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BC32725TA ON Semiconductor PNP トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92
エコ商品
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
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￥249 税込￥274
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NDS7002A ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET， 60 V， 280 mA， 3 ピン パッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET， 60 V， 280 mA， 3 ピン パッケージSOT-23
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 280 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 300 mW寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥249 税込￥274
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NDS331N ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 1.3 A， 3 ピン パッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 1.3 A， 3 ピン パッケージSOT-23
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW動作温度 Max = +150 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥399 税込￥439
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NDS0610 ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 120 mA， 3 ピン パッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 120 mA， 3 ピン パッケージSOT-23
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 120 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW高さ = 0.93mm強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥849 税込￥934
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FQT7N10LTF ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 1.7 A， 3+Tab ピン パッケージSOT-223 QFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 1.7 A， 3+Tab ピン パッケージSOT-223 QFET シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 350 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2000 mWトランジスタ素材 = SiQFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥729 税込￥802
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FQD8P10TM ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 6.6 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 6.6 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 530 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 20 ns自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥729 税込￥802
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FQD12N20LTM ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 9 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) QFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 9 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) QFET シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW長さ = 6.6mmQFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥949 税込￥1,044
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FDV305N ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 900 mA， 3 ピン パッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 900 mA， 3 ピン パッケージSOT-23
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 900 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 220 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ素材 = SiPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
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￥479 税込￥527
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FDS9926A ON Semiconductor デュアル Nチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 6.5 A， 8 ピン パッケージSOIC ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor デュアル Nチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 6.5 A， 8 ピン パッケージSOIC
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 15 nsPowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上させるように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥589 税込￥648
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FDS9435A ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 5.3 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 5.3 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW寸法 = 5 x 4 x 1.5mmPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥920 税込￥1,012
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FDS8880 ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 11.6 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 11.6 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW寸法 = 5 x 4 x 1.5mmPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥679 税込￥747
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FDS8858CZ ON Semiconductor N+Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 7.3 A、8.6 A， 8 ピン パッケージSOIC ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor N+Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 7.3 A、8.6 A， 8 ピン パッケージSOIC
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 7.3 A、8.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ， 21 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、-20 V、+20 V、+25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1600 mW寸法 = 5 x 4 x 1.5mmPowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥949 税込￥1,044
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FDS6681Z ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 20 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 20 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW長さ = 5mmPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,998 税込￥2,198
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FDS6675BZ ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 11 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 11 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥819 税込￥901
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FDS6575 ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 10 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 10 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 196 nsPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,088 税込￥1,197
7日以内出荷
FDS4935BZ ON Semiconductor デュアル Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 6.9 A， 8 ピン パッケージSOIC ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor デュアル Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 6.9 A， 8 ピン パッケージSOIC
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1600 mW標準ターンオフ遅延時間 = 68 nsPowerTrench(R)デュアルPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,198 税込￥1,318
7日以内出荷
FDS4935A ON Semiconductor デュアル Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 7 A， 8 ピン パッケージSOIC ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor デュアル Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 7 A， 8 ピン パッケージSOIC
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 48 nsPowerTrench(R)デュアルPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥999 税込￥1,099
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FDS4685 ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 40 V， 8.2 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 40 V， 8.2 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 50 nsPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,198 税込￥1,318
7日以内出荷
FDS4435BZ ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 8.8 A， 8 ピン パッケージSOIC ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 8.8 A， 8 ピン パッケージSOIC
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エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW幅 = 4mm自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥739 税込￥813
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FDN360P ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 2 A， 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 2 A， 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW長さ = 2.92mmPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥449 税込￥494
翌々日出荷
FDN352AP ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 1.3 A， 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 1.3 A， 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 10 nsPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥589 税込￥648
7日以内出荷
