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厚膜 抵抗器 2W 1GΩ ±1% TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))厚膜 抵抗器 2W 1GΩ ±1%TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))
1,998税込2,198
1個
6日以内出荷
高電圧 HBシリーズ<br />TE ConnectivityのHBシリーズ高電圧抵抗器は、優れた安定性と信頼性を備えています。これらの高電圧スルーホール抵抗器は、丈夫なエポキシコーティングが施され、小型ながら定格出力が高いのが特長です。HB シリーズのスルーホール抵抗器は、最大1 GΩの高い抵抗値を備えています。 低インダクタンスでスイッチング速度が速く、許容差
仕様●抵抗:1GΩ●定格電力:2W●許容差:±1%●テクノロジー:厚膜●シリーズ:HB●温度係数:±100ppm/℃●動作温度 Min:-55℃アズワン品番65-7059-72
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, NCV8440ASTT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, NCV8440ASTT1Gonsemi
1,598税込1,758
1袋(10個)
7日以内出荷
パッケージタイプ = SOT-223<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 1.69 W<br />ピン数 = 3 + Tab<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />動作温度 Max = +150 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, MMBF0201NLT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, MMBF0201NLT1Gonsemi
34,980税込38,478
1セット(3000個)
7日以内出荷
パッケージタイプ = SOT-23<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 225 mW<br />トランジスタ構成 = シングル<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />動作温度 Max = +150 ℃mm<br />この小型表面実装 MOSFET の低 RDS ( on )は、電力損失を最小限に抑え、消費電力を節約し、小型の電力管理回路での使用に最適です。主な用途は、 dc コンバータ、ポータブル及びバッテリ駆動製品(コンピュータ、プリンタ、 PCMCIA カード、携帯電話、コードレス電話など)の電源管理などです。低 RDS ( on ):高効率を実現し、バッテリ寿命を延長します 基板スペースを節約する小型 SOT-23 表面実装パッケージ 鉛フリーパッケージを用意 用途 DC-DC コンバータ 電力管理
RoHS指令(10物質対応)対応
TE Connectivity 固定抵抗器リードタイプ RGPシリーズ 1GΩ 0.25W 5% TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))TE Connectivity 固定抵抗器リードタイプ RGPシリーズ 1GΩ 0.25W 5%TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))
949税込1,044
1袋(10個)
当日出荷
仕様テクノロジー:厚膜、シリーズ:RGP、ケーススタイル:同軸ファン、終端スタイル:Through Hole、TE Connectivity RGPシリーズのメタルグレーズ固定抵抗器. TE Connectivity製のRGPシリーズは、信頼性の高いメタルグレーズの固定抵抗器です。これらの厚膜抵抗器は、高い動作電圧を備えているので、TV、ラジオ、電気測定機器などの用途に最適です。この製品は、-55 → +155 ℃の幅広い動作温度で使用できます。. 特長 / 利点. 厚膜抵抗器. -55 → +145 ℃の幅広い動作温度範囲. 最高で10 GΩレンジの高い抵抗値と高い電圧サージ等級に最適長さ(mm)6.5寸法(mm)2.5×6.5直径(Φmm)2.5定格電力(W)0.25許容差0.1絶縁抵抗(GΩ)1RoHS指令(10物質対応)対応最小温度係数(ppm/℃)350温度係数(ppm/℃)±350
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, NSS60201LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, NSS60201LT1Gonsemi
1,598税込1,758
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 60 V dc●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 710 mW●最小DC電流ゲイン : 150●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 8 V dc●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 3.04×1.4×1.01mmRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 高電圧抵抗器 HTSシリーズ 1GΩ 1W ±5% VISHAYVishay 高電圧抵抗器 HTSシリーズ 1GΩ 1W ±5%VISHAY
15,980税込17,578
1個
予約販売
仕様抵抗 = 1GΩ定格電力 = 1W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = HTSケーススタイル = セラミック温度係数 = ±150ppm/℃終端スタイル = アキシャル寸法 = 4.5 (Dia.) x 23mm長さ = 23mm直径 = 4.5mm最小温度係数 = -150ppm/℃HTS範囲、アキシャル. Vishay Sfernice HTSシリーズは、厚膜、高抵抗 / 高電圧抵抗器です。 HTSシリーズは、はんだコーティングの銅端子を持つエポキシコーティング高純度セラミックコアを備えています。 優れた安定性(1 %)を持ち、低温度係数100 ppm/℃のHTSシリーズは、電力変換時の電流検出、産業用及び医療用電源、モータ制御回路の用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
TE Connectivity 高電圧抵抗器 HBシリーズ 1GΩ 1W ±1% TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))TE Connectivity 高電圧抵抗器 HBシリーズ 1GΩ 1W ±1%TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))(1件のレビュー)
1,898税込2,088
1個
当日出荷
仕様抵抗 = 1GΩ定格電力 = 1W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = HBケーススタイル = モールド温度係数 = ±100ppm/℃終端スタイル = ラジアル寸法 = 26.5 x 3 x 10.4mm長さ = 26.5mm奥行き = 3mm高さ = 10.4mm最小温度係数 = -100ppm/℃;BulkPacksymbol/> この印が表示されている製品は、バルクパックで注文できます。 末尾にサフィックスAを付けストックナンバーを引用して注文してください。. 高電圧HBシリーズ. TE ConnectivityのHBシリーズ高電圧抵抗器は、優れた安定性と信頼性を備えています。これらの高電圧スレッド抵抗器は、丈夫なエポキシコーティングが施され、コンパクトなパッケージながら定格出力が高いのが特長です。HBシリーズのスレッド抵抗器は、最大1 GΩの高い抵抗値を備えています。低インダクタンスでスイッチング速度が速く、許可差が1 %で柔軟な設計が可能です。. 特長と利点:. ラジアルリードとアキシャルリードのオプション. 標準動作電圧: 20 kV. 高抵抗値モデルを用意. 難燃性エポキシコーティング. 全値で低ノイズ. 製品の用途:. HB高電圧抵抗器の主な用途は、サージ、高電圧、フィルタ、分圧、バランス、突入電流制限などです。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 高耐圧チップ抵抗器, 3216サイズ, 0.3W, 1GΩ, ±1% VISHAYVishay 高耐圧チップ抵抗器, 3216サイズ, 0.3W, 1GΩ, ±1%VISHAY
569税込626
1個
翌々日出荷
仕様抵抗 = 1GΩパッケージ/ケース = 1206許容差 = ±1%定格電力 = 0.3W温度係数 = ±100ppm/℃テクノロジー = 厚膜寸法 = 3.2 x 0.6mm長さ = 3.2mm奥行き = 1.6mm高さ = 0.6mmシリーズ = CRHV最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +150℃終端スタイル = はんだ最大温度係数 = +100ppm/℃1206高電圧厚膜チップ抵抗器、CRHVシリーズ - 0.3 W. CRHVシリーズは、最大3000 Vの高電圧厚膜チップ抵抗器 優れた安定性 < 0.5 % 複数の方式、終端材、及び構成により、幅広い設計の柔軟性を実現RoHS指令(10物質対応)対応
高圧絶縁抵抗計 共立電気計器高圧絶縁抵抗計共立電気計器
119,800税込131,780
1個ほか
14日以内出荷から22日以内出荷
成極指数 (PI) と誘電吸収比 (DAR) を自動計算表示<br />表示値のフラツキを軽減するフィルタ機能搭載<br />G端子接地方式による絶縁抵抗測定が可能<br />出力電圧・オートディスチャージ電圧をモニター表示<br />大型ディスプレイ (バーグラフとバックライト付き)<br />国際安全規格 IEC 61010-1 CAT Ⅳ 300V / CAT Ⅲ 600V 準拠
仕様定格測定電流:(250V)0.25MΩ負荷にて 0.7mA以上・0.9mA以下、(500V)0.5MΩ負荷にて 0.8mA以上・1mA以下、(1000V)1MΩ負荷にて 1mA以上・1.2mA以下、(2500V)2.5MΩ負荷にて 1mA以上・1.2mA以下、(5000V)5MΩ負荷にて 1mA以上1.2mA以下●開放回路電圧:(250V)DC 250V/-10~10%以内、(500V)DC 500V/-10~20%以内、(1000V)DC1000V/-0~20%以内、(2500V)DC 2500V/-0~20%以内、(5000V)DC5000V/-0~20%以内付属品7165A (ラインプローブ)、7264 (アースコード)、7265 (ガードコード)、8019 (先端フック)、9205 (ハードケース)、単2形アルカリ乾電池×8、取扱説明書質量(kg)約1.9(乾電池含む)測定範囲【絶縁抵抗計】(250V)0~100MΩ、(500V)0~99.9MΩ・80~1000MΩ、(1000V)0~99.9MΩ・80~999MΩ・0.8~2GΩ、(2500V)0~99.9MΩ・80~999MΩ・0.8~9.99GΩ・8~100GΩ、(5000V)0~99.9MΩ・80~999MΩ・0.8~9.99GΩ・8.0~99.9GΩ・80~1000GΩ、【電圧計】AC:30~600V(50/60Hz)、DC:±30~±600V適合規格IEC 61010-1 CAT Ⅳ 300V/CAT Ⅲ 600V 汚染度2使用電池単2形アルカリ乾電池LR14(1.5V)×8本寸法(長さL×幅W×奥行D)(mm)177×226×100外形寸法(長さL×幅W×奥行D)(mm)177×226×100確度【絶縁抵抗計】(250V)±5%rdg±3dgt 、(500V)±5%rdg±3dgt 、(1000V)±5%rdg±3dgt、(2500V)±5%rdg±3dgt 、(5000V)±5%rdg±3dgt・±20%(100GΩ以上)、【電圧計】±2%rdg±3dgt短絡電流(mA)1.5RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC143EET1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC143EET1Gonsemi
11,980税込13,178
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V<br />パッケージタイプ = SC-75<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 300 mW<br />トランジスタ構成 = シングル<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />寸法 = 1.65 x 0.9 x 0.8mm
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5214T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5214T1Gonsemi
589税込648
1袋(100個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V<br />パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 310 mW<br />トランジスタ構成 = シングル<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />ベースエミッタ抵抗器 = 47kΩ
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, SBCP56-10T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, SBCP56-10T1Gonsemi
1,398税込1,538
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V dc●パッケージタイプ : SOT-223 (SC-73)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 1.5 W●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●ピン数 : 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 6.7×3.7×1.65mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, MMBTH10-4LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, MMBTH10-4LT1Gonsemi
15,980税込17,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V<br />パッケージタイプ = SOT-23<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 300 mW<br />トランジスタ構成 = シングル<br />最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V dc<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm<br />この NPN バイポーラトランジスタは、汎用 VHF / UHF 用途向けに設計され、 SOT-23 表面実装パッケージに収められています。このデバイスは、低電力の表面実装用途に最適です。低 RDS ( on ):高効率を実現し、バッテリ寿命を延長します 基板スペースを節約する小型 SOT-23 表面実装パッケージ 鉛フリーパッケージが提供される場合があります。G サフィックスは鉛フリーリード仕上げを示します 品番の先頭が「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です
RoHS指令(10物質対応)対応
2レンジ小型絶縁抵抗計 共立電気計器2レンジ小型絶縁抵抗計共立電気計器
31,980税込35,178
1個ほか
当日出荷から25日以内出荷
手のひらサイズの小型軽量2レンジメガ 安全規格IEC/EN61010-1CATIII600Vに準拠、CEマーキング品 わずが340gの超小型絶縁抵抗計 オートディスチャージ機能付-測定が終ると自動的に充電した電圧を放電 衝撃に強い新素材(エラストマー)ケース採用 暗い場所に便利なスケール照明付 リモートスイッチ付プローブ標準装備 (切り忘れ防止の電源カット機能付) 両手で作業ができる首かけベルト付
高圧絶縁抵抗計 共立電気計器高圧絶縁抵抗計共立電気計器
99,980税込109,978
1個ほか
当日出荷から7日以内出荷
変電設備や高電圧機器電路の絶縁抵抗測定や診断に 測定コード脱着可能 堅牢なハードケース標準装備 少々の雨がかかっても大丈夫な防滴構造 自動レンジ切換え付き2重目盛スケール板
Arcol Ohmite 厚膜 抵抗器 2.5W 1GΩ ±1%, SM108031007FE ARCOL(OHMITE)Arcol Ohmite 厚膜 抵抗器 2.5W 1GΩ ±1%, SM108031007FEARCOL(OHMITE)
2,398税込2,638
1個
7日以内出荷
仕様●抵抗:1GΩ●定格電力:2.5W●許容差:±1%●軸 / 放射状:ラジアル●テクノロジー:厚膜●シリーズ:Slim Mox●温度係数:±100 ppm/℃, ±25 ppm/℃, ±50 ppm/℃℃●動作温度 Min:-55℃●Ohmite Slim-MOXシリーズ精密厚膜抵抗器. Ohmite Slim-MOXシリーズ精密厚膜抵抗器は安定性能を発揮し、最大25 Kの電圧定格で幅広い範囲の抵抗値を使用できます。温度係数が低いため、高安定性回路の用途に使用できます。省スペースの平面パッケージによって従来の高電圧抵抗器を代替できます。. 特長と利点:. 高誘電性及び低ガス放出エポキシコーティング 抵抗器低ノイズ 無誘導性 RoHS対応 ラジアル端子RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, MMUN2115LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, MMUN2115LT1Gonsemi
1,198税込1,318
1セット(200個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP<br />最大DCコレクタ電流 = -100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 V<br />パッケージタイプ = SOT-23<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 400 mW<br />トランジスタ構成 = シングル<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm<br />先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. シングル抵抗デジタルトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, MMUN2113LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, MMUN2113LT1Gonsemi
