受動部品：「表面実装抵抗」の検索結果

MMBFJ202 onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， MMBFJ202 onsemi

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仕様N チャンネル汎用アンプ - このデバイスは、主に低レベルオーディオ向けに設計され、高インピーダンス信号源を使用する汎用用途に適しています。プロセス 52 から調達。用途この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大パワー消費(mW)350

1箱(25個)

￥989 税込￥1,088

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FDMA430NZ onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FDMA430NZ onsemi

onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FDMA430NZ

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ピン数(ピン)6 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大パワー消費(W)2.4

1箱(25個)

￥2,898 税込￥3,188

7日以内出荷

FDS8958A onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FDS8958A onsemi

onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FDS8958A

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仕様このデュアル N / P チャンネル拡張モード電界効果トランジスタは、 Advanced PowerTrench プロセスを使用して生産されており、特にオン状態抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するようにカスタマイズされています。これらのデバイスは、低インライン電力損失及び高速スイッチングが必要な低電圧用途やバッテリ駆動用途に最適です。Q1 ： N チャネル 7.0 A 、 30 V RDS ( ON )-4.5 V 高速スイッチング速度幅広く使用されている表面実装パッケージピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数2 最大パワー消費(W)2 最大動作温度(℃)150

1箱(10個)

￥1,398 税込￥1,538

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FDMA420NZ onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FDMA420NZ onsemi

onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FDMA420NZ

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ピン数(ピン)6 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大パワー消費(W)2.4 トランジスタ構成シングル

1箱(25個)

￥2,698 税込￥2,968

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FDMB3800N onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FDMB3800N onsemi

onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FDMB3800N

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仕様これらの N チャンネルロジックレベル MOSFET は、 Advanced PowerTrench プロセスを使用して生産され、特にオン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するようにカスタマイズされています。これらのデバイスは、低インライン電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧及びバッテリ駆動用途に最適です。最大 rDS ( on )4.3 A 高速スイッチング速度低ゲート電荷量超低 rDS ( on )向けの高性能トレンチテクノロジー高電力及び高電流処理能力用寸法(mm)3×1.9×0.75 ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応パッケージWDFN 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数2 最大パワー消費(W)1.6

1箱(10個)

￥1,698 税込￥1,868

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FQB5N90TM onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FQB5N90TM onsemi

onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FQB5N90TM

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仕様この N チャンネル拡張モードパワー MOSFET は、独自の平面ストライプと DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この Advanced MOSFET 技術は、オン状態の抵抗を低減するように特別に調整されており、優れたスイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を実現しています。Switched Mode5.4A 、 900 V 、 RDS ( on )2.7 A 低ゲート電荷量(標準) 31 nC ) 低 CRSs (標準) 13 pF ) 用途照明ピン数(ピン)2 + Tab RoHS指令(10物質対応)10物質対応パッケージD2PAK 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大パワー消費(W)158 最大動作温度(℃)150

1箱(5個)

￥2,198 税込￥2,418

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MC74HC273ADWG onsemi HCシリーズフリップフロップ表面実装 20-Pin SOIC onsemi

onsemionsemi HCシリーズフリップフロップ表面実装 20-Pin SOIC

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仕様●論理回路： HC●ロジックタイプ： D タイプ●出力タイプ： CMOS●極性：非反転●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 20●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 220 ns @ 50 pF●動作供給電圧 Max ： 6 Vmm●高さ： 2.4mm●高性能シリコンゲート CMOS ： MC74HC273A は● LS273 とピン配列が同一です。デバイス入力は●標準 CMOS 出力と互換性があり●プルアップ抵抗器を備え● LSTTL 出力と互換性があります。このデバイスは●コモンクロック入力とリセット入力を備えた 8 個の D フリップフロップで構成されています。各フリップフロップには●クロック入力の低 - 高遷移がロードされています。リセットは非同期でアクティブローです。出力駆動能力： 10 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL への直接インターフェイス出力動作電圧範囲： 2.0 ～ 6.0V 低入力電流： 1.0 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性チップの複雑さ： 264 FET または 66 等価 Gates RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(38個)

