onsemi NPN ダーリントントランジスタ, 60 V dc, DC5A, 3-Pin TO-220onsemi7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大連続コレクタ電流 : DC5A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 60 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 500●最大コレクタ-ベース間電圧 : 60 V dc●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 2.5 V dc●寸法 : 10.53 x 4.83 x 15.75mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi NPN ダーリントントランジスタ, 100 V dc, 10 A dc, 3-Pin TO-220onsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 10 A dc最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 100最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V dc幅 = 4.9mm
onsemi PNP トランジスタ, 100 V dc, 25 A (連続), 40 A (ピーク), 3-Pin TO-247onsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 25 A (連続), 40 A (ピーク)最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 15最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V dc最大コレクタカットオフ電流 = 1mA幅 = 4.9mmこのバイポーラトランジスタは、汎用パワーアンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。TIP35A 、 TIP35B 、 TIP35C ( NPN )、 TIP36A 、 TIP36B 、 TIP36C ( PNP )は補助装置です。コレクタ電流: 25 A 低漏洩電流: ICEO = 1.0 mA @ 30 及び 60 V 優れた DC ゲイン hFE = 40 (標準) @ 15 A 高電流ゲイン帯域幅製品 鉛フリーパッケージを用意
onsemi NPN ダーリントントランジスタ, 60 V, 8 A, 3-Pin TO-220onsemi翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大連続コレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 1000●最大コレクタ-ベース間電圧 : 60 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 4 V●最大コレクタカットオフ電流 : 0.5mA●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は●AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル JFET, 3-Pin SOT-23onsemi翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ : P●IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 : 1.5 to 20mA●最大ドレイン-ゲート間電圧 : 25V dc●回路構成 : シングル●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 300 Ω●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOT-23●ピン数 : 3●ソースゲート オンキャパシタンス : 11pF●寸法 : 3.04 x 1.4 x 1.01mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●PチャンネルJFET●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 10 A, MJE200Gonsemi翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 40 V●パッケージタイプ : TO-225●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 15 W●最小DC電流ゲイン : 45●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 25 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 8 V dc●最大動作周波数 : 10 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 7.8×3×11.1mm●バイポーラ・パワー・トランジスタは、低電圧、低消費電力、高利得オーディオ・アンプ・アプリケーション向けに設計されています。MJE200 ( NPN )と MJE210 ( PNP )は、補完的なデバイスです。高 DC 電流ゲイン 低コレクタ-エミッタ飽和電圧 高電流利得帯域幅製品 低漏洩のための環形構造 これらのデバイスは鉛フリーですRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 6 A, BD243CGonsemi翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 65 W●最小DC電流ゲイン : 20●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -3 A, MJE172Gonsemi翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -80 V●パッケージタイプ : TO-225AA●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 12.5 W●最小DC電流ゲイン : 50●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 7 V●最大動作周波数 : 10 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 3 A, TIP31BGonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V dcパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmこのバイポーラトランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途で使用するように設計されています。TIP31 、 TIP31A 、 TIP31B 、 TIP31C 、( NPN )、 TIP32 、 TIP32A 、 TIP32B 、 TIP32C 、( PNP )は相補的な装置ですコレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE ( sat ) = 1.2 V dc (最大) @ IC = 3.0 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 - VCEO (調査) = 60 V dc (最小) - TIP31A 、 TIP32A = 80 V dc (最小) - TIP31B 、 TIP32B = 100 V dc (最小) - TIP31C 、 TIP32C 高電流ゲイン帯域幅製品フィート = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, FZT649onsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, TIP29CGonsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -3 A, NZT660onsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.7mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -3 A, FZT790Aonsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.5 x 3.5 x 1.6mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, スルーホール, TIP42AGonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 65 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, トランジスタ出力, FODM124R2onsemi5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = Mini-Flat入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms最大電流変換率 = 1200%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODMオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, トランジスタ出力, HMHA2801AR2onsemi5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MFP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 160%標準降下時間 = 3μsシリーズ = HMHAオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, トランジスタ出力, HMHA281R2onsemi5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MFP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = HMHAオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
onsemi NPN ダーリントントランジスタ, 80 V, 800 mA, 3-Pin SOT-23onsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 10000最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 100nA幅 = 1.4mmダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, トランジスタ出力, HMHA2801onsemi5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = Mini-Flat入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 200 mA最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = HMHA特殊機能 = デジタルロジック入力、マイクロプロセッサ入力、電話回線レシーバオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, MJD340Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.73 x 2.38 x 6.22mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。