339税込373
1袋(25個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP<br />最大DCコレクタ電流 = -100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 V<br />パッケージタイプ = SOT-23<br />実装タイプ = 表面実装<br />トランジスタ構成 = シングル<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm<br />先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルPNPトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2211LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2211LT1Gonsemi
10,980税込12,078
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V<br />パッケージタイプ = SOT-23<br />実装タイプ = 表面実装<br />トランジスタ構成 = シングル<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />標準抵抗比 = 1mm<br />先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5213T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5213T1Gonsemi
589税込648
1袋(100個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V<br />パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 310 mW<br />トランジスタ構成 = シングル<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />ベースエミッタ抵抗器 = 47kΩ
RoHS指令(10物質対応)対応
Arcol Ohmite 厚膜 抵抗器 1.5W 1GΩ ±1%, SM104031007FE ARCOL(OHMITE)Arcol Ohmite 厚膜 抵抗器 1.5W 1GΩ ±1%, SM104031007FEARCOL(OHMITE)
999税込1,099
1個
5日以内出荷
仕様●抵抗:1GΩ●定格電力:1.5W●許容差:±1%●軸 / 放射状:ラジアル●テクノロジー:厚膜●シリーズ:Slim Mox●動作温度 Max:+110℃●動作温度 Min:-55℃●Ohmite Slim-MOXシリーズ精密厚膜抵抗器. Ohmite Slim-MOXシリーズ精密厚膜抵抗器は安定性能を発揮し、最大25 Kの電圧定格で幅広い範囲の抵抗値を使用できます。温度係数が低いため、高安定性回路の用途に使用できます。省スペースの平面パッケージによって従来の高電圧抵抗器を代替できます。. 特長と利点:. 高誘電性及び低ガス放出エポキシコーティング 抵抗器低ノイズ 無誘導性 RoHS対応 ラジアル端子RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, MMUN2133LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, MMUN2133LT1Gonsemi
10,980税込12,078
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP<br />最大DCコレクタ電流 = -100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 V<br />パッケージタイプ = SOT-23<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 400 mW<br />トランジスタ構成 = シングル<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm<br />先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルPNPトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2231LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2231LT1Gonsemi
1,198税込1,318
1袋(200個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V<br />パッケージタイプ = SOT-23<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 400 mW<br />トランジスタ構成 = シングル<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm<br />先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2214LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2214LT1Gonsemi
999税込1,099
1袋(200個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V<br />パッケージタイプ = SOT-23<br />実装タイプ = 表面実装<br />トランジスタ構成 = シングル<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />標準入力抵抗 = 10 kΩmm<br />先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN2233T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN2233T1Gonsemi
