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サファイア単結晶ウェハー Φ2インチ×0.43mm C方位 0001 SA-2IN-430-Cシリーズ

サファイア単結晶ウェハー Φ2インチ×0.43mm C方位 0001 SA-2IN-430-Cシリーズ - アズワン

99.99%以上の高純度Al2O3を採用した単結晶サファイア基板です。高精度な研磨仕上げ(Ra<0.2 nm)を行っており高い表面均一性を実現しています。耐熱性・耐薬品性に優れ高温プロセスや化学処理にも対応しています。クラス100環境で洗浄・包装されコンタミネーションリスクを最小化したパッキングです。片面研磨と両面研磨の2種類をご用意しております。

仕様
BOW:<10μm、TTV:<10μm
材質
高純度Al2O3
厚さ(μm)
430
公差(mm)
±0.1、厚さ25μm
寸法(inch)
Φ2
品質等級
結晶グレード:光学グレード1、結晶成長法:KY法
方位
C方位(0001)
注意
※本商品は半導体向けの結晶材を使用しておりますが、研究・開発用途での使用を想定しております。
4件中 14各品番毎の詳細は注文コードをクリックしてください
注文コード
品番
内容量
タイプ
表面
アズワン品番
研磨
参考基準価格 (税別)販売価格(税別)販売価格(税込)
出荷目安
数量
04149770SA-2IN-430-C-D1枚両面鏡面(表)エピ研磨(Ra<0.2nm)※AFM測定、(裏)エピ研磨(Ra<0.2nm)※AFM測定4-7387-02両面研磨
13,000
12,980
14,278(税込)
翌日出荷
メーカー直送
代引不可
地域運賃
04150077SA-2IN-430-C-D-5PCS1セット(5枚)両面鏡面(表)エピ研磨(Ra<0.2nm)※AFM測定、(裏)エピ研磨(Ra<0.2nm)※AFM測定4-7387-52両面研磨
58,500
55,980
61,578(税込)
翌日出荷
メーカー直送
代引不可
地域運賃
04150908SA-2IN-430-C-S-5PCS1セット(5枚)片面鏡面(表)エピ研磨(Ra<0.2nm)※AFM測定、(裏)微細研磨(Ra=0.8~1.2μm)4-7387-51片面研磨
51,800
49,980
54,978(税込)
翌日出荷
メーカー直送
代引不可
地域運賃
04151730SA-2IN-430-C-S1枚片面鏡面(表)エピ研磨(Ra<0.2nm)※AFM測定、(裏)微細研磨(Ra=0.8~1.2μm)4-7387-01片面研磨
11,500
10,980
12,078(税込)
翌日出荷
メーカー直送
代引不可
地域運賃
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特別運賃

地域単位配送費
全国数量1につき¥0/税込¥0
北海道地方数量1につき¥0/税込¥0
沖縄地方数量1につき¥0/税込¥0
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