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エコロジープロダクト
![30×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono05087261-241204-02.jpg)
30×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥30,400～税込￥33,440～
1箱(20枚)ほか
5日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：30×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
25×35mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥24,100～税込￥26,510～
1箱(20枚)ほか
16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：25×35●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
20×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥24,100～税込￥26,510～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：20×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
15×15mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥19,600～税込￥21,560～
1箱(20枚)ほか
5日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：15×15●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
10×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥19,600～税込￥21,560～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：10×20●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
10×10mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥17,900～税込￥19,690～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
溶融石英ガラス 500μm 両面ポリッシュ 研究用アズワン￥65,800～税込￥72,380～
1箱(40枚)ほか
22日以内出荷
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
溶融石英ガラス 1000μm 両面ポリッシュ 研究用アズワン￥65,800～税込￥72,380～
1箱(40枚)ほか
22日以内出荷
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
合成石英ガラス 500μm 両面ポリッシュ 研究用アズワン￥67,700～税込￥74,470～
1箱(20枚)ほか
22日以内出荷から23日以内出荷
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究用高純度シリコンウェハー 0.5インチ両面ミラー 40枚入アズワン￥509,000税込￥559,900
1箱(40枚)
10日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
2インチ石英ウェハ 両面ポリッシュ研究用 25枚入アズワン￥116,000～税込￥127,600～
1箱(25枚)
42日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
![8インチ熱酸化膜+Poly-Si LP-CVD 膜付きウェーハ 熱酸化膜100nm ±10% 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono02447019-241206-02.jpg)
8インチ熱酸化膜+Poly-Si LP-CVD 膜付きウェーハ 熱酸化膜100nm ±10% 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥705,000～税込￥775,500～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8インチLP-TEOS テオス LP-CVD 膜付きウェーハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥582,000～税込￥640,200～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8インチ P-SION PE-CVD 膜付きウェーハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥529,000～税込￥581,900～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8インチ PE-TEOS PE-CVD 膜付きウェーハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥429,000～税込￥471,900～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
12インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]両面ミラーDF品 25枚入アズワン￥269,000～税込￥295,900～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
6インチ JEIDA 熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥136,000～税込￥149,600～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
5インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥136,000～税込￥149,600～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
3インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥104,000～税込￥114,400～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
2インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥98,000～税込￥107,800～
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8mm×8mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥11,020～税込￥12,122～
1箱(20枚)ほか
14日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
40mm×40mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥22,720～税込￥24,992～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
25mm×35mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥16,480～税込￥18,128～
1箱(20枚)ほか
14日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
20mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥16,480～税込￥18,128～
1箱(20枚)ほか
14日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
10mm×20mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥13,360～税込￥14,696～
1箱(20枚)ほか
5日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N プロダクショングレードTanKeBlue￥159,800税込￥175,780
1枚
5日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード： プロダクション●直径： 149.5mm～ 150.0mm (6インチ)●厚さ： 350 μm±25 μm●オフ角度： ＜11-20 ＞に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 2 個/cm-2 以下●比抵抗値： 0.015～0.024Ω-cm●オリフラ： {10-10} ±5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE)： ウェハ端から3mm●反り： LTV≦2.5μm、TTV≦6μm、BOW≦25μm、WARP≦35 μm●表面仕上げ： 両面CMP (Si面 Ra≦0.2 nm)●エッジクラック： 無●結晶多形： 無●エッジチッピング： 幅かつ長さ0.2mm以上のものは無●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包材質炭化ケイ素グレードプロダクション仕上CMPアズワン品番68-4088-75研磨内容両面CMP
単結晶SiCウェハ 4インチ・4H-半絶縁 ZMPグレード/プライムグレードTanKeBlue￥239,800税込￥263,780
1枚
5日以内出荷
高品質の単結晶SiC半絶縁ウェハ
仕様●ポリタイプ： 4H-SiC●サイズ： Φ4inch(99.5-100mm)●グレード： ZMP(プライムグレード相当)●厚さ： 500 μm +- 25μm●オフ角： ＜0001＞ on-axis +/-0.5°●オリフラ付： {10-10}に平行して+/-0.5°●長さ：32.5 +/- 2mm●マイクロパイプ密度： 1個以下/cm2●比抵抗値： ≧1E 10 Ω・cm●仕上げ： Si面→CMP、C面→ 光学鏡面●梱包：シングルケース材質炭化ケイ素アズワン品番68-4088-74
単結晶SiCアズスライスウエハ 6インチ・4H-N ダミーグレードTanKeBlue￥95,980税込￥105,578
1枚
6日以内出荷
高品質の単結晶SiCアズスライスウエハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード： ダミーグレード●直径： 149.5mm～ 150.0mm (6インチ)●厚さ： 450 μm±15 μm●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-76
単結晶SiCウェハ 8インチ・4H-N ダミーグレードIV-SemiteC￥949,800税込￥1,044,780
1枚
5日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型： Nタイプ●グレード： ダミー●直径： 200.0mm ± 0.2mm (8インチ)●厚さ： 500 μm±25 μm●オフ角度： [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 10 個/cm-2 以下●比抵抗値： 0.015～0.028Ω-cm (75%面積)●ノッチ方位： [1-100]±5.0°、深さ 1.0～1.5mm●面方位： {0001}± 0.2°●反り： LTV≦10μm(10*10mm2)、TTV≦15 μm、BOW≦65μm、WARP≦70 μm●表面仕上げ： 両面CMP、Si面Epi Ready (Si面 Ra≦0.5 nm)●エッジクラック： N/A●結晶多形： 累積面積≦5%●エッジチッピング： N/A●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包材質炭化ケイ素グレードダミー仕上CMPアズワン品番68-4088-78
単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N ダミーグレードIV-SemiteC￥119,800税込￥131,780
1枚
6日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード：ダミーグレード●直径： 150.0mm± 0.2mm (6インチ)●厚さ： 350 μm±25 μm●オフ角度： [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 2 個/cm2 以下●比抵抗値： 0.015～0.028Ω-cm●オリフラ： // [11-20] ± 5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE)： ウェハ端から3mm●反り： LTV≦5μm、TTV≦15 μm、BOW≦40μm、WARP≦60 μm●表面仕上げ： 両面CMP、Si面Epi-ready (Si面Ra≦0.2 nm、C面Ra≦0.5 nm)●エッジクラック： N/A●結晶多形： 累積面積≦5%●エッジチッピング： 2 個以下、各々1mm 以内●XRD半値幅： ≦60 arcsec●表面パーティクル： 0.3μm ≦30個●表面金属不純物： Al/Cr/Fe/Ni/Cu/Zn/pb/V/Mn/NA/Ca/K/Mg≦5E10atoms●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-73
単結晶SiCアズスライスウエハ 4インチ・4H-N プロダクショングレードIV-SemiteC￥76,980税込￥84,678
1枚
6日以内出荷
高品質の単結晶SiCアズスライスウエハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード： プロダクショングレード●直径： 4インチ●厚さ： 480 μm±15 μm●オフ角度： ＜11-20 ＞に対して4°±0.5°●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-77
窒化ケイ素放熱板 114×114×0.32mm 研究用アズワン￥19,400～税込￥21,340～
1箱(1枚)ほか
当日出荷から23日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8インチ石英ウェハ 両面ポリッシュ研究用 25枚入アズワン￥181,000～税込￥199,100～
1箱(10枚)ほか
42日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8インチシリコンウェハ 研究用 100アズワン￥77,900～税込￥85,690～
1箱(1枚)ほか
5日以内出荷から32日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8インチSICウェハ 研究用アズワン￥327,999税込￥360,799
1箱(1枚)
5日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●グレード：ダミーグレード●タイプ：4H●Surface orientation error：＜11-20＞4±0.5 °●ドーパント：N型 Nitrogen●抵抗率：0.015～0.025 ohm・cm●直径：200.0±0.2mm●厚み：500±25 μm●主要ノッチ方位：[1-100]±5 °●主要ノッチ深さ：1-1.5 mm●セカンドオリフラ：None●LTV：≦10(10mm×10mm)μm●TTV：≦15μm●Bow：0±65μm●Warp：≦70μm●(AFM)Front(Si-face)Roughness：Ra≦0.2 nm●マイクロパイプ：≦50ea/cm●金属不純物：NA●TED：NA●BPD：NA●TSD：NA●＜表面状態＞●フロントサイド：Si●面状態：Si-face CMP●パーティークル：NA●スクラッチ：NA●＜裏面状態＞●面状態：C-face polished●スクラッチ：NA ea/mm●裏面粗さ：Ra≦5 nm●レーザーマーク：On●エッジ：Chamfer●Notes："NA" =不問。Items not metioned may refer to SEMI-STD●数量：1枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。アズワン品番67-3018-45
6インチ石英ウェハ 両面ポリッシュ研究用 25枚入アズワン￥145,250～税込￥159,775～
1箱(25枚)
42日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
6インチLN/LTウェハ 研究用アズワン￥45,600～税込￥50,160～
1枚ほか
27日以内出荷から28日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●6インチLNウェハ●結晶方位：Y127°●厚み：350±25μm●面状態：両面ポリッシュ●数量：1枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
6インチ SEMI シリコンウェハ 研究用 100アズワン￥35,980～税込￥39,578～特価
1箱(1枚)ほか
当日出荷から33日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
6インチ JEIDA シリコンウェハ 研究用 100アズワン￥47,350～税込￥52,085～
1箱(1枚)ほか
当日出荷から33日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