399税込439
1袋(25個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V<br />パッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)<br />実装タイプ = 表面実装<br />トランジスタ構成 = シングル<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />標準抵抗比 = 0.12mm<br />先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
デジタル絶縁抵抗計 エスコデジタル絶縁抵抗計エスコ
50,600税込55,660
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コンパレータ機能搭載(比較判定機能) バーグラフ表示 コンクリート上1mからの落下に耐えるドロッププルーフ設計で現場での使用にも安心です。 JIS認証の5レンジ絶縁抵抗計 パッと判定、一目で確認!コンパレータ機能を搭載(比較判定機能) 安定した表示と高速測定、コンパレータ判定結果応答時間0.3秒 暗い現場での作業効率をアップする、高輝度白色LED照明 200mAによる導通チェック機能 ACの他、電気自動車等に役立つDC電圧測定機能 別売のワイヤレスアダプタ(EA708XA-1)を装着するとBluetooth無線通信が可能になります。 絶縁抵抗桁数切替 活線警告 自動放電 交流/直流自動判別 CAT III 600 V ※付属電池はテスト電池ですので新しい電池をご購入下さい。
仕様●定格電圧(DCV):50/125/250/500/1000V●定格抵抗:100/250/500/2000/4000MΩ●交流電圧測定:420.0/600V 2レンジ(50/60Hz)(精度:±2.3%rdg.±8dgt)入力抵抗100 kΩ以上、平均値整流実効値指示●直流電圧測定:4.2/42/420/600V 4レンジ(精度:±1.3%rdg.±4dgt)入力抵抗100 kΩ以上●低抵抗測定:10/100/1000Ω 3レンジ(精度:±3%rdg.±2dgt)測定電流: 200mA以上 (6Ω以下のとき)●電源:単3電池×4本(付属)●サイズ:152(W)×40(D)×92(H)mm●重量:440g(電池含)●付属品:LEDライト付リード棒セット、携帯用ソフトケース、取扱説明書、単3アルカリ乾電池×4個●第1有効測定範囲:±4%rdg.0.200~10.00MΩ±4%rdg.0.200~25.0MΩ±4%rdg.0.200~50.0MΩ±4%rdg.0.200~500MΩ±4%rdg.0.200~1000MΩ●連続使用時間:20時間●機能:絶縁抵抗の桁数切替、1分値の表示、活線警告、自動放電、交流/直流自動判別、コンパレータ、ドロッププルーフ、オートパワーセーブ●表示:半透過型FSTN液晶、バックライト、バーグラフ●適合規格:JIS C1302: 2018●過負荷保護:DC50V/DC125V/DC250V/DC500V:AC600V(10s)DC1000V:AC660V(10s)アズワン品番65-2167-36
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MMBT4124LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MMBT4124LT1Gonsemi
15,980税込17,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 200 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V<br />パッケージタイプ = SOT-23<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 300 W<br />最小DC電流ゲイン = 120<br />トランジスタ構成 = シングル<br />最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm<br />NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。鉛フリーパッケージを用意
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2215LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2215LT1Gonsemi
1,298税込1,428
1袋(200個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V<br />パッケージタイプ = SOT-23<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 400 mW<br />トランジスタ構成 = シングル<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />標準抵抗比 = なしmm<br />先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. シングル抵抗デジタルトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC144EET1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC144EET1Gonsemi
13,980税込15,378
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7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V<br />パッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 300 mW<br />トランジスタ構成 = シングル<br />最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />標準抵抗比 = 1mm<br />先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5235T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5235T1Gonsemi