onsemi PNP ダーリントントランジスタ, 30 V, 1.2 A, 3-Pin SOT-23onsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 4000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.0001mA幅 = 1.3mmダーリントントランジスタ、Fairchild Semiconductor
onsemi NPN ダーリントントランジスタ, 100 V, 8 A, 3-Pin TO-220onsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3.5 V dc最大コレクタカットオフ電流 = 10μA寸法 = 10.63 x 4.9 x 16.12mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -3 A, TIP32BGonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 10 A, D44H11Gonsemi5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 2 W●最小DC電流ゲイン : 40●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 50 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 9.28×10.28×4.82mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MSC2712GT1Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SC-59実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V dcピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm
onsemi LEDドライバ IC, 1.6A, PWM 調光 24-Pin TSSOPonsemi¥359,800税込¥395,780
1セット(2000個)
7日以内出荷
出力電流 = 1.6A入力電圧 = 3 → 5.5 V dcAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM用途 = ビルボードディスプレイ、汎用ディスプレイ、機器ディスプレイ、大テント用ディスプレイパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 24出力電圧 Max = 5.5V出力電圧 Min = 0.4V定格電流 = 150mA先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバ
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, FZT649onsemi5日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 6 A, TIP41BGonsemi5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 65 W●最小DC電流ゲイン : 15●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 80 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi NPN ダーリントントランジスタ, 100 V, 10 A, 3-Pin TO-247onsemi5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大連続コレクタ電流 : 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●パッケージタイプ : TO-247●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 500●最大ベース-エミッタ間飽和電圧 : 3.5 V●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 3 V●最大コレクタカットオフ電流 : 2mA●最大パワー消費 : 125 Wmm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は●AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi NPN ダーリントントランジスタ, 100 V, 2 A, 3-Pin IPAK (TO-251)onsemi5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大連続コレクタ電流 : 2 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●パッケージタイプ : IPAK (TO-251)●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 1000●最大ベース-エミッタ間飽和電圧 : 4 V●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 3 V●最大コレクタカットオフ電流 : 20μA●動作温度 Min : -65 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は●AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi PNP ダーリントントランジスタ, 100 V, 8 A, 3-Pin TO-220ABonsemi5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大連続コレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 200●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流 : 0.05mA●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 16 A, MJL21194Gonsemi5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 16 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 250 V●パッケージタイプ : TO-3BPL●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 200 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 400 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 5 A, MJF18004Gonsemi5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 450 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最小DC電流ゲイン : 14●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 9 V●最大動作周波数 : 13 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 15 A, D44VH10Gonsemi5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 83 W●最小DC電流ゲイン : 20●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 7 V●最大動作周波数 : 20 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 15 A, NJW0281Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, MJW3281AGonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm
onsemi マルチプレクサ 表面実装 SOIC, 16-Pin, MC14052BDGonsemi7日以内出荷
ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 10 x 4 x 1.75mm動作温度 Min = -55 ℃MC14051B 、 MC14052B 、および MC14053B アナログマルチプレクサは、デジタル制御のアナログスイッチです。MC14051B は、 SP8T ソリッドステートスイッチ、 MC14052B DP4T 、および MC14053B トリプル SPDT を効果的に実装しています。3 つのデバイスはすべて、低オンインピーダンスと非常に低いオフ漏洩電流を特長としています。完全な供給電圧範囲までのアナログ信号を制御できます。制御入力のトリプルダイオード保護 スイッチ機能はブレークビフォアメイクです 供給電圧範囲: 3.0 → 18 V dc アナログ電圧範囲( VDD - VEE ) = 3.0 → 18 V (注意): VEE< は VSS にする必要があります 線形化された転送特性 低ノイズ - 12 nV/sqrt.Cycle, f< = 1.0 kHz 標準 CD4051 、 CD4052 、および CD4053 のピン間交換 4PDT スイッチについては、 MC14551B を参照してください 低 RON の場合は、 HC4051 、 HC4052 、または HC4053 高速 CMOS デバイスを使用します 鉛フリーパッケージを用意
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 40 A, 2N6284Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 40 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-204AA実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃mm
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC849BLT1Gonsemi¥11,980税込¥13,178
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 5 A, TIP31Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm
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電流センサ甲神電機税込¥6,268~¥5,698~
電流センサ甲神電機税込¥6,048¥5,498
電流センサ甲神電機税込¥17,578¥15,980
電流センサ甲神電機税込¥5,168¥4,698
電流センサ甲神電機税込¥17,578¥15,980
電流センサ甲神電機税込¥6,048¥5,498
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電流センサ甲神電機税込¥19,778¥17,980
電流センサ甲神電機税込¥19,778¥17,980