FDN338P ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 1.6 A， 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 1.6 A， 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 10 nsPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥689 税込￥758
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FDN339AN ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 3 A， 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 3 A， 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 18 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
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￥499 税込￥549
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FDN335N ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 1.7 A， 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 1.7 A， 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 5 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥689 税込￥758
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FDB3632 ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 12 A， 3 ピン パッケージD2PAK (TO-263) ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 12 A， 3 ピン パッケージD2PAK (TO-263)
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 310000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 96 ns自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥569 税込￥626
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BSS123 ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 170 mA， 3 ピン パッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 170 mA， 3 ピン パッケージSOT-23
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 170 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW長さ = 2.92mmPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
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￥239 税込￥263
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MM74HC14MX ON Semiconductor 74 HCシリーズ ヘキサ CMOS インバータ(NOTゲート)， 5.2mA， 2～6 V， 14-Pin SOIC ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 74 HCシリーズ ヘキサ CMOS インバータ(NOTゲート)， 5.2mA， 2～6 V， 14-Pin SOIC
エコ商品
仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125 ns @ 2 V， 21 ns @ 6 V， 25 ns @ 4.5 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 5.2mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14ロジックファミリー = HC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作温度 Min = -55 ℃74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
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￥749 税込￥824
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MM74HC00MX ON Semiconductor 74 HCシリーズ ロジックゲート， 5.2mA， 2～6 V， 14-Pin SOIC 2-入力 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 74 HCシリーズ ロジックゲート， 5.2mA， 2～6 V， 14-Pin SOIC 2-入力
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仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOICピン数 = 14ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 6 V， 18 ns @ 4.5 V， 90 ns @ 2 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥579 税込￥637
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LL4148 オンセミ， 整流ダイオード， 200mA， 100V， 2-Pin SOD-80 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， 整流ダイオード， 200mA， 100V， 2-Pin SOD-80
エコ商品
仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 3.6mm幅 = 1.5mm高さ = 1.5mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
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￥78 税込￥86
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FDLL4148 オンセミ， 整流ダイオード， 300mA， 100V， 2-Pin SOD-80 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， 整流ダイオード， 300mA， 100V， 2-Pin SOD-80
エコ商品
仕様最大連続 順方向電流 = 300mA整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 3.6mm幅 = 1.5mm高さ = 1.5mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
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￥179 税込￥197
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ES2D オンセミ， 整流ダイオード， 2A， 200V， 2-Pin DO-214AA (SMB) ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， 整流ダイオード， 2A， 200V， 2-Pin DO-214AA (SMB)
エコ商品
仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 900mV長さ = 4.75mm幅 = 3.95mm高さ = 2.45mmピーク逆回復時間 = 20nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥499 税込￥549
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DF08S ON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A， 800V， 4-Pin SDIP ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A， 800V， 4-Pin SDIP
エコ商品
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 8.51mm幅 = 6.5mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥559 税込￥615
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MBR150RLG オンセミ， ショットキーバリアダイオード， 1A， 50V， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ショットキーバリアダイオード， 1A， 50V， 2-Pin DO-41
エコ商品
仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 50V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 5.2mm幅 = 2.7mm高さ = 2.7mm動作温度 Min = -65 ℃メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、1 A → 2 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥439 税込￥483
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MMSZ16T1G オンセミ， ツェナーダイオード， 16V， 500 mW， 2-Pin SOD-123 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ツェナーダイオード， 16V， 500 mW， 2-Pin SOD-123
エコ商品
仕様標準ツェナー電圧 = 16V実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 40Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 2.69mm寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm動作温度 Min = -55 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥429 税込￥472
7日以内出荷
MMBF4391LT1G ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 30 V， 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 30 V， 3-Pin SOT-23
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 50 → 150mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 30Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm長さ = 2.9mmNチャンネルJFET、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥399 税込￥439
7日以内出荷
MMSZ5252BT1G オンセミ， ツェナーダイオード， 24V， 500 mW， 2-Pin SOD-123 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ツェナーダイオード， 24V， 500 mW， 2-Pin SOD-123
エコ商品
仕様標準ツェナー電圧 = 24V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5.2mA最大ツェナーインピーダンス = 33Ω最大逆漏れ電流 = 100nA長さ = 2.69mm寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm動作温度 Min = -55 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥229 税込￥252
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MMSZ5239BT1G オンセミ， ツェナーダイオード， 9.1V， 500 mW， 2-Pin SOD-123 ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ツェナーダイオード， 9.1V， 500 mW， 2-Pin SOD-123
エコ商品
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 2.69mm寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm幅 = 1.6mmツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥229 税込￥252
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MBR1045G オンセミ， ショットキーバリアダイオード， 10A， 45V， 2-Pin TO-220AC ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ショットキーバリアダイオード， 10A， 45V， 2-Pin TO-220AC
エコ商品
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mm動作温度 Max = +175 ℃メーカー品番がNSV-又はSBR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、10 A → 25 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,298 税込￥1,428
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MBR1645G オンセミ， ショットキーバリアダイオード， 16A， 45V， 2-Pin TO-220AC ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， ショットキーバリアダイオード， 16A， 45V， 2-Pin TO-220AC
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 630mV長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mm動作温度 Min = -65 ℃メーカー品番がNSV-又はSBR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、10 A → 25 A、ON Semiconductor
1袋(5個)
￥699 税込￥769
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MRA4003T3G オンセミ， 標準回復 整流ダイオード， 1A， 300V， 2-Pin DO-214AC (SMA) ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTORオンセミ， 標準回復 整流ダイオード， 1A， 300V， 2-Pin DO-214AC (SMA)
エコ商品
仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 300V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.18V長さ = 4.32mm幅 = 2.6mm高さ = 2mm動作温度 Min = -55 ℃メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥1,698 税込￥1,868
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