「ダイオード」の検索結果

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

電圧範囲 = 5.25 V。許容入力 = 225 mW。長さ = 3.1mm。奥行き = 1mm。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1 mm。ESD保護付きEMIフィルタ、ON Semiconductor

チャンネル数 = 1。最大光電流 = 1100μA。最大暗電流 = 100nA。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = 表面実装。寸法 = 1.7 x 0.8 x 0.6mm。感度スペクトルレンジ = 最大630 nmnm。高さ = 0.6mm。チップLEDフォトトランジスタ光検出器、KDT00030. 人間の目に近いスペクトル応答 幅広い照明範囲、優れた出力線形性 小型筐体: 1.7 x 0.8 mm 低プロファイル: 0.6 mm フィルタ技術を用いたフォトトランジスタ

ピーク感度波長 = 880nm。パッケージタイプ = T-1 3/4。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 700nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 5ns。長さ = 4.95mm。高さ = 8.77mm。直径 = 6.1mm。標準上昇時間 = 5ns。QSD2030F PINフォトダイオード. Fairchild SemiconductorのQSD2030Fは、プラスチックシリコンPINフォトダイオードです。 標準の5 mm(T-1 3/4)スルーホールパッケージに収められています。 QSD2030Fは、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタを備えた黒色のエポキシ製パッケージに収納されています。. QSD2030Fフォトダイオードの特長: PINフォトダイオード 5 mm(T-1 3/4)パッケージ 広いレセプション角度: 40° 昼光フィルタ 高感度 波長: 880 nm 検出面積: 1.245 x 1.245 mm

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = PLCC 2L。増幅機能 = なし。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 400nm。最大検出波長 = 1100nm。長さ = 4.5mm。幅 = 4mm。高さ = 1.2mm。QSB34 PINフォトダイオード. Fairchild Semiconductor QSB34シリーズのシリコンPINフォトダイオードファミリです。 上取り付け又は下取り付けの表面実装(SMD)パッケージ入りです。 QSB34フォトダイオードには、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタ付き又はなしのものがあります。. QSB34の特長: QSB34GR / QSB34ZR / QSB34CGR / QSB34CZR 高速PINフォトダイオード レセプション角度: 120 ° 検出面積: 2.55 x 2.55 mm チップ寸法: 3 x 3 mm 高感度 低静電容量

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 8μs。標準上昇時間 = 8μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = 25°。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 側方監視。寸法 = 4.44 x 2.54 x 5.08mm。コレクター電流 = 1.50mA。感度スペクトルレンジ = 880 nmnm。幅 = 2.54mm。QSE113 / QSE114シリーズ赤外線フォトトランジスタ. Fairchild SemiconductorのQSE113 / QSE114シリーズには、シリコン赤外線フォトトランジスタが各種揃っています。 各製品は、サイドルッキング(SL)スルーホールパッケージに収められています。 各製品の黒色のプラスチックパッケージは、広角で赤外線を透過します。. QSE113 / QSE114赤外線フォトトランジスタの特長: NPNシリコン赤外線フォトトランジスタ パッケージタイプ: 側方監視 中幅レセプション角度: 50° パッケージの材質と色: 黒エポキシ 昼光フィルタ 高感度 動作温度: -40 → +100 ℃

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 7μs。標準上昇時間 = 7μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = ±12°。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = T-1 3/4。寸法 = 6.1 Dia. x 8.77mm。コレクター電流 = 39mA。感度スペクトルレンジ = 880 nmnm。コレクタエミッタ電圧 = 30V。QSD122 、 QSD123 、 QSD124 は、赤外線透明、黒色 T-1 3/4 パッケージに収められたシリコンフォトトランジスタです。NPNシリコンフォトトランジスタ パッケージタイプ： T-1 3/4 ノッチ付きエミッタ： QED12X/QED22X/QED23X 狭い受信角度： 24 ° C 昼光フィルタ パッケージの材質と色: 黒エポキシ 高感度 用途: この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 50μs。標準上昇時間 = 10μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 100nA。ピン数 = 4。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = Custom 4L。寸法 = 4.39 x 6.1 x 4.65mm。コレクター電流 = 1 (Minimum)mA。感度スペクトルレンジ = 940 nmnm。幅 = 6.1mm

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 7μs。標準上昇時間 = 7μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = ±12°。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = T-1 3/4。寸法 = 6.1 Dia. x 8.77mm。コレクター電流 = 16mA。感度スペクトルレンジ = 880 nmnm。飽和電圧 = 0.4V。QSD122 、 QSD123 、 QSD124 は、赤外線透明、黒色 T-1 3/4 パッケージに収められたシリコンフォトトランジスタです。NPNシリコンフォトトランジスタ パッケージタイプ： T-1 3/4 ノッチ付きエミッタ： QED12X/QED22X/QED23X 狭い受信角度： 24 ° C 昼光フィルタ パッケージの材質と色: 黒エポキシ 高感度 用途: この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ショットキーダイオードは、主に高効率 UHF / VHF 検出器用途向けに設計されています。他の多くの高速スイッチング RF 及びデジタル用途に容易に適応できます。ショットキーダイオードは、低コスト、大容量、産業 / 商業要件向けの安価なプラスチックパッケージに収められています。少数キャリアの寿命が極めて低い 非常に低い静電容量 低い逆漏洩電流 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 25.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 38V。最小ブレークダウン電圧 = 25.65V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 40W。最大ピークパルス電流 = 1A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm

ダイオード構成 シングル。1チップ当たりのエレメント数 1。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。ピン数 2V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 21V。最小ブレークダウン電圧 = 14.25V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 24W。最大ピークパルス電流 = 1.9A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。自動車規格 = AEC-Q101mm。TVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩

ダイオード構成 = コモンカソード。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 2.9mm。幅 = 1.3mm。高さ = 0.94mm。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

ダイオード構成 シングル。1チップ当たりのエレメント数 1。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。ピン数 2V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

ダイオード構成 = コモンアノード。最大クランピング電圧 = 10V。最小ブレークダウン電圧 = 5.5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = U-DFN3310。ピン数 = 8。最大ピークパルス電流 = 8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3.3 x 1 x 0.5mm。幅 = 1mm。ESD保護用過渡電圧サプレッサダイオード、ESDシリーズ. 電圧に敏感なコンポーネントをESD (静電気放電)から保護するように設計されています。 優れたクランプ機能、低リーク、高速レスポンスにより、ESDに晒される製品としては、クラス内最高の保護機能を実現します。

ダイオード構成 = コモンカソード。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-41。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。高さ = 9.5mm。直径 = 5.3mm。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-201AD。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。高さ = 9.5mm。寸法 = 5.3 (Dia.) x 9.5mm。直径 = 5.3mm。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A