「to-220 絶縁」の検索結果
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ベースポリマーとしてシリコーンが用いられているため、高い信頼性が得られます。
取り扱いが容易なため、位置合わせが簡単にできます。
優れた放熱性能に加え、絶縁性も向上しました。
難燃性に優れています。
用途電源用トランジスタ
パワーモジュール
車載用インバータ・コンバータ
IGBT
連続使用温度(℃)-40～180
危険物の類別非危険物
商品タイプオイルコンパウンド
適合用途電気絶縁用
エコ商品
パワートランジスターの取付等、絶縁したい部分に御使用下さい。
材質アセタールコポリマー(UL94HB)
色白
使用温度範囲(℃)-40～+85
寸法D(mm)1
RoHS指令(10物質対応)対応
ベースポリマーとしてシリコーンが用いられているため、高い信頼性が得られます。
取り扱いが容易なため、位置合わせが簡単にできます。
優れた放熱性能に加え、絶縁性も向上しました。
難燃性に優れています。
用途電源用トランジスタ
パワーモジュール
車載用インバータ・コンバータ
IGBT
補強層ガラスクロス
連続使用温度(℃)-40～180
危険物の類別非危険物
商品タイプオイルコンパウンド
適合用途電気絶縁用
色茶色
タイプ高熱伝導、キャップ
硬さ75
伸び(%)100
難燃性V-0
引張強度(MPa)3
密度(g/cm3)2.9
熱伝導率(W/mk)2
比誘電率 50Hz6.4、(1kHz)6.3、(1MHz)6.2
誘電正接(50Hz)4×10-3、(1kHz)1×10-3、(1MHz)4×10-3
危険物の類別非危険物
引裂き強度(kN/m)6
体積抵抗率(MΩ・m)35
パワートランジスターの取付等、絶縁したい部分に御使用下さい。
種類その他
材質アセタール・コポリマー(UL94HB)
使用温度範囲(℃)-40～+85
色白
電気絶縁性など優れた電気特性を持っています。
ガラスクロスあポリアミドフィルムによる補強タイプがあります。
シートだけではなく、キャップ状やチューブ状の製品があり、トランジスタなどの沿面距離の縮小に役立ちます。
ほとんどの製品がUL規格認定品で、優れた難燃性を示します。
仕様補強層：ガラスクロス
色白色
タイプ高熱伝導
温度範囲(℃)-40～180
硬さ90
難燃性V-0
密度(g/cm3)1.5
熱伝導率(W/mk)(ISO 22007-2)7.3、(ASTME1530)5
危険物の類別非危険物
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,470
税込￥1,617
5日以内出荷
材質PTFE
RoHS指令(10物質対応)対応
パワートランジスターの下に取付けるだけで高い熱伝導率を得ることができます。
マイカ板と違ってグリースを併用する必要はありません。
従来のシリコンラバーより約7倍の熱伝導率があります。
材質サーコン(R)TR(UL94V-0)
厚さ(mm)0.30+0.10-0)
使用温度範囲(℃)-60～+180
引裂強度(kg)0.3B
伸び(%)100
体積抵抗率(Ωcm)1.2×1015
硬度(JIS A)75
誘電率50Hz：4.4、103Hz：4.4、106Hz：4.4
RoHS指令(10物質対応)対応
燃焼性V-0(UL94)
耐電圧(kV)7
熱抵抗値(℃/W)0.39
引張強度(kg/cm2)1.7
仕様アクセサリタイプ = ガルウィングクリップ併用 = TO-220トランジスタスプリングクリップ. TO220、TO218、TO247、TO3Pなどのパワートランジスタをヒートシンクに1箇所で固定可能なトランジスタスプリングクリップ 強力な押し付け力(最大7.5kg)で、ヒートシンクへの熱伝導特性を最大化。丸穴1つだけで2つのトランジスタに対応可能 あらゆる厚さのヒートシンクパネル又はパッドに適合 亜鉛めっき、透明不動態化仕上げ - 絶縁電圧1000V RS品番131-1216 TO-220適用、RS品番131-1238 TO-3P適用
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥590
税込￥649
翌々日出荷
材質PP製
色黒
RoHS指令(10物質対応)対応
熱伝導性に優れています。
非シリコーン系の放熱材ですので、シロキサンガスが発生しません。
軟らかな素材のため、チップや基板の凹凸部分にも十分追従します。
密着性に優れているため、接着面の熱抵抗を小さくします。
電気絶縁性です。
耐久性に優れ、長期間使用後も安定した電気絶縁、熱伝導性を示します。
UL94 V-0の難燃規格を取得しています。(UL File No. E176845)
従来品よりも低臭タイプです。
用途電子・電気機器の発熱部品の放熱
半導体部品等で発生した熱を、ヒートシンクや金属カバー等の放熱部品へ効率的に伝達します。また、シロキサンガスが発生しませんので、シリコーン系部材を使用できない箇所にもご使用いただけます。
テープ幅(mm)100
テープ長さ(m)0.1
構造熱伝導性アクリル層(非粘着性)/フィルムライナー/熱伝導性 低硬度アクリル層(粘着性)
主な用途電気・電子用
特性熱伝導性、電気絶縁性、耐久性、難燃性
仕様抵抗 = 2Ω定格電力 = 50W許容差 = ±1%テクノロジー = 無誘導性シリーズ = AP851ケーススタイル = モールド温度係数 = ±300ppm/℃終端スタイル = アキシャルパッケージ/ケース = TO-220寸法 = 10.67 x 16.52 x 3.44mm長さ = 10.67mm奥行き = 3.44mm高さ = 16.52mmリード径 = 0.86mmAP851シリーズTO-220高出力抵抗器(50 W). 非常に低い熱抵抗を備えた、AP851シリーズ無誘導性高出力T0220抵抗器パック(50 W)です。 AP851シリーズの用途: 電源切り替えでの高周波エミッタ回路、電圧調整、低電力パルス負荷. ヒートシンクのケース温度(熱グリス使用): 50 W @ 25 ℃ 保護用成形ケース x 1 単独のねじ取り付け穴でヒートシンクに簡単取り付け 電気的に絶縁されたケース
