制御機器 ：「PFP」の検索結果

エンドプレート

支持レール1m

スペーサ

他のUSBメモリの動作は、保証できません。DINレール上のユニットが左右にずれないように固定するストッパ

RCA型・BNC型・F型、各プラグ(ジャック)間の変換アダプター。RCAプラグ(オス)とFプラグ(オス)の変換アダプター

他のUSBメモリの動作は、保証できません。

定格電圧：AC250Vrms。耐電圧：AC500Vrms。絶縁抵抗：1000MΩmin。質量：14g。2個入。

ブランクパネル DPFP1

。Samtec ボードコネクタは基板実装で、ボディがストレートになっています。スルーホールの終端処理

-200～700℃までの温度範囲で使用され、試験用、実験用の温度測定が主ですが、最近では燃料電池業界などでも使用され、活躍の場を広げています。データロガー用温度センサーとしても広く使用されています。構造が単純なので保護管タイプと比べると安価でスペースも取りません。ただ、その分強度は劣ります。

【カット位置が見える! モクバ印 替刃式 DINレールカッター!】。切断力が大幅アップ!(特殊倍力機構) 女性でもかる～く切れる!。コンパクト設計で作業台もスッキリ!!。バリ取り、電源不要。切粉、火花が出ません。軽量で持ち運びらくらく!

インパクトドライバー(14.4V以上)でラクラク切断!。最小型で手軽に現場へ持ち運び!。手動で切断も出来ます!。カット位置が見えます

進化し続けるマシンコントローラの決定版。 小さい!速い!フレキシブル!のCJ1機能を進化/継承し、マシン制御に最適な高速・大容量コントローラです。 プログラムメモリ、データメモリなど「メモリ容量を大幅拡大」。 LD命令=16ns、SIN演算=0.59μsなどの「優れた高速制御性能を実現」。 入出力スループットを最大限に高める「割込高速起動を搭載」。 デバッグ効率を大幅にアップさせる「充実のデータトレース」。 メモリ異常から装置を守る「安心のユーザメモリ自動復旧機能」。 より高度なモーション制御をローコストで可能にする「ユニット間同期制御」。 入出力スループットを高速化する「ダイレクト処理の都度リフレッシュ命令」。

軽量・コンパクトなdinレールカッターに面取り機能を追加しました。カットから面取り加工まで1台で完結。

WatchGuard Firebox M 8 Port 1Gb SFP Fiber Module。

モジュール。

Transceiver 1Gb Short-Range SFP for WatchGuard Firebox M。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = WLCSP。ピン数 = 6。寸法 = 1.5 x 1 x 0.33mm。長さ = 1.5mm。幅 = 1mm。高さ = 0.33mm。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 1.5 V。動作温度 Min = -40 ℃。DISO ロードスイッチ 入力電源動作電圧範囲： 1.5 → 5.5 V RON 50 m Ω @ VIN = 3.3 V / チャンネル(標準) 真の逆流防止( TRCB ) 1< μ F の出力で 130 μ s に制御される固定スルーレート ISW ：チャネルあたり 1.5 A (最大) FPF1321 の急速放電機能 ESD 保護： 人体モデル>： 6 kV 充電済みデバイスモデル>： 1.5 kV IEC 61000-4-2 空中放電：> 15 kV IEC 61000-4-2 接触放電：> 8 kV 用途 スマートフォン / タブレット PC 携帯機器 近距離無線通信( NFC )に対応しています SIM カード電源

PIC18F6xJ60 / 6xJ65 / 8xJ60 / 8xJ65 / 9xJ60 / 9xJ65 8ビットフラッシュマイクロコントローラ

PIC24FJxxxGA106/108/110 16ビットフラッシュマイクロコントローラ

PIC24FJxxxGA006/008/010 16ビットフラッシュマイクロコントローラ

PIC32MX5x4 / 5x5 / 6x4 / 6x5 / 7x4 / 7x5 32ビットマイクロコントローラ. Microchip PIC32MX5xx / 6xx / 7xxのマイクロコントローラファミリは、強力なMIPS M4Kコアに基づく高性能32ビットデバイスです。 このMCUは、USB / CAN / イーサネット接続などの充実した周辺装置をオンボードに搭載しているため、さまざまな用途に適しています。 外部グラフィックスインターフェイスでLCDを直接駆動することができます。 MPLABR Harmony統合ソフトウェアフレームワークは、PIC32 MCUに対応した、Microchipの開発プラットフォームです。 このIDEは、さまざまなドライバとライブラリをまとめた、開発を簡素化する単一の統合プラットフォームです。このIDEにより、完成品を迅速に市場に投入できるようになります。 詳細については、microchip.com/harmonyにアクセスしてください。. マイクロコントローラの機能. MIPS32R M4KR 32ビットコア 最大周波数80 MHz - 105 DMIPS コードのサイズを最大で40 %縮小するMIPS16eRモード 低消費電力管理モード フェールセーフクロックモニタ(FSCM) 独立したウォッチドッグタイマ 0.9 %内部発振器 プログラマブルPLL及びクロックソース用の発振器 高速ウェイクアップ / スタートアップ. 周辺装置の特長. 34ピンパラレルマスタポート(PMP)を使用する外部グラフィックスインターフェイス USB 2.0対応のフルスピードOTGコントローラ 10 / 100イーサネットMAC (MII / RMIIインターフェイス搭載) CAN 2.0Bモジュール UARTモジュール x 6 - 20 Mbps 4線式SPIモジュール - 3又は4 (モデルによって異なる) SMBus対応I2Cモジュール - 4又は5 (モデルによって異なる) パラレルマスタポート(PMP) ダイレクトメモリアクセス - 4、6、又は8 (モデルによって異なる) 10ビット1 MSPS ADC - 16チャンネル コンパレータ x 2 汎用タイマ x 5 出力比較(OC)モジュール x 5、入力比較(IC)モジュール x 5 リアルタイムクロック及びカレンダー(RTCC)モジュール