12,980税込14,278
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V<br />パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 310 mW<br />トランジスタ構成 = シングル<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />標準抵抗比 = 0.047kΩ<br />このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MSC2712GT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MSC2712GT1Gonsemi
1,198税込1,318
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トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V<br />パッケージタイプ = SC-59<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 200 mW<br />最小DC電流ゲイン = 200<br />トランジスタ構成 = シングル<br />最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V dc<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />動作温度 Max = +150 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
TE Connectivity 厚膜 抵抗器 2W 1GΩ ±1%, HB31G0FZRE TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))TE Connectivity 厚膜 抵抗器 2W 1GΩ ±1%, HB31G0FZRETE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))(1件のレビュー)
2,298税込2,528
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シリーズHB定格電力(W)2抵抗1GΩ許容差±1%RoHS指令(10物質対応)対応テクノロジー厚膜最大動作温度(℃)125最小動作温度(℃)-55
RS Pro 絶縁抵抗計 最大抵抗レンジ:2000MΩ RS PRORS Pro 絶縁抵抗計 最大抵抗レンジ:2000MΩRS PRO
17,980税込19,778
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仕様テスターの種類 = 絶縁抵抗計最小試験電圧 = 250V最大電圧 = 1000V最大絶縁抵抗測定 = 2000MΩディスプレイのタイプ = LCD試験電流 = Ω200mA最低動作温度 = 0℃最高動作温度 = +40℃電源 = 電池安全カテゴリレベル = CAT III安全カテゴリ電圧 = 1000V安全カテゴリ = CAT III 1000 V重量 = 582gIEC1010-1、CAT III 1000 V. テストリード、1.5 V単三電池 x 6、プラスチック製のキャリングケース、ユーザーマニュアル. RS Pro RS5500絶縁 / 導通テスター. RS5500は、建築設備で実施される測定向けに、IEC1010-1 CAT IIIに適合するお得な絶縁 / 導通テスターです。. 特長と利点. バックライト付き大型デュアルディスプレイ IEC10101、CAT III 1000 Vに適合 3種の絶縁電圧テスト範囲: 200 MΩ/250 V、200 MΩ/500 V、2000 MΩ/1000 V 短絡電流の導通範囲: 200 mA テスト保持機能で簡単に操作 オーバーレンジ表示 バッテリ容量低下表示 定格電圧でのMΩレンジ向けのテスト電流: 1 mA ダブルモールドのプラスチック製ハウジング 寸法: 200 mm x 92 mm x 50 mm 重量: 約700 g (電池込み)RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, NSV1C201MZ4T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, NSV1C201MZ4T1Gonsemi
37,980税込41,778
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仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : SOT-223 (SC-73)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 2 W●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 7 V dc●ピン数 : 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 6.7×3.7×1.65mm●鉛フリーデバイス 品番の先頭が「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 利点 リードなし 最終製品 ポータブル及びバッテリ駆動製品 用途 電力管理RoHS指令(10物質対応)対応
日本ファインケム 高電圧抵抗器 RH2HVシリーズ 1GΩ 2W ±1% 日本ファインケム日本ファインケム 高電圧抵抗器 RH2HVシリーズ 1GΩ 2W ±1%日本ファインケム
2,698税込2,968