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,450
税込￥1,595
5日以内出荷
仕様抵抗 = 20Ω定格電力 = 50W許容差 = ±1%テクノロジー = 無誘導性シリーズ = AP851ケーススタイル = モールド温度係数 = ±50ppm/℃終端スタイル = アキシャルパッケージ/ケース = TO-220寸法 = 10.67 x 16.52 x 3.44mm長さ = 10.67mm奥行き = 3.44mm高さ = 16.52mmリード径 = 0.86mmAP851シリーズTO-220高出力抵抗器(50 W). 非常に低い熱抵抗を備えた、AP851シリーズ無誘導性高出力T0220抵抗器パック(50 W)です。 AP851シリーズの用途: 電源切り替えでの高周波エミッタ回路、電圧調整、低電力パルス負荷. ヒートシンクのケース温度(熱グリス使用): 50 W @ 25 ℃ 保護用成形ケース x 1 単独のねじ取り付け穴でヒートシンクに簡単取り付け 電気的に絶縁されたケース
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,450
税込￥1,595
翌々日出荷
仕様抵抗 = 50Ω定格電力 = 50W許容差 = ±1%テクノロジー = 無誘導性シリーズ = AP851ケーススタイル = モールド温度係数 = ±50ppm/℃終端スタイル = アキシャルパッケージ/ケース = TO-220寸法 = 10.67 x 16.52 x 3.44mm長さ = 10.67mm奥行き = 3.44mm高さ = 16.52mmリードピッチ = 5.34mmAP851シリーズTO-220高出力抵抗器(50 W). 非常に低い熱抵抗を備えた、AP851シリーズ無誘導性高出力T0220抵抗器パック(50 W)です。 AP851シリーズの用途: 電源切り替えでの高周波エミッタ回路、電圧調整、低電力パルス負荷. ヒートシンクのケース温度(熱グリス使用): 50 W @ 25 ℃ 保護用成形ケース x 1 単独のねじ取り付け穴でヒートシンクに簡単取り付け 電気的に絶縁されたケース
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,450
税込￥1,595
翌々日出荷
仕様抵抗 = 220Ω定格電力 = 35W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = AP836ケーススタイル = モールド温度係数 = ±100ppm/℃終端スタイル = ラジアルパッケージ/ケース = TO-220寸法 = 10.41 x 4.82 x 15mm長さ = 10.41mm奥行き = 4.82mm高さ = 15mmリードピッチ = 5.33mmAP836シリーズTO-220高出力抵抗器(35 W). 非常に低い熱抵抗を備えた、AP836シリーズ無誘導性高出力T0220抵抗器パック(35 W)です。 AP836シリーズの用途: 電源切り替えでの高周波エミッタ回路、電圧調整、低電力パルス負荷. ヒートシンクのケース温度(熱グリス使用): 35 W @ 25 ℃ 保護用成形ケース x 1 単独のねじ取り付け穴でヒートシンクに簡単取り付け 電気的に絶縁されたケース
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,200
税込￥1,320
5日以内出荷
仕様抵抗 = 8.2Ω定格電力 = 20W許容差 = ±5%テクノロジー = 無誘導性フィルムシリーズ = AP821ケーススタイル = モールド温度係数 = ±100ppm/℃終端スタイル = ラジアルパッケージ/ケース = TO-220寸法 = 10.67 x 3.44 x 16.52mm長さ = 10.67mm奥行き = 3.44mm高さ = 16.52mmリードピッチ = 5.34mmAP821シリーズTO-220高出力抵抗器(20 W). 非常に低い熱抵抗を備えた、AP821シリーズ無誘導性高出力T0220抵抗器パック(20 W)です。 AP821シリーズの用途: 電源切り替えでの高周波エミッタ回路、電圧調整、低電力パルス負荷、モータ制御回路、モータ駆動回路. ヒートシンクのケース温度(熱グリス使用): 20 W @ 25 ℃ 保護用成形ケース x 1 単独のねじ取り付け穴でヒートシンクに簡単取り付け 電気的に絶縁されたケース
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥950
税込￥1,045
翌々日出荷
仕様抵抗 = 200Ω定格電力 = 50W許容差 = ±1%テクノロジー = 無誘導性シリーズ = AP851ケーススタイル = モールド温度係数 = ±50ppm/℃終端スタイル = アキシャルパッケージ/ケース = TO-220寸法 = 10.67 x 16.52 x 3.44mm長さ = 10.67mm奥行き = 3.44mm高さ = 16.52mmリード径 = 0.86mmAP851シリーズTO-220高出力抵抗器(50 W). 非常に低い熱抵抗を備えた、AP851シリーズ無誘導性高出力T0220抵抗器パック(50 W)です。 AP851シリーズの用途: 電源切り替えでの高周波エミッタ回路、電圧調整、低電力パルス負荷. ヒートシンクのケース温度(熱グリス使用): 50 W @ 25 ℃ 保護用成形ケース x 1 単独のねじ取り付け穴でヒートシンクに簡単取り付け 電気的に絶縁されたケース
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,450
税込￥1,595
翌々日出荷
