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  • 8mm×8mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン

    8mm×8mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板

    アズワン
    11,020税込12,122
    1箱(20枚)ほか
    14日以内出荷から15日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 25mm×35mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン

    25mm×35mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板

    アズワン
    16,480税込18,128
    1箱(20枚)ほか
    14日以内出荷から15日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 20mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン

    20mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板

    アズワン
    16,480税込18,128
    1箱(20枚)ほか
    14日以内出荷から15日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 20mm×20mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン

    20mm×20mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板

    アズワン
    14,529税込15,982
    1箱(20枚)ほか
    当日出荷から5日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
    寸法(mm)20×20抵抗≦0(低抵抗)方位【面】100ウェハー厚(μm)300~1000
  • 単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N プロダクショングレード TanKeBlue

    単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N プロダクショングレード

    TanKeBlue
    159,800税込175,780
    1枚
    5日以内出荷
    高品質の単結晶SiCウェハ
    仕様●結晶タイプ: 4H-SiC●導電型/ドーパント: Nタイプ、窒素●グレード: プロダクション●直径: 149.5mm~ 150.0mm (6インチ)●厚さ: 350 μm±25 μm●オフ角度: <11-20 >に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD): 2 個/cm-2 以下●比抵抗値: 0.015~0.024Ω-cm●オリフラ: {10-10} ±5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE): ウェハ端から3mm●反り: LTV≦2.5μm、TTV≦6μm、BOW≦25μm、WARP≦35 μm●表面仕上げ: 両面CMP (Si面 Ra≦0.2 nm)●エッジクラック: 無●結晶多形: 無●エッジチッピング: 幅かつ長さ0.2mm以上のものは無●レーザーマーク: C面(裏面)側に有り●梱包形態: シングルウエハケースに1枚毎に梱包材質炭化ケイ素グレードプロダクション仕上CMPアズワン品番68-4088-75研磨内容両面CMP
  • 単結晶SiCアズスライスウエハ 6インチ・4H-N ダミーグレード TanKeBlue

    単結晶SiCアズスライスウエハ 6インチ・4H-N ダミーグレード

    TanKeBlue
    95,980税込105,578
    1枚
    6日以内出荷
    高品質の単結晶SiCアズスライスウエハ
    仕様●結晶タイプ: 4H-SiC●導電型/ドーパント: Nタイプ、窒素●グレード: ダミーグレード●直径: 149.5mm~ 150.0mm (6インチ)●厚さ: 450 μm±15 μm●レーザーマーク: C面(裏面)側に有り●梱包形態: シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-76
  • 単結晶SiCウェハ 8インチ・4H-N ダミーグレード IV-SemiteC

    単結晶SiCウェハ 8インチ・4H-N ダミーグレード

    IV-SemiteC
    949,800税込1,044,780
    1枚
    5日以内出荷
    高品質の単結晶SiCウェハ
    仕様●結晶タイプ: 4H-SiC●導電型: Nタイプ●グレード: ダミー●直径: 200.0mm ± 0.2mm (8インチ)●厚さ: 500 μm±25 μm●オフ角度: [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD): 10 個/cm-2 以下●比抵抗値: 0.015~0.028Ω-cm (75%面積)●ノッチ方位: [1-100]±5.0°、深さ 1.0~1.5mm●面方位: {0001}± 0.2°●反り: LTV≦10μm(10*10mm2)、TTV≦15 μm、BOW≦65μm、WARP≦70 μm●表面仕上げ: 両面CMP、Si面Epi Ready (Si面 Ra≦0.5 nm)●エッジクラック: N/A●結晶多形: 累積面積≦5%●エッジチッピング: N/A●レーザーマーク: C面(裏面)側に有り●梱包形態: シングルウエハケースに1枚毎に梱包材質炭化ケイ素グレードダミー仕上CMPアズワン品番68-4088-78
  • 単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N ダミーグレード IV-SemiteC