￥3,598 税込￥3,958

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FSA2257MUX onsemi マルチプレクサ表面実装 MSOP， 10-Pin， FSA2257MUX onsemi

onsemionsemi マルチプレクサ表面実装 MSOP， 10-Pin， FSA2257MUX

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仕様オーディオスイッチ、Fairchild Semiconductor. オーディオ向けに設計された高性能アナログスイッチ製品です。このスイッチは、低歪み・低ノイズの低オン抵抗と幅広い動作帯域幅を兼ね備えています。寸法(mm)3×3×0.85 ピン数(ピン)10 動作温度(℃)-40 (Min) RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装

1箱(10個)

￥1,198 税込￥1,318

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MC74HC245ADTG onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin， MC74HC245ADTG onsemi

onsemionsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin， MC74HC245ADTG

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仕様●ロジックタイプ：トランシーバ●インターフェース：バッファ&ラインドライバIC●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： TSSOP●ピン数： 20●高レベル出力電流 Max ： 35mA●低レベル出力電流 Max ： -35mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 165ns●寸法： 6.6 x 4.5 x 1.05mm●動作供給電圧 Min ： -0.5 V●伝播遅延テスト条件： 50pF●高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC245A のピン配置は LS245 と同一です。デバイス入力は●標準 CMOS 出力と互換性があり●プルアップ抵抗器を備え● LSTTL 出力と互換性があります。HC245A は●データバス間の双方向非同期通信に使用される 3 ステート非反転トランシーバです。このデバイスにはアクティブロー出力イネーブルピンがあり● I/O ポートをハイインピーダンス状態にするために使用します。Direction コントロールは●データが A から B ●または B から A のどちらに流れるかを決定します出力駆動能力： 15 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL との直接インターフェイスで出力動作電圧範囲： 2 ～ 6 V 低入力電流： 1 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性チップの複雑さ： 308 FET または 77 等価 Gates RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(75個)

￥7,698 税込￥8,468

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SMCJ33CA onsemi TVSダイオード，双方向，表面実装， 53.3V， SMCJ33CA onsemi

onsemionsemi TVSダイオード，双方向，表面実装， 53.3V， SMCJ33CA

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仕様ダイオード構成：シングル寸法(mm)7.15×6.25×2.45 高さ(mm)2.45 ピン数(ピン)2 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクションピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能低インクリメンタルサージ抵抗高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0 パッケージDO-214AB (SMC) 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大逆スタンドオフ電圧(V)33 最大クランピング電圧(V)53.3 最小ブレークダウン電圧(V)36.7 ピークパルスパワー消費(W)1500 最大ピークパルス電流(A)28.1 最小動作温度(℃)-55

1箱(5個)

￥529 税込￥582

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FDS8896 onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 15 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 15 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：15 A 幅(mm)4 シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor パッケージSOIC 実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)2500 チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20 トランジスタ構成シングル

1箱(5個)

￥829 税込￥912

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NTLJD4116NT1G onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 2.5 A 表面実装パッケージWDFN 6 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 2.5 A 表面実装パッケージWDFN 6 ピン

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 30 V●パッケージタイプ： WDFN●実装タイプ：表面実装●ピン数： 6●最大ドレイン-ソース間抵抗： 250 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 2.3 W●トランジスタ構成：絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧： -8 V， +8 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 0.75mm●デュアルNチャンネルMOSFET●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(10個)

￥979 税込￥1,077

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FDS6670A onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：13 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：21 nC @ 5 V シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor パッケージSOIC 実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)2500 チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)8 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20 トランジスタ構成シングル

1箱(5個)

￥779 税込￥857

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MOC3021SR2VM onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3021SR2VM onsemi

onsemionsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3021SR2VM

エコ商品

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = SMT。最大入力電流 = 10 mA。絶縁電圧 = 4.17 kVrms。シリーズ = MOC。MOC301XM 及び MOC302XM シリーズは、光学的に絶縁されたトライアックドライバデバイスです。このデバイスには、トライアックのように機能する GaAs 赤外線発光ダイオードと光作動シリコン双方向スイッチが含まれています。電気制御及び電源トライアック間のインターフェイスとして設計され、 115 V ac 動作の抵抗負荷及び誘導負荷を制御します。優れた IFT 安定性 - 低劣化の赤外線発光ダイオード Peak Blocking 250 V - MOC301XM 400 V - MOC302XM 用途家庭用電化製品産業用モータ

RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥999 税込￥1,099

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2N7002KW onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

エコ商品

仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)1.2 ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)350 チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)300 最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8 最小ゲートしきい値電圧(V)1.1 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20 トランジスタ構成シングル

1セット(100個)

￥1,498 税込￥1,648

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BSS138 onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 220 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET50 V 220 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

エコ商品

仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3 動作温度(℃)-55 (Min) RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)220 最大ドレイン-ソース間電圧(V)50 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3.5 最大ゲートしきい値電圧(V)1.5 最小ゲートしきい値電圧(V)0.8 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20 トランジスタ構成シングル最大パワー消費360 mW

1箱(10個)

￥199 税込￥219

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FDMC2523P onsemi Pチャンネル MOSFET150 V 1.8 A 表面実装パッケージMLPAK33 8 ピン onsemi

onsemionsemi Pチャンネル MOSFET150 V 1.8 A 表面実装パッケージMLPAK33 8 ピン

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：1.8 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 10 V 高さ(mm)0.95 ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージMLPAK33 実装タイプ表面実装チャンネルタイプP 最大パワー消費(mW)42000 チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)150 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3.6 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30 トランジスタ構成シングル

1箱(5個)

￥1,398 税込￥1,538

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FQT4N20LTF onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 850 mA 表面実装パッケージSOT-223 3 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET200 V 850 mA 表面実装パッケージSOT-223 3 ピン

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：850 mA●標準ゲートチャージ @ Vgs：4 nC @ 5 V シリーズQFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷パッケージSOT-223 実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)2200 チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.35 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20 トランジスタ構成シングル

1箱(5個)

￥829 税込￥912

5日以内出荷

NDS0605 onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 180 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi

onsemionsemi Pチャンネル MOSFET60 V 180 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

エコ商品

仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ高密度セル設計高い飽和電流優れたスイッチング長さ(mm)2.92 ピン数(ピン)3 動作温度(℃)-55 (Min) RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)180 最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5 最小ゲートしきい値電圧(V)1 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20 トランジスタ構成シングル最大パワー消費360 mW

1箱(10個)

￥229 税込￥252

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NTA7002NT1G onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 150 mA 表面実装パッケージSC-75 3 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 150 mA 表面実装パッケージSC-75 3 ピン

エコ商品

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 150 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 30 V●パッケージタイプ： SC-75●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 7.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1.5V●最大パワー消費： 300 mW●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -10 V， +10 V●幅： 0.9mm●高さ： 0.8mm●NチャンネルMOSFET(ショットキーダイオード付)●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(3000個)

￥20,980 税込￥23,078

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FDT86113LZ onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.3 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.3 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピン

エコ商品

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：3.3 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.1 nC @ 10 V 高さ(mm)1.7 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A パッケージSOT-223 実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)2.2 チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)189 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20 トランジスタ構成シングル

1箱(5個)

￥899 税込￥989

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FDN8601 onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 2.7 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET100 V 2.7 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：2.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：3 nC @ 10 V シリーズPowerTrench ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A パッケージSOT-23 実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)1.5 チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)183 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20 トランジスタ構成シングル

1箱(5個)

￥559 税込￥615

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FDN327N onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

エコ商品

仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：0.0833●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.5 nC @ 4.5 V シリーズPowerTrench ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A パッケージSOT-23 実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)500 チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70 最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8 トランジスタ構成シングル

1箱(5個)

￥399 税込￥439

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FDC6306P onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1.9 A 表面実装パッケージSOT-23 6 ピン onsemi

onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1.9 A 表面実装パッケージSOT-23 6 ピン

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仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造をシリーズPowerTrench ピン数(ピン)6 RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数2 チャンネルタイプP チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.9 最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)270 最小ゲートしきい値電圧(V)0.4 最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8 トランジスタ構成絶縁型最大パワー消費960 mW

1箱(10個)

￥919 税込￥1,011

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FDN352AP onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi

onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

エコ商品

仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)0.94 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.3 最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180 最小ゲートしきい値電圧(V)0.8 最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、 +25 トランジスタ構成シングル最大パワー消費500 mW

1箱(10個)

￥589 税込￥648

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FDN342P onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi

onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

エコ商品

仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)0.94 ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP 最大パワー消費(mW)500 チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)2 最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)80 最小ゲートしきい値電圧(V)0.6 最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12 トランジスタ構成シングル

1リール(3000個)

￥109,800 税込￥120,780

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FDG1024NZ onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.2 A 表面実装パッケージSOT-363 6 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.2 A 表面実装パッケージSOT-363 6 ピン

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仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電シリーズPowerTrench ピン数(ピン)6 RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数2 チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)300360 チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.2 最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)259 最小ゲートしきい値電圧(V)0.4 最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8 トランジスタ構成絶縁型

1箱(25個)

￥2,498 税込￥2,748

5日以内出荷

FDN304PZ onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi

onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：2.4 A 幅(mm)1.4 高さ(mm)0.94 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23 実装タイプ表面実装チャンネルタイプP 最大パワー消費(mW)500 チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)52 最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8 トランジスタ構成シングル

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￥639 税込￥703

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FDS9431A onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi

onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ高密度セル設計高い飽和電流優れたスイッチングピン数(ピン)8 動作温度(℃)(Min)-55 RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP 最大パワー消費(W)2.5 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.5 最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)130 最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8 トランジスタ構成シングル

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￥3,398 税込￥3,738

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FDS86140 onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 11.2 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET100 V 11.2 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：11.2 A シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor パッケージSOIC 実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)5 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)17 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20 トランジスタ構成シングル

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￥1,298 税込￥1,428

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FDS5670 onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 10 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET60 V 10 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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仕様最大連続ドレイン電流：0.4166666667 シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)2.5 チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20 トランジスタ構成シングル

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￥1,898 税込￥2,088

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FDS86540 onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 18 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET60 V 18 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

エコ商品

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：18 A 幅(mm)3.9 高さ(mm)1.575 ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor パッケージSOIC 実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)5 チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20 トランジスタ構成シングル

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￥2,798 税込￥3,078

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FDS5351 onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 6.1 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET60 V 6.1 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)5 チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)6.1 最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)58.8 最小ゲートしきい値電圧(V)1 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20 トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ19 nC @ 10 V

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￥2,098 税込￥2,308

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FDS8813NZ onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 18.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 18.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

エコ商品

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：18.5 A 幅(mm)3.9 ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor パッケージSOIC 実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)2.5 チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6.6 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20 トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

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￥1,398 税込￥1,538

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FDS4465 onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 13.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi

onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 13.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

エコ商品

仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：13.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：86 nC @ 4.5 V ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージSOIC 実装タイプ表面実装チャンネルタイプP 最大パワー消費(mW)2500 チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9 最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8 トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

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￥1,598 税込￥1,758

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FDS6679AZ onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi

onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

エコ商品

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：13 A シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC 実装タイプ表面実装チャンネルタイプP 最大パワー消費(mW)2500 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9 最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25 トランジスタ構成シングル

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￥1,198 税込￥1,318

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FDS6912A onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 6 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 6 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電長さ(mm)5 高さ(mm)1.5 ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)1.6 チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)0.25 最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)44 最小ゲートしきい値電圧(V)1 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20 トランジスタ構成絶縁型

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￥2,198 税込￥2,418

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SI4435DY onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi

onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

エコ商品

仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)1.57 ピン数(ピン)8 動作温度(℃)(Max)+175 RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP 最大パワー消費(W)2.5 チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)8.8 最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)35 最小ゲートしきい値電圧(V)1 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20 トランジスタ構成シングル

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￥1,498 税込￥1,648

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FDS3890 onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 4.7 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET80 V 4.7 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：4.7 A 高さ(mm)1.575 ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数2 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)1.6、2 チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)80 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)82 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20 トランジスタ構成絶縁型

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￥1,898 税込￥2,088

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FDS6375 onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi

onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs：26 nC @ 4.5 V シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC 実装タイプ表面実装チャンネルタイプP 最大パワー消費(mW)2500 チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24 最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8 トランジスタ構成シングル

1箱(5個)

￥969 税込￥1,066

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