOD8523S onsemi 5日以内出荷
仕様 オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor タイプ 入力電流:DC チャンネル数 1 ピン数(ピン) 4 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ 表面実装 標準上昇時間 300μs 標準降下時間 100μs 出力デバイス ダーリントン 最大順方向電圧(V) 1.4 最大入力電流(mA) 50 最大電流変換率(%) 150 絶縁電圧(Vrms) 5000
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, 4N32SM onsemi 5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ダーリントン最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 3 A絶縁電圧 = 2500 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 500%標準降下時間 = 100μsシリーズ = 4N32オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, H11G1M onsemi 5日以内出荷
実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトダーリントン最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7500 V ac最大電流変換率 = 1000%標準降下時間 = 100μsシリーズ = H11Gオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, 4N32SR2M onsemi 5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ダーリントン最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 350 mA絶縁電圧 = 2500 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 500%標準降下時間 = 100μsシリーズ = 4N32オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, HCPL0701 onsemi 5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトダーリントン最大順方向電圧 = 1.7Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 20 mA絶縁電圧 = 2500 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 2600%シリーズ = HCPL特殊機能 = 電流ループレシーバ、デジタルロジックアース絶縁、電話機の鳴動検出器オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, MOC8050M onsemi 5日以内出荷
実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = ダーリントン最大順方向電圧 = 2Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 8.5μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7500 V ac最大電流変換率 = 500%標準降下時間 = 95μsシリーズ = MOCオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, FOD852 onsemi 5日以内出荷
仕様 オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor タイプ 入力電流:DC チャンネル数 1 ピン数(ピン) 4 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ スルーホール実装 標準上昇時間 300μs 標準降下時間 100μs 出力デバイス フォトダーリントン 最大順方向電圧(V) 1.4 最大入力電流(mA) 50 最大電流変換率(%) 150 絶縁電圧(Vrms) 5000
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, 4N32SM onsemi 5日以内出荷
仕様 オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力あり タイプ 入力電流:DC チャンネル数 1 ピン数(ピン) 6 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ 表面実装 標準上昇時間 5μs 標準降下時間 100μs 出力デバイス ダーリントン 最大順方向電圧(V) 1.5 最大電流変換率(%) 500 絶縁電圧(Vrms) 2500 最大入力電流(A) 3
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, HCPL0701 onsemi 5日以内出荷
仕様 ●入力電流タイプ:DC●最大電流変換率:26●特殊機能:電流ループレシーバ、デジタルロジックアース絶縁、電話機の鳴動検出器●論理出力:あり チャンネル数 1 ピン数(ピン) 8 RoHS指令(10物質対応) 対応 特性 オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor パッケージ SOIC 実装タイプ 表面実装 出力デバイス ダーリントン光検出器 最大順方向電圧(V) 1.7 最大入力電流(mA) 20 絶縁電圧(Vrms) 2500
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, 4N33SM onsemi 5日以内出荷
仕様 オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力あり チャンネル数 1 ピン数(ピン) 6 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ 表面実装 標準上昇時間 5μs 標準降下時間 100μs 出力デバイス ダーリントン 最大順方向電圧(V) 1.5 最大電流変換率(%) 500 絶縁電圧(Vrms) 1500 最大入力電流(A) 3
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, FOD852S onsemi 5日以内出荷
仕様 オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor タイプ 入力電流:DC チャンネル数 1 ピン数(ピン) 4 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ 表面実装 標準上昇時間 300μs 標準降下時間 100μs 出力デバイス ダーリントン 最大順方向電圧(V) 1.4 最大入力電流(mA) 50 最大電流変換率(%) 150 絶縁電圧(Vrms) 5000
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, FOD8523SD onsemi ¥ 58,980税込 ¥ 64,878