    単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N ダミーグレード

    IV-SemiteC
    119,800税込131,780
    1枚
    6日以内出荷
    高品質の単結晶SiCウェハ
    仕様●結晶タイプ: 4H-SiC●導電型/ドーパント: Nタイプ、窒素●グレード:ダミーグレード●直径: 150.0mm± 0.2mm (6インチ)●厚さ: 350 μm±25 μm●オフ角度: [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD): 2 個/cm2 以下●比抵抗値: 0.015~0.028Ω-cm●オリフラ: // [11-20] ± 5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE): ウェハ端から3mm●反り: LTV≦5μm、TTV≦15 μm、BOW≦40μm、WARP≦60 μm●表面仕上げ: 両面CMP、Si面Epi-ready (Si面Ra≦0.2 nm、C面Ra≦0.5 nm)●エッジクラック: N/A●結晶多形: 累積面積≦5%●エッジチッピング: 2 個以下、各々1mm 以内●XRD半値幅: ≦60 arcsec●表面パーティクル: 0.3μm ≦30個●表面金属不純物: Al/Cr/Fe/Ni/Cu/Zn/pb/V/Mn/NA/Ca/K/Mg≦5E10atoms●レーザーマーク: C面(裏面)側に有り●梱包形態: シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-73
  • 8インチ石英ウェハ 両面ポリッシュ研究用 25枚入 アズワン

    8インチ石英ウェハ 両面ポリッシュ研究用 25枚入

    アズワン
    181,000税込199,100
    1箱(10枚)ほか
    36日以内出荷から42日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 8インチSICウェハ 研究用 アズワン

    8インチSICウェハ 研究用

    アズワン
    343,400税込377,740
    1箱(1枚)
    4日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
    仕様●グレード:ダミーグレード●タイプ:4H●Surface orientation error:<11-20>4±0.5 °●ドーパント:N型 Nitrogen●抵抗率:0.015~0.025 ohm・cm●直径:200.0±0.2mm●厚み:500±25 μm●主要ノッチ方位:[1-100]±5 °●主要ノッチ深さ:1-1.5 mm●セカンドオリフラ:None●LTV:≦10(10mm×10mm)μm●TTV:≦15μm●Bow:0±65μm●Warp:≦70μm●(AFM)Front(Si-face)Roughness:Ra≦0.2 nm●マイクロパイプ:≦50ea/cm●金属不純物:NA●TED:NA●BPD:NA●TSD:NA●<表面状態>●フロントサイド:Si●面状態:Si-face CMP●パーティークル:NA●スクラッチ:NA●<裏面状態>●面状態:C-face polished●スクラッチ:NA ea/mm●裏面粗さ:Ra≦5 nm●レーザーマーク:On●エッジ:Chamfer●Notes:"NA" =不問。Items not metioned may refer to SEMI-STD●数量:1枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。アズワン品番67-3018-45
  • 6インチ石英ウェハ 両面ポリッシュ研究用 25枚入 アズワン

    6インチ石英ウェハ 両面ポリッシュ研究用 25枚入

    アズワン
    145,250税込159,775
    1箱(25枚)
    32日以内出荷から42日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 6インチLN/LTウェハ 研究用 アズワン

    6インチLN/LTウェハ 研究用

    アズワン
    45,600税込50,160
    1枚ほか
    25日以内出荷から27日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
    仕様●6インチLNウェハ●結晶方位:Y127°●厚み:350±25μm●面状態:両面ポリッシュ●数量:1枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
  • 6インチ JEIDA シリコンウェハ 研究用 100 アズワン

    6インチ JEIDA シリコンウェハ 研究用 100

    アズワン
    47,350税込52,085
    1箱(1枚)ほか
    当日出荷から33日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 5インチシリコンウェハ 研究用 アズワン

    5インチシリコンウェハ 研究用

    アズワン
    42,800税込47,080
    1箱(1枚)ほか
    27日以内出荷から33日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 4インチ石英ウェハ 両面ポリッシュ研究用 25枚入 アズワン

    4インチ石英ウェハ 両面ポリッシュ研究用 25枚入

    アズワン
    101,400税込111,540
    1箱(25枚)
    29日以内出荷から42日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 4インチシリコンウェハ 研究用 アズワン

    4インチシリコンウェハ 研究用

    アズワン
    26,980税込29,678
    1箱(5枚)ほか
    当日出荷から28日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
    長さ(mm)【OF】32.5±2.5サイズ4インチシリコンウェハ直径(Φmm)100±0.2位置【OF】110
  • 4インチLN/LTウェハ 研究用 アズワン

    4インチLN/LTウェハ 研究用

    アズワン
    33,600税込36,960
    1枚ほか
    27日以内出荷から30日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 3インチLN/LTウェハ 研究用 アズワン

