電子部品(オンボード) (1,600) カテゴリ: 制御機器ブランド: onsemiすべて解除
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 200 mA, 2N3904BU onsemi 当日出荷
仕様 onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V ピン数(ピン) 3 動作温度(℃) (Max)+150 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ スルーホール 1チップ当たりのエレメント数 1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V) 40 最大パワー消費(mW) 625 最大エミッタ-ベース間電圧(V) 6 最大コレクタ-ベース間電圧(V) 60 トランジスタ構成 シングル 最大DCコレクタ電流(mA) 200 トランジスタタイプ NPN 最大動作周波数(MHz) 100
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 12 A, FJP13009H2TU onsemi 5日以内出荷
仕様 Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ 寸法(mm) 9.9×4.5×9.2 ピン数(ピン) 3 RoHS指令(10物質対応) 対応 パッケージ TO-220 実装タイプ スルーホール 1チップ当たりのエレメント数 1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V) 400 最大パワー消費(W) 100 最大エミッタ-ベース間電圧(V) 9 最大コレクタ-ベース間電圧(V) 700 トランジスタ構成 シングル トランジスタタイプ NPN 最小DC電流ゲイン 8, 15
onsemi TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 21.2V, P6KE15CA onsemi 5日以内出荷
仕様 ダイオード構成:シングル 寸法(mm) 7.62×3.56×3.56 ピン数(ピン) 2 特性 TVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor パッケージ DO-15 実装タイプ スルーホール 1チップ当たりのエレメント数 1 最大逆スタンドオフ電圧(V) 12.8 最大クランピング電圧(V) 21.2 最小ブレークダウン電圧(V) 14.3 ピークパルスパワー消費(W) 600 最大ピークパルス電流(A) 28 最大逆漏れ電流(μA) 5 最小動作温度(℃) -65
onsemi 整流ダイオード, 1A, 1000V スルーホール, 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1.7V onsemi 5日以内出荷
仕様 ●ダイオードタイプ:整流器●ダイオードテクノロジー:シリコンジャンクション●ダイオード構成:シングル●整流タイプ:スイッチング●最大連続 順方向電流:1A 直径(Φmm) 2.7 ピン数(ピン) 2 RoHS指令(10物質対応) 対応 特性 ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001~UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高電流に対応 ガラス不動態化ジャンクション整流器とは これらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不 パッケージ DO-41 実装タイプ スルーホール 1チップ当たりのエレメント数 1 最大順方向降下電圧(V) 1.7 ピーク逆繰返し電圧(V) 1000 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A) 30 ピーク逆回復時間(ns) 75
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BTA onsemi 5日以内出荷
仕様 onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V ピン数(ピン) 3 動作温度(℃) (Max)+150 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ スルーホール 1チップ当たりのエレメント数 1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V) 45 最大パワー消費(mW) 500 最大エミッタ-ベース間電圧(V) 6 最大コレクタ-ベース間電圧(V) 50 トランジスタ構成 シングル 最大DCコレクタ電流(mA) 100 トランジスタタイプ NPN 最小DC電流ゲイン 200, 420 最大動作周波数(MHz) 300
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1.5 A, SS8050DTA onsemi 5日以内出荷
仕様 小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン) 3 動作温度(℃) (Max)+150 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ スルーホール 1チップ当たりのエレメント数 1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V) 25 最大エミッタ-ベース間電圧(V) 6 最大コレクタ-ベース間電圧(V) 40 トランジスタ構成 シングル 最大DCコレクタ電流(A) 1.5 トランジスタタイプ NPN 最小DC電流ゲイン 120, 160 最大パワー消費 1 W
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピン onsemi 5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 830 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4.19mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
onsemi ツェナーダイオード 18V スルーホール 1 W onsemi 5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 18V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 14mA最大ツェナーインピーダンス = 20Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 57 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemi 7日以内出荷
仕様 ●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:57 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:37 nC @ 10 V シリーズ PowerTrench ピン数(ピン) 3 RoHS指令(10物質対応) 対応 特性 自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。 パッケージ DPAK (TO-252) 実装タイプ 表面実装 チャンネルタイプ N 最大パワー消費(W) 44 チャンネルモード エンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V) 40 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ) 14 最大ゲート-ソース間電圧(V) -20 , +20 トランジスタ構成 シングル
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 24 V, 3-Pin, MC7824BTG onsemi 7日以内出荷
仕様 ●レギュレータタイプ : リニア電圧A●出力電圧 : 24 V●ラインレギュレーション : 480 mV●ロードレギュレーション : 480 mV●極性 : 正●パッケージタイプ : TO-220mA●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定W●寸法 : 10.28 x 4.82 x 15.75mm●動作温度 Max : +125 ℃mm●長さ : 10.28mm●7824リニア電圧レギュレータ●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
onsemi ツェナーダイオード 5.6V スルーホール 5 W onsemi 7日以内出荷
標準ツェナー電圧 5.6V1チップ当たりのエレメント数 1最大パワー消費 5 Wパッケージタイプ DO-15ツェナータイプ 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 5%ピン数 2テスト電流 220mA最大ツェナーインピーダンス 1Ω最大逆漏れ電流 1μA寸法 8.89 3.68 3.68mm動作温度 Min -65 ℃ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途.
