3ページ目: 基板用リレー

。低プロファイルで省スペースです 高さ: 12.5 mm 取り付けスペース： 175 mm2 小型パッケージで高感度 動作電力： 0.112 ～ 0.13 W 公称電力： 0.2 ～ 0.3 W 強化絶縁システム( Coil と contacts の間)による高絶縁距離： 8 mm 絶縁耐力： 5，000 VAC サージ強度： 10，000 V 素材: プラスチック プラスチック密閉型タイプ

。低プロファイル(高さ：16.5mm) DPDPST / DPDT 5A に適合 高絶縁(強化絶縁構造による) 絶縁距離( Coil と contacts 間)：最小 絶縁耐力： 8 mm、絶縁耐力： 5、000 V ac サージ強度： 10，000 V VB と互換性があるピン構成

UL認定、CSA、BSI。TXシリーズ - 突入。この小型基板実装リレーを使用すると、7.5 Aの突入電流に対応できます。また、このコンパクトな基板リレーは、高いコンタクト容量と優れた耐振性 / 耐衝撃性を実現します。このリレーは密閉構造なので、自動洗浄が可能です。主な用途には、空調制御やその他の大容量制御機能などがあります。140mWの高感度 高コンタクト容量、2 A、30 V dc 7.5 Aの突入電流に対応

高密度実装 FTR-H1 タイプと比較して 26 % 省スペース 高い絶縁性 絶縁距離： Coil と contact の間は最小 6 mm 絶縁耐力: 4KV サージ強度： 10KV カドミウム不使用のエコプログラムコンタクトです 耐フラックスリレー、RT II

小型機器内蔵用、高さ15.7mmの低背パワーリレー。 1極、2極、高容量タイプと豊富な品揃え。 消費電量400mWの高感度。 コイル-接点間の絶縁距離8mm異常、耐衝撃電圧10kVの高絶縁。 使用周囲温度は85℃を満足。 標準にて、VDE規格を取得。

TO-5 RFリレー - 712シリーズ Teledyne TO-5 DPDTリレーは、微小電流から1 Aまでの低レベルスイッチング用リレーの業界標準の1つです。 基板実装間隔を狭くする必要がある場合に適した712シリーズは、ウルトラミニチュアパッケージを使用しており、コイル電源の低消費電力を実現しています。 標準タイプに加えて、712 D リレーと712 TN リレーがあります。 712 D リレーはコイルトランジェント抑制用ディスクリートシリコンダイオードを内蔵しています。 712 TN -5ハイブリッドリレー(品番＜ 758-2449') 758-2449 はシリコンダイオードとトランジスタドライバを内蔵しています。 リレーパッケージ内に関連する半導体デバイスを内蔵すると、基板の必要面積を大幅に低減するだけでなく、半導体デバイスの実装時間を省くことができます。 712シリーズのTO-5リレーは、コンタクト間静電容量及びコンタクト回路損失が小さく、UHF帯までの周波数で使用するウルトラミニチュアRFスイッチとして優れています(特性曲線についてはデータシートを参照)。 TO-5リレーの代表的な用途は携帯型無線トランシーバです。優れた高周波特性、小型、低消費電力及び高い信頼性など複数の特徴が送信/受信の切替に適しています。 ハーメチックシールド DC→1 GHzの優れたスイッチング性能 高い耐衝撃性と耐振動性 金めっきコンタクト 低挿入損失 - 優れた絶縁性能と0.4 pFのコンタクト間静電容量による低い挿入損失 単一フレーム設計による高い磁気効率と良好な機構剛性を実現 高い信頼性と過酷な環境条件に対する優れた耐性 高さ6.99mmの低プロファイル