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仕様抵抗:1GΩ 、 定格電力:2W 、 許容差:±1% 、 シリーズ:RH2HV 、 ケーススタイル:フォーマル 、 温度係数:±100ppm/℃ 、 終端スタイル:アキシャル 、 寸法:5.5 (Dia.) x 26.5mm 、 長さ:26.5mm 、 直径:5.5mm 、 最小温度係数:-100ppm/℃ 、 高電圧抵抗器 RHシリーズ. E ; C RH type superhigh precision high-voltage resistors are used in physical and chemical measuring instruments. The operating temperature on these precision resistors is -55℃ TO + 150℃. They are small lightweight and have high reliability, small temperature coefficient. The resistors offer minimised resistance change in long-term stability and load life and are protected from changes in pulse voltage. 小型軽量で信頼性が高い パルス電圧に対して安定 難燃性. Applications. Industrial equipment X - ray apparatus Electron microscopes
デジタル絶縁抵抗計 ワイヤレスアダプタ付 エスコデジタル絶縁抵抗計 ワイヤレスアダプタ付エスコ
57,200税込62,920
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仕様●定格電圧(DCV):50/125/250/500/1000V●定格抵抗:100/250/500/2000/4000MΩ●交流電圧測定:420/600V(精度/±2.3%rdg.±8dgt)●直流電圧測定:4.2/42/420/600V(精度/±1.3rdg)●低抵抗測定:10/100/1000Ω(精度/±3%rdg.±2dgt)●電源:単3電池×4本(付属)●サイズ:152(W)×40(D)×92(H)mm●重量:440g(電池含む)●付属品:スイッチ付きリードセット×1、携帯用ケース×1、ワイヤレスアアズワン品番65-9272-47
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, NSBC114EDXV6T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, NSBC114EDXV6T1Gonsemi
41,980税込46,178
1セット(4000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V<br />パッケージタイプ = SOT-563<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 500 mW<br />トランジスタ構成 = デュアル<br />ピン数 = 6<br />1チップ当たりのエレメント数 = 2<br />ベースエミッタ抵抗器 = 10kΩ<br />このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5235DW1T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5235DW1T1Gonsemi
24,980税込27,478
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V<br />パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 256 mW<br />トランジスタ構成 = 絶縁型<br />ピン数 = 6<br />1チップ当たりのエレメント数 = 2<br />標準抵抗比 = 0.047mm<br />デュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5212DW1T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5212DW1T1Gonsemi
799税込879
1袋(50個)
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トランジスタタイプ = NPN<br />最大DCコレクタ電流 = 100 mA<br />最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V<br />パッケージタイプ = SOT-363<br />実装タイプ = 表面実装<br />最大パワー消費 = 385 mW<br />トランジスタ構成 = デュアル<br />ピン数 = 6<br />1チップ当たりのエレメント数 = 2<br />標準抵抗比 = 1kΩ
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN/PNP, 表面実装, 100 mA, SBC846BPDW1T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN/PNP, 表面実装, 100 mA, SBC846BPDW1T1Gonsemi
569税込626
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仕様●トランジスタタイプ : NPN/PNP●最大DCコレクタ電流 : 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 65 V●パッケージタイプ : SOT-363●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 380 mW●トランジスタ構成 : デュアル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 6 V●ピン数 : 6●1チップ当たりのエレメント数 : 2●寸法 : 2.2×1.35×0.9mm●このデュアル NPN PNP バイポーラトランジスタは、汎用アンプ用途向けに設計されています。低電力表面実装用途向けに設計された SOT-363/SC-88 パッケージに収められています。鉛フリーパッケージを用意 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適ですRoHS指令(10物質対応)対応
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