産業用
onsemi ツェナーダイオード 7.5V スルーホール 1 W onsemi 5日以内出荷
仕様 ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor 寸法 2.72 (Dia.) x 5.2mm ピン数(ピン) 2 ダイオード (構成)シングル 動作温度(℃) (Min)-65 RoHS指令(10物質対応) 対応 1チップ当たりのエレメント数 1 最大パワー消費(W) 1 テスト電流(mA) 34 最大逆漏れ電流(μA) 10 ツェナータイプ 汎用 ツェナー電圧許容性(%) 5 最大ツェナーインピーダンス(Ω) 4
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemi 5日以内出荷
仕様 Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A シリーズ PowerTrench ピン数(ピン) 3 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ 表面実装 チャンネルタイプ N チャンネルモード エンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(mA) 170 最大ドレイン-ソース間電圧(V) 100 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω) 6 最大ゲートしきい値電圧(V) 2 最小ゲートしきい値電圧(V) 0.8 最大ゲート-ソース間電圧(V) -20、 +20 トランジスタ構成 シングル 標準ゲートチャージ 1.8 nC @ 10 V 最大パワー消費 360 mW
onsemi 汎用 整流ダイオード, 3A, 200V スルーホール, 2-Pin DO-201AD シリコンジャンクション 1V onsemi 5日以内出荷
仕様 ●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-201AD●最大連続 順方向電流 : 3A●ピーク逆繰返し電圧 : 200V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : 汎用●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 1V●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●直径 : 5.3mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 200A●メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A RoHS指令(10物質対応) 対応
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 1000V, 8.51 x 6.5 x 2.6mm, DF10S onsemi 5日以内出荷
ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 8.51mm高さ = 2.6mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流
onsemi ツェナーダイオード 24V スルーホール 1 W onsemi 5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 24V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 10.5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
onsemi ツェナーダイオード 12V スルーホール 1 W onsemi 5日以内出荷 から 6日以内出荷
仕様 ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲: 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格 寸法 2.72 (Dia.) x 5.2mm ピン数(ピン) 2 ダイオード (構成)シングル 動作温度(℃) (Max)+200 RoHS指令(10物質対応) 対応 1チップ当たりのエレメント数 1 最大パワー消費(W) 1 テスト電流(mA) 20 最大逆漏れ電流(nA) 500 ツェナータイプ 電圧レギュレータ ツェナー電圧許容性(%) 5 最大ツェナーインピーダンス(Ω) 9
onsemi ツェナーダイオード 15V スルーホール 1 W onsemi 5日以内出荷
仕様 ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲: 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格 寸法(mm) 5.21×2.72×2.72 ピン数(ピン) 2 ダイオード (構成)シングル 動作温度(℃) (Min)-65 RoHS指令(10物質対応) 対応 1チップ当たりのエレメント数 1 最大パワー消費(W) 1 テスト電流(mA) 15 最大逆漏れ電流(nA) 500 ツェナー電圧許容性(%) 5 最大ツェナーインピーダンス(Ω) 15
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピン onsemi 5日以内出荷
仕様 強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 ピン数(ピン) 3 動作温度(℃) -55 (Min) RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ スルーホール 1チップ当たりのエレメント数 1 チャンネルタイプ N チャンネルモード エンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(mA) 500 最大ドレイン-ソース間電圧(V) 60 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω) 5 最大ゲートしきい値電圧(V) 3 最小ゲートしきい値電圧(V) 0.8 最大ゲート-ソース間電圧(V) -20、 +20 トランジスタ構成 シングル 最大パワー消費 830 mW
onsemi ツェナーダイオード 13V スルーホール 1 W onsemi 5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 13V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 19mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
onsemi ロジックゲート, OR, 表面実装, 2-入力, 74 onsemi 欠品中
ロジックタイプ = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS
onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92 onsemi 5日以内出荷
仕様 NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor 寸法(mm) 5.2×4.19×5.33 ピン数(ピン) 3 動作温度(℃) (Min)-55 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ スルーホール チャンネルタイプ N 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω) 100 最大ゲート-ソース間電圧(V) -35 トランジスタ構成 シングル IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA) min. 2 最大ドレイン-ゲート間電圧(V) 35 ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF) 28 ソースゲートオンキャパシタンス(pF) 28
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン onsemi 5日以内出荷
仕様 ●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:50 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:125 nC @ 20 V シリーズ MegaFET ピン数(ピン) 3 RoHS指令(10物質対応) 対応 特性 MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。 パッケージ TO-220AB 実装タイプ スルーホール チャンネルタイプ N 最大パワー消費(W) 131 チャンネルモード エンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V) 60 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ) 22 最大ゲート-ソース間電圧(V) -20 , +20 トランジスタ構成 シングル
