制御機器 ：「din 6ピン」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 80， 60トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号デュアルNPN/PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 806 mW最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 160 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 600 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 8.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 95Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 6.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = 1.2 → 4.5mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOD-523ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 95Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.65mm標準電圧温度係数 = -3.5 → 0mV/℃ツェナーダイオード300 mW、BZT52Cシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-523

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 480Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm動作温度 Max = +150 ℃mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZT52シリーズ、Diodes Inc. ツェナーダイオード500 mW 表面実装ケース: SOD-123

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.1mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号デュアルNPN/PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 806 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 350 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 480Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃mV/℃ツェナーダイオード350 mW、BZX84Cシリーズ、Diodes Inc. ツェナー電圧公差: 6 % 表面実装ケース: SOT-23

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 115 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.35mm高さ = 1mmデュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = 絶縁型整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 3ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ 表面実装パッケージタイプ SOT-26最大連続 順方向電流 350mAピーク逆繰返し電圧 40Vダイオード構成 シリーズ整流タイプ ショットキー整流器ダイオードタイプ ショットキーピン数 6最大順方向降下電圧 600mV1チップ当たりのエレメント数 4ダイオードテクノロジー ショットキーピーク逆回復時間 10nsピーク非繰返し順方向サージ電流 1.5ADiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 130 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -150 Vパッケージタイプ = SOT-26実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -160 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 95Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZT52シリーズ、Diodes Inc. ツェナーダイオード500 mW 表面実装ケース: SOD-123

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 200 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.35mm高さ = 1mmデュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 380mV1チップ当たりのエレメント数 = 4ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOD-523ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.65mm動作温度 Max = +150 ℃mV/℃ツェナーダイオード300 mW、BZT52Cシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-523

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大連続 順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 80Vダイオード構成 = 絶縁型整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオードピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 1.25V1チップ当たりのエレメント数 = 3ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A高速スイッチングダイオードアレイ、MMBD4448Hシリーズ、Diodes Inc

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 17V最小ブレークダウン電圧 = 6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 2最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mmシングルチャンネルデータライン保護TVSダイオード、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.8mm高さ = 1.3mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.7 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mmDiodes Inc デュアル NPN/PNP トランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc