仕様【カテゴリー】パワーMOSFET、NチャンネルパワーMOSFET、60V、ONSemiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)175RoHS指令(10物質対応)対応パッケージDPAK(TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)18チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)17最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40最大ゲートしきい値電圧(V)2.1最小ゲートしきい値電圧(V)1.2最大ゲート-ソース間電圧(V)±16