オンセミ, ショットキーバリアダイオード, 1A, 40V, 2-Pin DO-214AC (SMA)ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV長さ = 4.75mm幅 = 2.95mm高さ = 2.2mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, スイッチングダイオード, 200mA, 75V, 2-Pin SOD-323ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 75V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 1.7mm幅 = 1.25mm高さ = 0.9mmピーク逆回復時間 = 6ns動作温度 Min = -55 ℃メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ショットキーバリアダイオード, 10A, 45V, 2-Pin TO-220ACON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mm動作温度 Max = +175 ℃メーカー品番がNSV-又はSBR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、10 A → 25 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 60 V, 15 A, 3-Pin TO-204ON SEMICONDUCTOR当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-204実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 115 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 2.5 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 双方向 TVSダイオード, 600W, 21.2V, 2-Pin DO-15ON SEMICONDUCTOR当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 21.2V最小ブレークダウン電圧 = 14.3V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 12.8Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 28A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃最大逆漏れ電流 = 5μATVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor
ON Semiconductor 負電圧 3端子レギュレータ, 1A, -12 V 固定出力, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様出力電圧 = -12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負幅 = 4.82mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ, 1A, 5 V 固定出力, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)当日出荷
仕様出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正精度 = ±4%MC7805リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC7805ファミリリニア電圧レギュレータは、広範な用途で使用できる固定電圧レギュレータです。 この7805正電圧レギュレータは外部コンポーネントを必要とせず、内部サーマル過負荷保護及び電流制限、安全動作領域補償を統合しています。. 出力電圧: 5 V 内部の短絡電流制限 出力トランジスタ安全動作領域補償 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ, 700mA, 12 V 固定出力, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR当日出荷
仕様出力電圧 = 12 V出力電流 Max = 700mAパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正ロードレギュレーション = 240 mVMC78M00 / MC78M00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC78M00 / MC78M00A リニア電圧レギュレータは、内部電流制限、サーマルシャットダウン、及び出力トランジスタ安全動作領域保護機能を組み合わせた堅牢なデバイスです。 ローカル、オンカード電圧調整などさまざまな用途で使用できます。 5 V、8 V、12 V、15 V、18 V、20 V、24 Vのモデルを用意しています。いずれも出力電流は最大500 mAで、最適なヒートシンクが搭載されています。. 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 18V, 1 W, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 14mA最大ツェナーインピーダンス = 20Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2 Lmmパワー消費 = 1Wツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ ON Semiconductor FOD817B, トランジスタ出力, 4-PinON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 18μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms最大電流変換率 = 260%標準降下時間 = 18μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ショットキーバリアダイオード, 3A, 40V, 2-Pin DO-214AB (SMC)ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV長さ = 7.15mm幅 = 6.25mm高さ = 2.75mmピーク逆電流 = 20mAショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 20mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲート オンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm長さ = 5.2mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 9.1V, 1 W, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 28mA最大ツェナーインピーダンス = 5Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 6.2V, 500 mW, 2-Pin DO-35ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 4.56mm直径 = 1.91mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 3.9V, 500 mW, 2-Pin DO-35ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 23Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 4.56mm直径 = 1.91mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 12V, 1 W, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 21mA最大ツェナーインピーダンス = 9Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 15V, 1 W, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 17mA最大ツェナーインピーダンス = 14Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 負電圧 3端子レギュレータ, 1A, -12 V 固定出力, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様出力電圧 = -12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -40 V dcピン数 = 3パワーレーティング = 15W動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負幅 = 4.82mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 380 mA, 3 ピン パッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 380 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 420 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルパワーMOSFET、60 V、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 17V, 5 W, 2-Pin Surmetic 40ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 70mA最大ツェナーインピーダンス = 75Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ショットキーバリアダイオード, 2A, 30V, 2-Pin SOD-123ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 380mV長さ = 2.9mm幅 = 1.8mm高さ = 0.9mm動作温度 Max = +125 ℃メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、1 A → 2 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ショットキーバリアダイオード, 200mA, 30V, 2-Pin SOD-323ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 800mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、最大900 mA、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 800 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, スイッチングダイオード, 300mA, 75V, 2-Pin SOD-523,エレメント数 1, シングルON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ファストリカバリー 整流ダイオード, 1A, 200V, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 16V, 1 W, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 15mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 400 V, 4 A, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.83mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応