9ページ目: トランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -65 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 220。最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 220。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -160 V。パッケージタイプ = TP-FA。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。最小DC電流ゲイン = 140。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V。最大動作周波数 = 120 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 83 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 20 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 150 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。NPN バイポーラトランジスタは、汎用アンプ用途向けに設計されています。低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-323/SC-70 パッケージに収められています。低 RDS ( on )：高効率を実現し、バッテリ寿命を延長します 基板スペースを節約する小型 SC-70 / SOT-323 表面実装パッケージ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 45 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 15 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 4.5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 150 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 250 mW。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 7 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 40 W。最小DC電流ゲイン = 120。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.9 x 4.5 x 18.95mm。パワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 750 mW。最小DC電流ゲイン = 340。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 300 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 50。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 300 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 50。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220F。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 25 W。最小DC電流ゲイン = 150。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.16 x 2.54 x 15.87mm。パワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 1100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.9 x 4.5 x 18.95mm。Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 16 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 V。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 200 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 25。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -50 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -3 V。最大動作周波数 = 20 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 900 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。最小DC電流ゲイン = 80。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 250 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。鉛フリーパッケージを用意 品番の先頭は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途向けです 用途 ESD保護 極性反転保護 データライン保護 誘導負荷保護 ステアリングロジック

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。最小DC電流ゲイン = 500。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 55 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。低ノイズバイポーラトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 420。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1.1mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 350 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.53 x 4.83 x 15.75mm。バイポーラパワートランジスタは、オーディオアンプの高周波ドライバとして使用するように設計されています。高電流利得帯域幅積 TO-220 コンパクトパッケージ これらのデバイスは鉛フリーです

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 80 W。最小DC電流ゲイン = 5。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 50 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm。RFバイホーラトランジスタ、Fairchild Semiconductor