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エコロジープロダクト
ウェハーキャリア CWCシリーズアズワン￥2,230税込￥2,453
1個
翌々日出荷
保管・移動時に便利です。CWC-2Pはフタ付き、CWC-4Pはケース付きですので、一時的な保管や移動時に便利で、試料を安心して保管できます。ケースは半透明で内部の観察も容易です。保管・移動時に便利。フタ付きですので、一時的な保管や移動時に便利で、試料を安心して保管できます。SCC洗浄品は超純水洗浄加工(16mΩ以上)を施し、クラス100の高清純度下で無塵パックしています。
仕様●SCC：表面を超純水で洗浄処理しクリーンパックされた商品●適用：2インチ25枚用●SCC洗浄品材質PP寸法(mm)62×160× 62アズワン品番2-933-01-77
RS PRO 帯電防止ケース 帯電防止：あり 導電性：ありRS PRO￥629税込￥692
1個
7日以内出荷
Corstatシリーズのコンポーネントボックスにより、静電気に弱い機器を簡単かつ安全に保管して輸送することができます。Corstat導電性コーティングによりファラデーケージ保護と、静電防止フォームによるESD安全クッション性を実現 幅広いサイズのパックを用意
仕様高さ = 25mm長さ = 60mm幅 = 60mmRoHS指令(10物質対応)対応
RS PRO 帯電防止ケース 帯電防止：あり 導電性：ありRS PRO￥999税込￥1,099
1個
7日以内出荷
Corstatシリーズのコンポーネントボックスにより、静電気に弱い機器を簡単かつ安全に保管して輸送することができます。Corstat導電性コーティングによりファラデーケージ保護と、静電防止フォームによるESD安全クッション性を実現 幅広いサイズのパックを用意
仕様高さ = 38mm長さ = 100mm幅 = 100mmRoHS指令(10物質対応)対応
RS PRO 帯電防止ケース 帯電防止：あり 導電性：ありRS PRO￥5,198税込￥5,718
1袋(5個)
7日以内出荷
ESD S20.20に対応、EN 61340-5-1 ESD管理プログラムに適合. 導電性収納容器. 1～6のサイズが用意されています。このRS導電性容器シリーズは、保管に関するニーズに対する柔軟なソリューションになります。 これらの容器は、帯電防止のカーボン導電性粒子 / 繊維を使用して設計・製造されています。 このプロセスによって、静電気に弱い部品を破損させる可能性が低い低帯電(帯電防止)容器を実現します。特長と利点: . EPA内の小型部品の収納に最適 . スタッキング可能、柔軟性の向上 . 省スペース . ルーバーパネルに簡単に取り付け、又は接地面に自立可能 . インデックスカード付属 . 衛生的で清潔で滑らかな内面によってグリスや埃の堆積から保護
仕様生地特性 = 帯電防止材質 = プラスチック高さ = 75mm長さ = 165mm幅 = 100mm併用可能製品 = キャビネット、シェルフ、 Topstore ルーバーパネル材質プラスチック
単結晶基板クリスタルベース￥51,980税込￥57,178
1箱(5枚)
6日以内出荷
汎用的な成膜用基板として使用されています。
仕様●サイズ：Φ2inch×0．43mm●方位：C(0001)●研磨：片面鏡面●方位精度：(0001)±0．5°●面内方位：[11-20] オリフラ付アズワン品番68-0982-55
![8×8mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono05087261-241204-02.jpg)
8×8mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥16,200～税込￥17,820～
1箱(20枚)ほか
16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
5×5mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥15,300～税込￥16,830～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から4日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
40×40mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥33,200～税込￥36,520～
1箱(20枚)ほか
16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：40×40●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
30×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥30,400～税込￥33,440～
1箱(20枚)ほか
4日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：30×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
25×35mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥24,100～税込￥26,510～
1箱(20枚)ほか
16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：25×35●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
20×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥24,100～税込￥26,510～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：20×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
15×15mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥19,600～税込￥21,560～
1箱(20枚)ほか
4日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：15×15●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
10×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥19,600～税込￥21,560～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：10×20●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
10×10mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥17,900～税込￥19,690～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
溶融石英ガラス 500μm 両面ポリッシュ 研究用アズワン￥65,800～税込￥72,380～
1箱(40枚)ほか
22日以内出荷
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
溶融石英ガラス 1000μm 両面ポリッシュ 研究用アズワン￥65,800～税込￥72,380～
1箱(40枚)ほか
22日以内出荷
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
合成石英ガラス 500μm 両面ポリッシュ 研究用アズワン￥67,700～税込￥74,470～
1箱(20枚)ほか
22日以内出荷から23日以内出荷
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究用高純度シリコンウェハー 0.5インチ両面ミラー 40枚入アズワン￥509,000税込￥559,900
1箱(40枚)
10日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
2インチ石英ウェハ 両面ポリッシュ研究用 25枚入アズワン￥116,000～税込￥127,600～
1箱(25枚)
42日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
![8インチ熱酸化膜+Poly-Si LP-CVD 膜付きウェーハ 熱酸化膜100nm ±10% 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono02447019-241206-02.jpg)
8インチ熱酸化膜+Poly-Si LP-CVD 膜付きウェーハ 熱酸化膜100nm ±10% 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥705,000～税込￥775,500～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8インチLP-TEOS テオス LP-CVD 膜付きウェーハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥582,000～税込￥640,200～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8インチ P-SION PE-CVD 膜付きウェーハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥529,000～税込￥581,900～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8インチ PE-TEOS PE-CVD 膜付きウェーハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥429,000～税込￥471,900～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
12インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]両面ミラーDF品 25枚入アズワン￥269,000～税込￥295,900～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
6インチ JEIDA 熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥136,000～税込￥149,600～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
5インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥136,000～税込￥149,600～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
3インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥104,000～税込￥114,400～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
2インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥98,000～税込￥107,800～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8mm×8mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥11,020～税込￥12,122～
1箱(20枚)ほか
14日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
40mm×40mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥22,720～税込￥24,992～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
25mm×35mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥16,480～税込￥18,128～
1箱(20枚)ほか
14日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
20mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥16,480～税込￥18,128～
1箱(20枚)ほか
14日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
10mm×20mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥13,360～税込￥14,696～
1箱(20枚)ほか
4日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N プロダクショングレードTanKeBlue￥159,800税込￥175,780
1枚
5日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード： プロダクション●直径： 149.5mm～ 150.0mm (6インチ)●厚さ： 350 μm±25 μm●オフ角度： ＜11-20 ＞に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 2 個/cm-2 以下●比抵抗値： 0.015～0.024Ω-cm●オリフラ： {10-10} ±5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE)： ウェハ端から3mm●反り： LTV≦2.5μm、TTV≦6μm、BOW≦25μm、WARP≦35 μm●表面仕上げ： 両面CMP (Si面 Ra≦0.2 nm)●エッジクラック： 無●結晶多形： 無●エッジチッピング： 幅かつ長さ0.2mm以上のものは無●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包材質炭化ケイ素グレードプロダクション仕上CMPアズワン品番68-4088-75研磨内容両面CMP
単結晶SiCウェハ 4インチ・4H-半絶縁 ZMPグレード/プライムグレードTanKeBlue￥239,800税込￥263,780
1枚
5日以内出荷
高品質の単結晶SiC半絶縁ウェハ
仕様●ポリタイプ： 4H-SiC●サイズ： Φ4inch(99.5-100mm)●グレード： ZMP(プライムグレード相当)●厚さ： 500 μm +- 25μm●オフ角： ＜0001＞ on-axis +/-0.5°●オリフラ付： {10-10}に平行して+/-0.5°●長さ：32.5 +/- 2mm●マイクロパイプ密度： 1個以下/cm2●比抵抗値： ≧1E 10 Ω・cm●仕上げ： Si面→CMP、C面→ 光学鏡面●梱包：シングルケース材質炭化ケイ素アズワン品番68-4088-74
単結晶SiCアズスライスウエハ 6インチ・4H-N ダミーグレードTanKeBlue￥95,980税込￥105,578
1枚
6日以内出荷
高品質の単結晶SiCアズスライスウエハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード： ダミーグレード●直径： 149.5mm～ 150.0mm (6インチ)●厚さ： 450 μm±15 μm●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-76
単結晶SiCウェハ 8インチ・4H-N ダミーグレードIV-SemiteC￥949,800税込￥1,044,780
1枚
5日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型： Nタイプ●グレード： ダミー●直径： 200.0mm ± 0.2mm (8インチ)●厚さ： 500 μm±25 μm●オフ角度： [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 10 個/cm-2 以下●比抵抗値： 0.015～0.028Ω-cm (75%面積)●ノッチ方位： [1-100]±5.0°、深さ 1.0～1.5mm●面方位： {0001}± 0.2°●反り： LTV≦10μm(10*10mm2)、TTV≦15 μm、BOW≦65μm、WARP≦70 μm●表面仕上げ： 両面CMP、Si面Epi Ready (Si面 Ra≦0.5 nm)●エッジクラック： N/A●結晶多形： 累積面積≦5%●エッジチッピング： N/A●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包材質炭化ケイ素グレードダミー仕上CMPアズワン品番68-4088-78
単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N ダミーグレードIV-SemiteC￥119,800税込￥131,780
1枚
6日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード：ダミーグレード●直径： 150.0mm± 0.2mm (6インチ)●厚さ： 350 μm±25 μm●オフ角度： [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 2 個/cm2 以下●比抵抗値： 0.015～0.028Ω-cm●オリフラ： // [11-20] ± 5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE)： ウェハ端から3mm●反り： LTV≦5μm、TTV≦15 μm、BOW≦40μm、WARP≦60 μm●表面仕上げ： 両面CMP、Si面Epi-ready (Si面Ra≦0.2 nm、C面Ra≦0.5 nm)●エッジクラック： N/A●結晶多形： 累積面積≦5%●エッジチッピング： 2 個以下、各々1mm 以内●XRD半値幅： ≦60 arcsec●表面パーティクル： 0.3μm ≦30個●表面金属不純物： Al/Cr/Fe/Ni/Cu/Zn/pb/V/Mn/NA/Ca/K/Mg≦5E10atoms●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-73
単結晶SiCアズスライスウエハ 4インチ・4H-N プロダクショングレードIV-SemiteC￥76,980税込￥84,678
1枚
6日以内出荷
高品質の単結晶SiCアズスライスウエハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード： プロダクショングレード●直径： 4インチ●厚さ： 480 μm±15 μm●オフ角度： ＜11-20 ＞に対して4°±0.5°●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-77
