受動部品 ：「DC用スイッチ」の検索結果
RoHS
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：2.4 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：12 nC @ 4.5 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)52
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8
トランジスタ構成シングル
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：4.5 A
高さ(mm)6.3
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します
パッケージIPAK (TO-251)
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)52
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)900
最大ゲート-ソース間電圧(V)30
トランジスタ構成シングル
1袋(5個)
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：0.4583333333
シリーズSuperFET II
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)35.7
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)800
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)340
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥3,198
税込￥3,518
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：20 A
シリーズSuperFET II
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)39
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)170
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.2916666667
長さ(mm)6.73
高さ(mm)2.39
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)83
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)600
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)300360
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.2
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)259
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成絶縁型
1箱(25個)
￥2,498
税込￥2,748
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電
長さ(mm)5
高さ(mm)1.5
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)1.6
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)0.25
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)44
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成絶縁型
1箱(25個)
￥2,698
税込￥2,968
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2.7
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)128
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成絶縁型
標準ゲートチャージ3.5 nC @ 4.5 V
最大パワー消費960 mW
1箱(10個)
￥799
税込￥879
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：3.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：5.1 nC @ 10 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)31
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)107
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成絶縁型
1箱(2個)
￥959
税込￥1,055
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.6V●最大連続ドレイン電流：6.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 4.5 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)2000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)30
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10
トランジスタ構成絶縁型
1箱(5個)
￥579
税込￥637
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：4.7 A
高さ(mm)1.575
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)1.6、2
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)80
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)82
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成絶縁型
1箱(5個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
幅(mm)2
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)10
最大ドレイン-ソース間電圧(V)12
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)82
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費2.4 W
1箱(10個)
￥899
税込￥989
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.4
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)130
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費3000 mW
1箱(10個)
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.125
高さ(mm)1
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)1600
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)105
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥579
税込￥637
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している
幅(mm)4
高さ(mm)1.5
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN， P
最大パワー消費(W)2
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.5 、4.5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)55105
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成絶縁型
1リール(2500個)
￥139,800
税込￥153,780
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している
幅(mm)2
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN， P
最大パワー消費(W)1.4
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.1 、3.7
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6895
最小ゲートしきい値電圧(V)0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12
トランジスタ構成絶縁型
1リール(3000個)
￥98,980
税込￥108,878
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
高さ(mm)0.94
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.3
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、 +25
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
￥629
税込￥692
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
高さ(mm)0.94
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)80
最小ゲートしきい値電圧(V)0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12
トランジスタ構成シングル
1リール(3000個)
￥99,980
税込￥109,978
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：13 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)2500
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,098
税込￥1,208
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
高さ(mm)1.57
ピン数(ピン)8
動作温度(℃)(Max)+175
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)2.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)8.8
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)35
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
1箱(10個)
￥1,498
税込￥1,648
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)2.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)11
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12
トランジスタ構成シングル
1箱(10個)
￥1,798
税込￥1,978
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)5.8
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)43
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.6 W
1箱(10個)
￥559
税込￥615
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
高さ(mm)2.39
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)11
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)30
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、+25
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費52 W
1箱(10個)
￥1,498
税込￥1,648
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：20 A
幅(mm)4
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)2500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.6
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)115
最大ゲートしきい値電圧(V)1.5
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
￥579
税込￥637
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：8.2 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：19 nC @ 5 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)2500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)27
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥689
税込￥758
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.1666666667●標準ゲートチャージ @ Vgs：6 nC @ 5 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)1.6
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)75
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25
トランジスタ構成シングル
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.0833
高さ(mm)0.94
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)80
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最大動作温度(℃)150
1箱(5個)
￥459
税込￥505
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN， P
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.9 、2.7
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)130270
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成絶縁型
標準ゲートチャージ2.85 nC @ 4.5 V、3.25 nC @ 4.5 V
最大パワー消費960 mW
1箱(10個)
￥1,298
税込￥1,428
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：7.3 A、8.6 A
長さ(mm)5
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN， P
最大パワー消費(mW)1600
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)17 ， 21
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 、-20 、+20 、+25
トランジスタ構成絶縁型
1箱(5個)
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs：26 nC @ 4.5 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)2500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥729
税込￥802
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している
幅(mm)3.9
高さ(mm)1.575
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN， P
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)4.5、6.4
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)3980
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、-20、+20、+25
トランジスタ構成絶縁型
最大パワー消費1.6 W、2 W
1箱(10個)
￥839
税込￥923
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.6V●最大連続ドレイン電流：2.4 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：9 nC @ 4.5 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)55
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12 ， +12
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥399
税込￥439
欠品中
仕様●出力電流 Max ： 1.5A●出力電圧 ： 1.25 → 40 V●ラインレギュレーション ： 5 mV●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 8●出力タイプ ： 可変●最大スイッチング周波数 ： 100 kHz●スイッチングレギュレータ ： あり●寸法 ： 5 x 4 x 1.5mm●入力電圧 Min ： 3 Vmm●自動車規格 ： AEC-Q100mm●MC34063A バックブースト反転スイッチングレギュレータ. ON Semiconductor MC34063A シリーズのバックブースト反転スイッチングレギュレータは●ステップダウン●ステップアップ●電圧反転の用途向けに設計されています。 これらのモノリシック IC は● DC-DC コンバータに必要な幅広い機能を備えています。この機能には次のものがあり - 内部温度補償リファレンス - コンパレータ - アクティブ電流制限回路付きの制御デューティサイクル発振器 - ドライバ - 高電流出力スイッチ MC34063A IC は●ファンコントローラや DC-DC 電源に適しています。0.3 → +40 V dc の広い入力電圧により● MC34063A は幅広い用途に適しています。. 温度範囲： 0 ～ +70 ° C 低待機電流 入力電圧： 3-40 V 電流制限を調整可能 出力電圧を調整可能 周波数動作： 100kHz まで 精度 : 精度 2% リファレンス. 種類: ； ( 516-5095 ) MC34063AP1G-PDIP-8 ( ； 125-0038 125-0038 ) MC34063AP1G-PDIP-8 チューブ 50 ( ； 103-5076 103-5076 ) MC34063ADR2G - SOIC-8 リール 2500 ； ( 689-9948 ) MC34063ADR2G-SOIC-8 ( ； 184-4265 ) 184-4265 ) MC34063ADG-SOIC-8 チューブ 98
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(98個)
￥5,598
税込￥6,158
7日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：2.4 A
幅(mm)1.4
高さ(mm)0.94
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)52
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥649
税込￥714
7日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)6.7
最大ドレイン-ソース間電圧(V)12
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)90
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費52 W
1箱(10個)
￥1,398
税込￥1,538
7日以内出荷
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