    3インチLN/LTウェハ 研究用

    アズワン
    32,300税込35,530
    1枚ほか
    26日以内出荷から28日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 2インチINPウェハ 研究用[S-C-N/S 100 ]片面ポリッシュ アズワン

    2インチINPウェハ 研究用[S-C-N/S 100 ]片面ポリッシュ

    アズワン
    1箱(1枚)ほか
    欠品中
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 12インチシリコンウェハ 研究用 100 両面ミラーDF品 アズワン

    12インチシリコンウェハ 研究用 100 両面ミラーDF品

    アズワン
    78,600税込86,460
    1箱(1枚)ほか
    4日以内出荷から32日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 洗浄用キャリア オールテフロン製 STFシリーズ MSAファクトリー

    洗浄用キャリア オールテフロン製 STFシリーズ

    MSAファクトリー
    46,980税込51,678
    1台
    5日以内出荷から43日以内出荷
    オールテフロン製品なので、耐薬品性に優れています。
    材質PTFE
  • 単結晶基板 LSAT基板 片面鏡面 方位 100 10×10×0.5mm 1枚 クリスタルベース

    単結晶基板 LSAT基板 片面鏡面 方位 100 10×10×0.5mm 1枚

    クリスタルベース
    58,980税込64,878
    1枚
    6日以内出荷
    超電導体薄膜基板として使用されています。
    寸法(mm)10×10×0.5アズワン品番66-0002-99方位-100研磨片面鏡面
  • 単結晶基板 クリスタルベース

    単結晶基板

    クリスタルベース
    95,980税込105,578
    1箱(10枚)
    5日以内出荷
    汎用的な成膜用基板として使用されています。
    サイズΦ2inch×0.43mm精度方位:(0001)±0.5°アズワン品番3-4953-67方位C(0001)、面内:[11-20] オリフラ付研磨片面鏡面
  • 単結晶基板 天然マイカ基板(V-1グレード) クリスタルベース

    単結晶基板 天然マイカ基板(V-1グレード)

    クリスタルベース
    34,980税込38,478
    1箱(10枚)ほか
    6日以内出荷
    天然白雲母です。成膜用基板やAFM観察用などに使用されています。最高グレードです。 透明度が高く、結晶性が良好、平坦度も高いため、AFM(原子間力顕微鏡)やSPM(走査型プローブ顕微鏡)の観察試料として適しています。
  • 単結晶基板 天然マイカ基板(V-1グレード) クリスタルベース

    単結晶基板 天然マイカ基板(V-1グレード)

    クリスタルベース
    129,800税込142,780
    1箱(50枚)
    6日以内出荷
    天然白雲母です。成膜用基板やAFM観察用などに使用されています。最高グレードです。 透明度が高く、結晶性が良好、平坦度も高いため、AFM(原子間力顕微鏡)やSPM(走査型プローブ顕微鏡)の観察試料として適しています。
    仕様●仕様:天然マイカ基板●サイズ:20×20×0.15mm●グレード:V-1グレード●研磨:劈開●入数:1箱(50枚入)材質白雲母厚さ(mm)ウェハー:0.15グレードV-1アズワン品番65-8866-98
  • 単結晶基板 天然マイカ基板(V-1グレード) クリスタルベース

    単結晶基板 天然マイカ基板(V-1グレード)

    クリスタルベース
    29,980税込32,978
    1箱(10枚)
    6日以内出荷
    天然白雲母です。成膜用基板やAFM観察用などに使用されています。最高グレードです。 透明度が高く、結晶性が良好、平坦度も高いため、AFM(原子間力顕微鏡)やSPM(走査型プローブ顕微鏡)の観察試料として適しています。
    仕様●仕様:天然マイカ基板●サイズ:15×15×0.15mm●グレード:V-1グレード●研磨:劈開●入数:1箱(10枚入)アズワン品番65-8866-95
  • 単結晶基板 天然マイカ基板(V-1グレード) クリスタルベース

    単結晶基板 天然マイカ基板(V-1グレード)

    クリスタルベース
    34,980税込38,478
    1箱(10枚)
    5日以内出荷から6日以内出荷
    。天然白雲母です。成膜用基板やAFM観察用などに使用されています。最高グレードです。 透明度が高く、結晶性が良好、平坦度も高いため、AFM(原子間力顕微鏡)やSPM(走査型プローブ顕微鏡)の観察試料として適しています。
  • 3インチ シリコンウエハー P型(100) グローバル・トップ・ケミカル