dsPIC33EPデジタル信号コントローラ. dsPIC33Eデジタル信号コントローラは、MSUの簡易性を備えたDSPを提供します。 70MIPS dsPIC33Eコアは、デジタルフィルタアルゴリズム、高速の精密デジタル制御ループ、そしてスピーチ処理の実行を目的として設計されています。 モータ制御周辺機器を持つdsPIC33E DSCは、高性能の、精密モータ制御システムの設計を可能にします。 dsPIC33E SMPS DSCは、高性能のデジタル電源用に特別に設計されたオンチップ周辺機器を提供します。 SMPS周辺機器には、高速高解像度PWM、高速ADC、アナログコンパレータが含まれます。

dsPIC30F デジタルシグナルコントローラ. dsPIC30F デジタルシグナルコントローラは、 MCU のシンプルさで DSP のパフォーマンスを実現します。dsPIC30F は、幅広い動作電圧( 2.5 → 5.5 V )、超低スタンバイ電流、統合 EEPROM を活用する用途や、システム考慮事項のために 5 V 動作を好む設計者に最適です。30 MIPS dsPIC30F タイプは、 SMPS ペリフェラル、モータ制御ペリフェラル、コーデックインターフェイスを統合し、効率 DIGITAL POWER コンバータ、 Advanced Motor Control アルゴリズム、音声及びオーディオ用途を実現します。高性能 ADC を備えた小型パッケージ DSC は、スマートセンシング用途に最適です。

dsPIC30F デジタルシグナルコントローラ. dsPIC30F デジタルシグナルコントローラは、 MCU のシンプルさで DSP のパフォーマンスを実現します。dsPIC30F は、幅広い動作電圧( 2.5 → 5.5 V )、超低スタンバイ電流、統合 EEPROM を活用する用途や、システム考慮事項のために 5 V 動作を好む設計者に最適です。30 MIPS dsPIC30F タイプは、 SMPS ペリフェラル、モータ制御ペリフェラル、コーデックインターフェイスを統合し、効率 DIGITAL POWER コンバータ、 Advanced Motor Control アルゴリズム、音声及びオーディオ用途を実現します。高性能 ADC を備えた小型パッケージ DSC は、スマートセンシング用途に最適です。

パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 312 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 70 m Ω (標準) @ VGS = 10 V 、 ID = 19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 nC ) 低 CRSs (標準) 60PF ) ESD改善機能 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 56 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 29.5 A 低ゲート電荷量(標準) 77 nC ) 低 CRSs (標準) 80 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

dsPIC33F デジタルシグナルコントローラ. dsPIC33Fデジタルシグナルコントローラは、MSUの簡易性を備えたDSPを提供します。 40MIPS dsPIC33Fコアは、デジタルフィルタアルゴリズム、高速の精密デジタル制御ループ、そして音声やオーディオ処理の実行を目的として設計されています。 モータ制御周辺機器を持つdsPIC33F DSCは、高性能の、精密モータ制御システムの設計を可能にします。dsPIC33F SMPS DSCは、高性能のデジタル電源用に特別に設計されたオンチップペリフェラルを搭載しています。 SMPS周辺機器には、高速高解像度PWM、高速ADC、アナログコンパレータが含まれます

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 44 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。パッケージタイプ D2PAK (TO-263)。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 69 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 307 W。トランジスタ構成 シングル。長さ 10.67mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 235 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( on ) = 265 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 9 A 低ゲート電荷量(標準) 45 nC ) 低 CRSs (標準) 25 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。 LCD / LED / PDP TV 照明 無停電電源

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 6.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。シリーズ UniFET。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 570 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 56 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 6.22mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 100 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 55 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 2.5 kW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 20mm。高さ 20mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 15 A。最大ドレイン-ソース間電圧 650 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 440 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 38.5 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 10.16mm。高さ 15.87mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 39 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 66 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 37 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.9mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 44 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 120 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 750 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 15.87mm。順方向ダイオード電圧 1.2V。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。