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制御機器 :「tone 68」の検索結果

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Infineon Pioneer 開発 ボード CY8CKIT-042 INFINEONInfineon Pioneer 開発 ボード CY8CKIT-042INFINEON
6,898税込7,588
1個
5日以内出荷
クイックスタートガイド、USB-A Mini-Bケーブル、ジャンパワイヤ 6. CY8CKIT-042-BLE キットは、PSoC 4と追加のBLE (Bluetooth 4.1)ワイヤレス機能を備えています。CY8CKIT-042 PSoC 4200 Pioneerキット、Cypress. CY8CKIT-042 PSoC Pioneer開発キットは、使いやすくコスト効果の高いプラットフォームです。作成や設計が簡単になります。この開発キットは、Arduinoシールドのハードウェア互換性と、使いやすいFCC認定のPSoC BLE及びPRoC BLEモジュールを活用し、設計の柔軟性を最大限に高められるよう設計されています。この開発プラットフォームを使用すると、ミックスドシグナル機能とBluetooth LE無線の両方を必要とする組込みソリューションを簡単に開発できます。PSoC CreatorソフトウェアはPC上で動作し、システムの設計、アプリケーションファームウェアの記述、PSoCへのコードのダウンロード、内蔵デバッガを使用したステップスルー実行が可能です。オンボードの内容 48 MHz CY8C4245AXI-483 Cortex-M0コアPSoC 4200 (32 KBフラッシュメモリ、4 KB SRAMを搭載) オンボードCY8C5868LTI-LP039 PSoC 5LPベースのプログラマ デバッガ オンボードNCP1117DT +3.3 V電圧レギュレータ SmartSense自動調整機能付きCapSenseRタッチスライダ PSoC 4用のリセットプッシュボタン ユーザープッシュボタン ユーザーRGB LED PSoC 5LP用のステータスLED PSoC 4のプログラミング デバッグ用USB Mini-Bコネクタ 6ピンDigilent Pmod拡張コネクタ Arduino Uno v3 Shieldヘッダ PSoC 5LP用10ピンプログラミングヘッダ PSoC 5LP GPIO用12ピン拡張ヘッダ 電源: USBコネクタ(Vbus +5 dc)又はArduino Shieldヘッダ(Vin +5 +12 dc)から 用途 組み込み設計と開発 センシング及び計装 電源管理 通信及びネットワーキング 信号処理
仕様分類 = 開発 ボードキット名 = Pioneerテクノロジー = PSoCデバイスコア = ARM Cortex M0プロセッサファミリ名 = PSoCプロセッサ品番 =CY8C4245AXI-483プロセッサ種類 = MCURoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 30 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET55 V 30 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON
4,698税込5,168
1セット(50個)
7日以内出荷
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 68 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 28 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET55 V 28 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンINFINEON
1,998税込2,198
1袋(20個)
7日以内出荷
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 28 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 68 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 29 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET55 V 29 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON
2,998税込3,298
1セット(50個)
7日以内出荷
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 29 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 68 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応

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