ON SEMICONDUCTOR

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619件中 1~40件
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仕様●VRM[V]:1000V●Io[A]:1.0A●trr[sec]:-●パッケージ:DO-204AL、DO-41、アキシャル●内部回路:-●VRM[V]:1000V アズワン品番68-2036-39
1本
39 税込43
当日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V高さ = 9.5mm直径 = 5.3mm動作温度 Max = +150 ℃メーカー品番がNSV-又はSUR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、2 A → 3 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
440 税込484
当日出荷

ダイオードシリコンジャンクション 実装タイプスクリューマウント 長さ(mm)29 寸法(mm)29×29×11.23 ピン数(ピン)4 動作温度(℃)-55~150 RoHS指令(10物質対応)対応 回路構成シングル ピーク逆電流(μA)500 ピーク順方向電圧(V)1.1 ブリッジタイプ単相
1袋(2個)ほか
1,593 税込1,752
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V高さ = 9.5mm直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200Aメーカー品番がNSV-又はSUR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、2 A → 3 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
542 税込596
当日出荷

仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 70Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP-B入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 18μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms最大電流変換率 = 260%標準降下時間 = 18μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
406 税込447
当日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
400 税込440
当日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V高さ = 5.2mm直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
870 税込957
当日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.21mm幅 = 2.72mm高さ = 2.72mmピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
374 税込411
欠品中

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
430 税込473
当日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
550 税込605
当日出荷


仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 10.5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,230 税込1,353
当日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,321 税込1,453
当日出荷

仕様出力電圧 = 3.3 V出力電流 Max = 400mAパッケージタイプ = SOT-223出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 4.5 V入力電圧 Max = 40 Vピン数 = 3+Tab動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +150 ℃出力数 = 1極性 = 正静止電流 = 0.15mA低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、400 mA、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
599 税込659
当日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
390 税込429
当日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 20 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
950 税込1,045
当日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
400 税込440
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.28V長さ = 9.5mm幅 = 5.3mm高さ = 5.3mmピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 110Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
480 税込528
5日以内出荷

仕様出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 700mAパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正ロードレギュレーション = 100 mVMC78M00 / MC78M00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC78M00 / MC78M00A リニア電圧レギュレータは、内部電流制限、サーマルシャットダウン、及び出力トランジスタ安全動作領域保護機能を組み合わせた堅牢なデバイスです。 ローカル、オンカード電圧調整などさまざまな用途で使用できます。 5 V、8 V、12 V、15 V、18 V、20 V、24 Vのモデルを用意しています。いずれも出力電流は最大500 mAで、最適なヒートシンクが搭載されています。. 鉛フリーパッケージを用意 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
124 税込136
当日出荷







仕様標準ツェナー電圧 = 5.1V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 49mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,230 税込1,353
当日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 175mA最大ツェナーインピーダンス = 1Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -60 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,250 税込1,375
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 30mA最大ツェナーインピーダンス = 160Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
575 税込633
当日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 4.56mm幅 = 1.91mm高さ = 1.91mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
470 税込517
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 50mA最大ツェナーインピーダンス = 6Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
308 税込339
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 21.2V最小ブレークダウン電圧 = 14.3V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 12.8Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 28A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃最大逆漏れ電流 = 5μATVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor
1袋(5個)
300 税込330
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2250 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
367 税込404
5日以内出荷