- 仕様
- IGBTディスクリート、ONSemiconductor.モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
- 長さ(mm)
- 10.29
- 幅(mm)
- 9.65
- 寸法(mm)
- 10.29×9.65×4.83
- 高さ(mm)
- 4.83
- ピン数(ピン)
- 3
- 動作温度(℃)
- -55
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- D2PAK(TO-263)
- 実装タイプ
- 表面実装
- 最大連続コレクタ電流(A)
- 50
- 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)
- 365
- 最大ゲート-エミッタ間電圧(V)
- ±15
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(W)
- 165
- トランジスタ構成
- シングル