    3インチ シリコンウエハー P型(100)

    グローバル・トップ・ケミカル
    68,980税込75,878
    1箱(25枚)
    8日以内出荷
    装置テスト用(成膜・レジスト・フォトリソ・エッチングの条件出し評価、パーティクル測定、搬送評価など)
    用途装置テスト用、ダミー(モニター用)仕様パーティクル:0.3μm≦20、導電型:P型、製造:CZサイズ3インチ直径(Φmm)76±0.5厚さ(μm)380±25仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ抵抗値≧1Ωcm方位面:100
  • 4インチ シリコンウエハー ノンドープ(100) 抵抗値  1000Ω グローバル・トップ・ケミカル

    4インチ シリコンウエハー ノンドープ(100) 抵抗値 1000Ω

    グローバル・トップ・ケミカル
    189,800税込208,780
    1箱(25枚)
    15日以内出荷
    装置テスト用(成膜・レジスト・フォトリソ・エッチングの条件出し評価、パーティクル測定、搬送評価など)
    用途装置テスト用、ダミー(モニター用)仕様パーティクル:0.3μm≦10、導電型:ノンドープ、製造:FZ材質シリコンサイズ4インチ直径(Φmm)100±0.5厚さ(μm)525±20仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ抵抗値≧1000Ωcm製造方法FZ法方位面:100
  • 12インチシリコンウェハ 研究用(100)両面ミラーDF品 アズワン

    12インチシリコンウェハ 研究用(100)両面ミラーDF品

    アズワン
    193,000税込212,300
    1箱(1枚)ほか
    12日以内出荷から27日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 8インチシリコンウェハ 研究用(100) アズワン

    8インチシリコンウェハ 研究用(100)

    アズワン
    99,900税込109,890
    1箱(1枚)ほか
    4日以内出荷から27日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 6インチ(JEIDA)シリコンウェハ 研究用(100) アズワン

    6インチ(JEIDA)シリコンウェハ 研究用(100)

    アズワン
    52,100税込57,310
    1箱(1枚)ほか
    5日以内出荷から28日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 5インチシリコンウェハ 研究用 アズワン

    5インチシリコンウェハ 研究用

    アズワン
    47,100税込51,810
    1箱(1枚)ほか
    27日以内出荷から28日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 3インチシリコンウェハ 研究用 アズワン

    3インチシリコンウェハ 研究用

    アズワン
    55,100税込60,610
    1箱(10枚)ほか
    当日出荷から28日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 2インチシリコンウェハ 研究用 アズワン

    2インチシリコンウェハ 研究用

    アズワン
    34,526税込37,979
    1箱(5枚)ほか
    当日出荷から28日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 洗浄用キャリア(オールフッ素樹脂) STFシリーズ アズワン

    洗浄用キャリア(オールフッ素樹脂) STFシリーズ

    アズワン
    296,999税込326,699
    1個
    48日以内出荷
    仕様サイズ(mm):40×34×15/150 仕様:テフロン溶接タイプ 材質:本体・ハンドル/PFE、メッシュ/ETFE、ネジ/PTFE 適応ワークサイズ(mm):10角 適応ワーク厚み(mm):0.4~1.0 ワーク収納数:20枚収納数20枚アズワン品番3-7625-29
  • 12インチシリコンウェハ 研究用(100)両面ミラーDF品 アズワン

    12インチシリコンウェハ 研究用(100)両面ミラーDF品

    アズワン
    86,300税込94,930
    1箱(1枚)ほか
    15日以内出荷から27日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 5インチシリコンウェハ 研究用 アズワン

    5インチシリコンウェハ 研究用

    アズワン
    81,500税込89,650
    1箱(10枚)ほか
    27日以内出荷から28日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 6インチ(JEIDA)シリコンウェハ 研究用(100) アズワン

    6インチ(JEIDA)シリコンウェハ 研究用(100)

    アズワン
    52,100税込57,310
    1箱(1枚)ほか
    5日以内出荷から28日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
  • 6インチ(SEMI)シリコンウェハ 研究用(100) アズワン

    6インチ(SEMI)シリコンウェハ 研究用(100)

    アズワン
    50,700税込55,770
    1箱(1枚)ほか
    5日以内出荷から28日以内出荷
    研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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