onsemi 反射型 光センサ 4-Pin SMD 表面実装 onsemi 5日以内出荷
長さ(mm) 3.6 幅(mm) 2.9 寸法(mm) 3.6×2.9×1.7 高さ(mm) 1.7 チャンネル数 1 ピン数(ピン) 4 動作温度(℃) -40 → +85 RoHS指令(10物質対応) 対応 特性 反射型フォトインタラプタ. フォトトランジスタ出力付き反射型 エミッタとディテクタの向きが同じ 小型 誤検出を最小限度に抑える可視光ブロック 光学IC (GP2A231LRSAF)、TTL直接接続に対応 パッケージ SMD 実装タイプ 表面実装 標準上昇時間 20μs 標準降下時間 20μs 出力デバイス フォトトランジスタ 最大動作温度(℃) 85 最小動作温度(℃) -40
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 800 mA, BC33740TA onsemi 5日以内出荷
仕様 onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V ピン数(ピン) 3 動作温度(℃) (Max)+150 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ スルーホール 1チップ当たりのエレメント数 1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V) 45 最大エミッタ-ベース間電圧(V) 5 トランジスタ構成 シングル 最大DCコレクタ電流(mA) 800 トランジスタタイプ NPN 最大動作周波数(MHz) 100 最大パワー消費 625 mW
onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, トランジスタ出力, H11AA1M onsemi 5日以内出荷
仕様 ●入力電流タイプ:AC●最小電流伝送率:0.2 チャンネル数 1 ピン数(ピン) 6 RoHS指令(10物質対応) 対応 特性 オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途 パッケージ PDIP 実装タイプ スルーホール実装 出力デバイス トランジスタ 最大順方向電圧(V) 1.5 最大入力電流(mA) 60 絶縁電圧(kVrms) 7.5
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC559BTA onsemi 5日以内出荷
仕様 小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン) 3 動作温度(℃) (Max)+150 RoHS指令(10物質対応) 対応 実装タイプ スルーホール 1チップ当たりのエレメント数 1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V) -30 最大パワー消費(mW) 500 最大エミッタ-ベース間電圧(V) -5 最大コレクタ-ベース間電圧(V) -30 トランジスタ構成 シングル 最大DCコレクタ電流(mA) -100 トランジスタタイプ PNP 最小DC電流ゲイン 420 最大動作周波数(MHz) 10
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 200 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピン onsemi 5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4.19mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 61 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン onsemi 5日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 61 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ UniFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 41 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 417000 mWトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V幅 4.83mm高さ 9.4mmUniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
onsemi 整流ダイオード, 1A, 30V スルーホール, 2-Pin DO-41 ショットキーバリア onsemi 3日以内出荷
仕様 ●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-41●最大連続 順方向電流 : 1A●ピーク逆繰返し電圧 : 30V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●直径 : 2.7mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 25A●ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 質量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード RoHS指令(10物質対応) 対応
onsemi 整流ダイオード, 1A, 20V スルーホール, 2-Pin DO-41 ショットキーバリア 750mV onsemi 翌々日出荷
実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 20Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 750mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25AON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード
onsemi ツェナーダイオード 51V スルーホール 5 W onsemi 翌々日出荷
標準ツェナー電圧 = 51V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 27Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。
onsemi ツェナーダイオード 14V スルーホール 5 W onsemi 翌々日出荷
仕様 ●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 5 W●パッケージタイプ : Surmetic 40●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : 5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 100mA●最大ツェナーインピーダンス : 75Ω●最大逆漏れ電流 : 1μA●寸法 : 3.68 (Dia.) x 8.89mm●動作温度 Min : -65 ℃●ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. ON Semiconductor 1N53 シリーズは、 Surmetic(TM) 40 アキシャルリード 5 W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、隙間のない転送成形の熱硬化性プラスチック製成形パッケージを備えており、最も一般的な環境条件で保護します。電圧レギュレータは厳格な制限を備え、シリコン酸化物不動態化ジャンクションの優れた機能を反映した優れた動作特性を備えています。外面は耐腐食性で、リードは簡単にはんだ付けできます. 用途. 産業用 RoHS指令(10物質対応) 対応
onsemi 整流ダイオード, 3A, 40V スルーホール, 2-Pin DO-201AD ショットキーバリア 950mV onsemi 翌々日出荷
仕様 ●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-201AD●最大連続 順方向電流 : 3A●ピーク逆繰返し電圧 : 40V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 950mV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●直径 : 5.3mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 80A●メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ RoHS指令(10物質対応) 対応
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