仕様抵抗 = 5Ω定格電力 = 20W許容差 = ±1%テクノロジー = 無誘導性フィルムシリーズ = AP821温度係数 = ±100 ppm/℃， ±200 ppm/℃終端スタイル = Through Holeパッケージ/ケース = TO-220寸法 = 10.67 x 3.44 x 16.52mm長さ = 10.67mm奥行き = 3.44mm高さ = 16.52mmリード径 = 0.66 → 0.86mmAP821シリーズTO-220高出力抵抗器(20 W). 非常に低い熱抵抗を備えた、AP821シリーズ無誘導性高出力T0220抵抗器パック(20 W)です。 AP821シリーズの用途: 電源切り替えでの高周波エミッタ回路、電圧調整、低電力パルス負荷、モータ制御回路、モータ駆動回路. ヒートシンクのケース温度(熱グリス使用): 20 W @ 25 ℃ 保護用成形ケース x 1 単独のねじ取り付け穴でヒートシンクに簡単取り付け 電気的に絶縁されたケース
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥950
税込￥1,045
欠品中
AEC-Q200認定. PWR220T-35シリーズ. BournsRのPWR220T-35シリーズは、アルミナセラミック厚膜技術を用いて製造されたTO-220スタイルの電力抵抗器です。. TO-220ハウジング 低インダクタンス 抵抗器はバックプレートから電気的に絶縁 高定格電力. これらの電力抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 その他の適した用途には、計測器、モータドライブ、電源、整流器があります。
仕様テクノロジー = 厚膜パッケージ/ケース = TO-220許容差 = ±5%定格電力 = 35W温度係数 = ±100ppm/℃自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = PWR220T-35動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃
RoHS指令(10物質対応)対応
公称抵抗値(Ω)100
1個
￥549
税込￥604
5日以内出荷
シーケンサ、インバータ等、各種機器の絶縁ベース浮かせにご利用いただけます。
機器のベース部の絶縁確保が出来ます。
材質PP
色黒
寸法L3(mm)凹(B)3
AEC-Q200認定. PWR220T-35シリーズ. BournsRのPWR220T-35シリーズは、アルミナセラミック厚膜技術を用いて製造されたTO-220スタイルの電力抵抗器です。. TO-220ハウジング 低インダクタンス 抵抗器はバックプレートから電気的に絶縁 高定格電力. これらの電力抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 その他の適した用途には、計測器、モータドライブ、電源、整流器があります。
仕様テクノロジー = 厚膜パッケージ/ケース = TO-220許容差 = ±5%定格電力 = 35W温度係数 = ±100ppm/℃自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = PWR220T-35動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃
RoHS指令(10物質対応)対応
公称抵抗値(Ω)470
1個
￥549
税込￥604
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 8 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 310 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥19,980
税込￥21,978
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,820
税込￥2,002
翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 11 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 300 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●トランジスタ素材 ： Simm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥13,980
税込￥15,378
5日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 10.5 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 312 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,098
税込￥1,208
5日以内出荷
仕様アクセサリタイプ = スプリングクリップ併用 = TO-218、TO-220、TO-247、TO-3Pトランジスタスプリングクリップ. TO220、TO218、TO247、TO3Pなどのパワートランジスタをヒートシンクに1箇所で固定可能なトランジスタスプリングクリップ 強力な押し付け力(最大7.5kg)で、ヒートシンクへの熱伝導特性を最大化。丸穴1つだけで2つのトランジスタに対応可能 あらゆる厚さのヒートシンクパネル又はパッドに適合 亜鉛めっき、透明不動態化仕上げ - 絶縁電圧1000V RS品番131-1216 TO-220適用、RS品番131-1238 TO-3P適用
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥710
税込￥781
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET(TM)II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 18 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
1セット(50個)
￥7,698
税込￥8,468
