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Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、1100 1600 V. Infineonのコレクタ-エミッタ電圧の定格が1100 1600 VのIGBTトランジスタ製品です。TrenchStopテクノロジーを使用しています。このシリーズには、高速度、高速回復アンチパラレルダイオード搭載の素子が含まれています。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 1100 →1600 超低VCEsat 低ターンオフ損失 短テール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、1100 → 1600 V. Infineonのコレクタ-エミッタ電圧の定格が1100 ～ 1600 VのIGBTトランジスタ製品です。TrenchStopテクノロジーを使用しています。このシリーズには、高速度、高速回復アンチパラレルダイオード搭載の素子が含まれています。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 1100 →1600 V 超低VCEsat 低ターンオフ損失 短テール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 290 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm。動作温度 Max = +150 ℃。ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor

最大連続コレクタ電流 = 60 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V。最大パワー消費 = 220 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。スイッチングスピード = 1MHz。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm。動作温度 Max = +150 ℃。IGBTディスクリート、STMicroelectronics