1リール(1000個)
5日以内出荷
仕様 オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor タイプ 入力電流:DC チャンネル数 1 ピン数(ピン) 4 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ 表面実装 標準上昇時間 300μs 標準降下時間 100μs 出力デバイス ダーリントン 最大順方向電圧(V) 1.4 最大入力電流(mA) 50 最大電流変換率(%) 15000 絶縁電圧(kVrms) 5
onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, ダーリントン出力, 4N32VM onsemi 5日以内出荷
仕様 オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力あり タイプ 入力電流:DC チャンネル数 1 ピン数(ピン) 6 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ スルーホール実装 標準上昇時間 5μs 標準降下時間 100μs 出力デバイス ダーリントン 最大順方向電圧(V) 1.5 最大電流変換率(%) 500 絶縁電圧(Vrms) 2500 最大入力電流(A) 3
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 8 A, 2N6043G onsemi 7日以内出荷
仕様 ●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 60 V dc●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 75 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 60 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 10.53×4.83×15.75mm●8 A 、 100 V NPN ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプと低速度スイッチング用途向けに設計されています。2N60402N6042 ( PNP )、及び 2N60432N6045 ( NPN )はコンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン - hFE : 2500 (標準) @ IC : 4.0 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 - @100 mAdc-VCEO ( sus ) : 60 V dc (最小) - 2N60402N6043VCEO ( sus ) : 80 V dc (最小) - 2N60412N6044VCEO ( sus ) : 100 V dc (最小) - 2N60422N6045 低コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (飽和) : 2.0 V dc (最大) @ IC : 4.0 ADC - 2N6040412N604344 VCE (飽和) : 2.0 V dc (最大) @ IC : 3.0 ADC - 2N60422N6045 ベースエミッタシャント抵抗器を内蔵したモノリシック構造 鉛フリーパッケージを用意 RoHS指令(10物質対応) 対応
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -40 A, MJH6287G onsemi 7日以内出荷
仕様 ●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -40 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -100 V●パッケージタイプ : TO-218●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 160 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 15.2×4.9×20.35mm●ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプと低速度スイッチングモータ制御用途向けに設計されています。スイッチングレギュレータコレクタ - エミッタ電圧 VCEV : 1000 V dc インバータ 高速ターンオフ時間 ソレノイド 80 ns 誘導型落下時間 100 C (標準) リレードライバ 120 ns 誘導型クロスオーバー時間 100 C ( T モータ制御 800 ns 誘導型保存時間 100 C ( T 偏向回路 100 C の性能仕様:誘導負荷の飽和電圧漏洩電流に基づく誘導負荷スイッチング時間を備えた逆バイアス SOA 超高速整流器を使用した FBSOA 定格の拡張 極めて高い RBSOA 機能 RoHS指令(10物質対応) 対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, スルーホール, MJH11019G onsemi ¥ 14,980税込 ¥ 16,478
1セット(30個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -200 Vパッケージタイプ = SOT-93実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ、低周波数スイッチング、モータ制御用途として使用するように設計されています。MJH11017 、 MJH11019 、 MJH11021 ( PNP )、 MJH11018 、 MJH11020 、 MJH11022 ( NPN )は、コンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン @ 10 ADC - hFE = 400 分(すべてのタイプ) コレクタ - エミッタ維持電圧 VCEO ( sus ) = 150 V dc (最小) MJH11018 、 17 VCEO ( sus ) = 200 V dc (最小) - MJH11020 、 19 VCEO ( sus ) = 250 V dc (最小) - MJH11022 、 21 低コレクタ - エミッタ飽和電圧 VCE (飽和) = 1.2 V (標準) @ IC = 5.0 A VCE (飽和) = 1.8 V (標準) @ IC = 10 A モノリシック構造 鉛フリーパッケージを用意
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -5 A, MJF127G onsemi 7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計され、デバイスの取り付け面をヒートシンク又はシャーシから電気的に絶縁する必要があります。電気的に普及した TIP122 および TIP127 に類似しています 100 VCEO ( sus ) 定格コレクタ電流: 5 A 分離ワッシャは不要です システムコストの削減 高 DC 電流ゲイン: 2000 (最小) @ IC = 3 ADC 鉛フリーパッケージを用意
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