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 15 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 45 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥16,980
税込￥18,678
5日以内出荷
AEC-Q200認定. PWR220T-35シリーズ. BournsRのPWR220T-35シリーズは、アルミナセラミック厚膜技術を用いて製造されたTO-220スタイルの電力抵抗器です。. TO-220ハウジング 低インダクタンス 抵抗器はバックプレートから電気的に絶縁 高定格電力. これらの電力抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 その他の適した用途には、計測器、モータドライブ、電源、整流器があります。
仕様テクノロジー = 金属皮膜パッケージ/ケース = TO-220許容差 = ±5%定格電力 = 35W温度係数 = ±100ppm/℃自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = PWR220T-35動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃
RoHS指令(10物質対応)対応
公称抵抗値(Ω)10
1セット(50個)
￥19,980
税込￥21,978
5日以内出荷
AEC-Q200認定. PWR220T-35シリーズ. BournsRのPWR220T-35シリーズは、アルミナセラミック厚膜技術を用いて製造されたTO-220スタイルの電力抵抗器です。. TO-220ハウジング 低インダクタンス 抵抗器はバックプレートから電気的に絶縁 高定格電力. これらの電力抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 その他の適した用途には、計測器、モータドライブ、電源、整流器があります。
仕様テクノロジー = 金属皮膜パッケージ/ケース = TO-220許容差 = ±5%定格電力 = 35W温度係数 = ±100ppm/℃自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = PWR220T-35動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃
RoHS指令(10物質対応)対応
公称抵抗値(Ω)47
1セット(50個)
￥16,980
税込￥18,678
5日以内出荷
Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧 温度に依存しないスイッチング動作 超高速スイッチング、最小損失 正温度係数順方向電圧 デバイスは熱暴走せずに並列可能 ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続 順方向電流 = 14Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 71A
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧 温度に依存しないスイッチング動作 超高速スイッチング、最小損失 正温度係数順方向電圧 デバイスは熱暴走せずに並列可能 ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続 順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥23,980
税込￥26,378
5日以内出荷
Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧 温度に依存しないスイッチング動作 超高速スイッチング、最小損失 正温度係数順方向電圧 デバイスは熱暴走せずに並列可能 ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続 順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 19A
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,598
税込￥2,858
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Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧 温度に依存しないスイッチング動作 超高速スイッチング、最小損失 正温度係数順方向電圧 デバイスは熱暴走せずに並列可能 ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 65A
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥8,998
税込￥9,898
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Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧 温度に依存しないスイッチング動作 超高速スイッチング、最小損失 正温度係数順方向電圧 デバイスは熱暴走せずに並列可能 ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続 順方向電流 = 24Aピーク逆繰返し電圧 = 650Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 650A
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
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