「t5 14v」の検索結果

1920年創業で純正採用(OEM)もされているオートランプのリーディングカンパニーの商品です。

メーカー名：スズキ。メーカー品番：09471-12055

ステアリング作動用ラックアンドピニオンのブーツ。 スムーズなステアリング操作には欠かせない部品です。

T-1 (5mm)/T-1 (6mm)、チューブ型、LES

独自の高精度基準を満たし、品質管理されています。 耐久性は用途に合った硬度選定により最高のものが得られます。 特殊品は小ロットの製作も可能です。

独自の高精度基準を満たし、品質管理されています。 耐久性は用途に合った硬度選定により最高のものが得られます。 特殊品は小ロットの製作も可能です。

スリット加工が施されていますので電線の収納が容易に出来ます。

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14SSOP

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 14SOP

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14SSOP

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP

。IC BUF NON-INVERT 5.5V 14DIP

。IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP

【5年保証(引取修理)モデル】ネットワークの信頼性・セキュリティのさらなる強化を実現するセキュアスイッチ(1ギガレイヤー2スイッチ) 。10 / 100 / 1000BASE-T×18ポートを搭載 。スイッチ容量：36Gbps

T16 (16mm) Tubular SES (E14)

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 48000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 380 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 150 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 15.75mm。高さ 20.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 15.87mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor