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エコロジープロダクト
ウェハーケース 帯電防止タイプ SL-WSBシリーズセレン￥11,980～税込￥13,178～
1個
翌々日出荷から12日以内出荷
リング付きのウェハーの収納用です。帯電防止タイプです。
材質PP収納数25枚
ウェハーキャリア CWCシリーズアズワン￥4,350税込￥4,785
1個
翌々日出荷
保管・移動時に便利です。CWC-2Pはフタ付き、CWC-4Pはケース付きですので、一時的な保管や移動時に便利で、試料を安心して保管できます。ケースは半透明で内部の観察も容易です。保管・移動時に便利。SCC洗浄品は超純水洗浄加工(16mΩ以上)を施し、クラス100の高清純度下で無塵パックしています。
仕様●SCC：表面を超純水で洗浄処理しクリーンパックされた商品●適用：4インチ25枚用●SCC洗浄品材質PP寸法(mm)147×163×120アズワン品番2-933-02-77
単結晶基板クリスタルベース￥51,980税込￥57,178
1箱(5枚)
6日以内出荷
汎用的な成膜用基板として使用されています。
仕様●サイズ：Φ2inch×0．43mm●方位：C(0001)●研磨：片面鏡面●方位精度：(0001)±0．5°●面内方位：[11-20] オリフラ付アズワン品番68-0982-55
![8×8mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono05087261-241204-02.jpg)
8×8mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥16,200～税込￥17,820～
1箱(20枚)ほか
16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
50×50mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥36,100～税込￥39,710～
1箱(20枚)ほか
16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：50×50●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
40×40mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥33,200～税込￥36,520～
1箱(20枚)ほか
16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：40×40●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
30×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥30,400～税込￥33,440～
1箱(20枚)ほか
4日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：30×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
25×35mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥24,100～税込￥26,510～
1箱(20枚)ほか
16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：25×35●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
20×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥24,100～税込￥26,510～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：20×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
15×15mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥19,600～税込￥21,560～
1箱(20枚)ほか
4日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：15×15●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
10×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥19,600～税込￥21,560～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：10×20●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
10×10mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥17,900～税込￥19,690～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
溶融石英ガラス 500μm 両面ポリッシュ 研究用アズワン￥65,800～税込￥72,380～
1箱(40枚)ほか
17日以内出荷
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
溶融石英ガラス 1000μm 両面ポリッシュ 研究用アズワン￥65,800～税込￥72,380～
1箱(40枚)ほか
17日以内出荷
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
合成石英ガラス 500μm 両面ポリッシュ 研究用アズワン￥67,700～税込￥74,470～
1箱(20枚)ほか
17日以内出荷から18日以内出荷
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
合成石英ガラス 1000μm 両面ポリッシュ 研究用アズワン￥67,700～税込￥74,470～
1箱(20枚)ほか
17日以内出荷
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究用高純度シリコンウェハー 0.5インチ両面ミラー 40枚入アズワン￥509,000税込￥559,900
1箱(40枚)
10日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
3インチ石英ウェハ 両面ポリッシュ研究用 25枚入アズワン￥120,000～税込￥132,000～
1箱(25枚)
当日出荷から32日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
![8インチ熱酸化膜+Poly-Si LP-CVD 膜付きウェーハ 熱酸化膜100nm ±10% 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono02447019-241206-02.jpg)
8インチ熱酸化膜+Poly-Si LP-CVD 膜付きウェーハ 熱酸化膜100nm ±10% 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥705,000～税込￥775,500～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8インチLP-TEOS テオス LP-CVD 膜付きウェーハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥582,000～税込￥640,200～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8インチ P-SION PE-CVD 膜付きウェーハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥529,000～税込￥581,900～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8インチ PE-TEOS PE-CVD 膜付きウェーハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥429,000～税込￥471,900～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
12インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]両面ミラーDF品 25枚入アズワン￥269,000～税込￥295,900～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
6インチ JEIDA 熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥136,000～税込￥149,600～
1箱(25枚)
30日以内出荷から62日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
5インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥136,000～税込￥149,600～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
3インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥104,000～税込￥114,400～
1箱(25枚)
17日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
2インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥98,000～税込￥107,800～
1箱(25枚)
17日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
4インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥111,000～税込￥122,100～
1箱(25枚)
17日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8mm×8mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥11,020～税込￥12,122～
1箱(20枚)ほか
14日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
25mm×35mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥16,480～税込￥18,128～
1箱(20枚)ほか
14日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
20mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥16,480～税込￥18,128～
1箱(20枚)ほか
14日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
15mm×15mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥13,360～税込￥14,696～
1箱(20枚)ほか
4日以内出荷から5日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
10mm×20mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥13,360～税込￥14,696～
1箱(20枚)ほか
4日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N プロダクショングレードTanKeBlue￥159,800税込￥175,780
1枚
5日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード： プロダクション●直径： 149.5mm～ 150.0mm (6インチ)●厚さ： 350 μm±25 μm●オフ角度： ＜11-20 ＞に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 2 個/cm-2 以下●比抵抗値： 0.015～0.024Ω-cm●オリフラ： {10-10} ±5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE)： ウェハ端から3mm●反り： LTV≦2.5μm、TTV≦6μm、BOW≦25μm、WARP≦35 μm●表面仕上げ： 両面CMP (Si面 Ra≦0.2 nm)●エッジクラック： 無●結晶多形： 無●エッジチッピング： 幅かつ長さ0.2mm以上のものは無●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-75
単結晶SiCウェハ 4インチ・4H-半絶縁 ZMPグレード/プライムグレードTanKeBlue￥239,800税込￥263,780
1枚
5日以内出荷
高品質の単結晶SiC半絶縁ウェハ
仕様●ポリタイプ： 4H-SiC●サイズ： Φ4inch(99.5-100mm)●グレード： ZMP(プライムグレード相当)●厚さ： 500 μm +- 25μm●オフ角： ＜0001＞ on-axis +/-0.5°●オリフラ付： {10-10}に平行して+/-0.5°●長さ：32.5 +/- 2mm●マイクロパイプ密度： 1個以下/cm2●比抵抗値： ≧1E 10 Ω・cm●仕上げ： Si面→CMP、C面→ 光学鏡面●梱包：シングルケースアズワン品番68-4088-74
単結晶SiCアズスライスウエハ 6インチ・4H-N ダミーグレードTanKeBlue￥95,980税込￥105,578
1枚
6日以内出荷
高品質の単結晶SiCアズスライスウエハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード： ダミーグレード●直径： 149.5mm～ 150.0mm (6インチ)●厚さ： 450 μm±15 μm●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-76
単結晶SiCウェハ 8インチ・4H-N ダミーグレードIV-SemiteC￥949,800税込￥1,044,780
1枚
5日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型： Nタイプ●グレード： ダミー●直径： 200.0mm ± 0.2mm (8インチ)●厚さ： 500 μm±25 μm●オフ角度： [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 10 個/cm-2 以下●比抵抗値： 0.015～0.028Ω-cm (75%面積)●ノッチ方位： [1-100]±5.0°、深さ 1.0～1.5mm●面方位： {0001}± 0.2°●反り： LTV≦10μm(10*10mm2)、TTV≦15 μm、BOW≦65μm、WARP≦70 μm●表面仕上げ： 両面CMP、Si面Epi Ready (Si面 Ra≦0.5 nm)●エッジクラック： N/A●結晶多形： 累積面積≦5%●エッジチッピング： N/A●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-78
![木製クリップ アーテック[学校教材・教育玩具]](https://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/middle/mono71700198-260129-02.jpg "木製クリップ アーテック[学校教材・教育玩具]")
