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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 200 mA, 2N3904BU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 200 mA, 2N3904BUonsemi
999税込1,099
1箱(50個)
当日出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)200トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 12 A, FJP13009H2TU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 12 A, FJP13009H2TUonsemi
1,698税込1,868
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ寸法(mm)9.9×4.5×9.2ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)400最大パワー消費(W)100最大エミッタ-ベース間電圧(V)9最大コレクタ-ベース間電圧(V)700トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン8, 15
onsemi TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 21.2V, P6KE15CA onsemionsemi TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 21.2V, P6KE15CAonsemi
349税込384
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様ダイオード構成:シングル寸法(mm)7.62×3.56×3.56ピン数(ピン)2特性TVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild SemiconductorパッケージDO-15実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大逆スタンドオフ電圧(V)12.8最大クランピング電圧(V)21.2最小ブレークダウン電圧(V)14.3ピークパルスパワー消費(W)600最大ピークパルス電流(A)28最大逆漏れ電流(μA)5最小動作温度(℃)-65
onsemi 整流ダイオード, 1A, 1000V スルーホール, 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1.7V onsemionsemi 整流ダイオード, 1A, 1000V スルーホール, 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1.7Vonsemi
269税込296
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●ダイオードタイプ:整流器●ダイオードテクノロジー:シリコンジャンクション●ダイオード構成:シングル●整流タイプ:スイッチング●最大連続 順方向電流:1A直径(Φmm)2.7ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応特性ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001~UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高電流に対応 ガラス不動態化ジャンクション整流器とは これらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不パッケージDO-41実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.7ピーク逆繰返し電圧(V)1000ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30ピーク逆回復時間(ns)75
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BTAonsemi
559税込615
1箱(25個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200, 420最大動作周波数(MHz)300
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1.5 A, SS8050DTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1.5 A, SS8050DTAonsemi
289税込318
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)25最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1.5トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン120, 160最大パワー消費1 W
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピンonsemi
329税込362
1袋(10個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 830 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4.19mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 18V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 18V スルーホール 1 Wonsemi
889税込978
1袋(100個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 18V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 14mA最大ツェナーインピーダンス = 20Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 57 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET40 V 57 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
859税込945
1箱(5個)
7日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:57 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:37 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)44チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 24 V, 3-Pin, MC7824BTG onsemionsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 24 V, 3-Pin, MC7824BTGonsemi
799税込879
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●レギュレータタイプ : リニア電圧A●出力電圧 : 24 V●ラインレギュレーション : 480 mV●ロードレギュレーション : 480 mV●極性 : 正●パッケージタイプ : TO-220mA●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定W●寸法 : 10.28 x 4.82 x 15.75mm●動作温度 Max : +125 ℃mm●長さ : 10.28mm●7824リニア電圧レギュレータ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 5.1V 表面実装 500 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 5.1V 表面実装 500 mWonsemi
349税込384
1袋(20個)ほか
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 5.6V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 5.6V スルーホール 5 Wonsemi
399税込439
1袋(5個)
7日以内出荷
標準ツェナー電圧 5.6V1チップ当たりのエレメント数 1最大パワー消費 5 Wパッケージタイプ DO-15ツェナータイプ 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 5%ピン数 2テスト電流 220mA最大ツェナーインピーダンス 1Ω最大逆漏れ電流 1μA寸法 8.89 3.68 3.68mm動作温度 Min -65 ℃ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 7.5V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 7.5V スルーホール 1 Wonsemi
799税込879
1箱(100個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)34最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)4
onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, トランジスタ出力, FOD817B300 onsemionsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, トランジスタ出力, FOD817B300onsemi
419税込461
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●入力電流タイプ:DC●最大電流変換率:2.6チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP-B実装タイプスルーホール実装標準上昇時間18μs標準降下時間18μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)70最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET100 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
239税込263
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)170最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)6最大ゲートしきい値電圧(V)2最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ1.8 nC @ 10 V最大パワー消費360 mW
onsemi 汎用 整流ダイオード, 3A, 200V スルーホール, 2-Pin DO-201AD シリコンジャンクション 1V onsemionsemi 汎用 整流ダイオード, 3A, 200V スルーホール, 2-Pin DO-201AD シリコンジャンクション 1Vonsemi
469税込516
1袋(10個)
5日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-201AD●最大連続 順方向電流 : 3A●ピーク逆繰返し電圧 : 200V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : 汎用●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 1V●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●直径 : 5.3mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 200A●メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 ARoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 1000V, 8.51 x 6.5 x 2.6mm, DF10S onsemionsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 1000V, 8.51 x 6.5 x 2.6mm, DF10Sonsemi
839税込923
1袋(10個)
5日以内出荷
ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 8.51mm高さ = 2.6mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 24V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 24V スルーホール 1 Wonsemi
829税込912
1袋(100個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 24V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 10.5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 12V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 12V スルーホール 1 Wonsemi
999税込1,099
1箱(100個)
5日以内出荷から6日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲: 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(nA)500ツェナータイプ電圧レギュレータツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)9
onsemi ツェナーダイオード 15V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 15V スルーホール 1 Wonsemi
449税込494
1箱(20個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲: 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格寸法(mm)5.21×2.72×2.72ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)15最大逆漏れ電流(nA)500ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)15
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピンonsemi
329税込362
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)500最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5最大ゲートしきい値電圧(V)3最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費830 mW
onsemi 小信号 整流ダイオード, 300mA, 100V スルーホール, 2-Pin DO-35 シリコンジャンクション 1V onsemionsemi 小信号 整流ダイオード, 300mA, 100V スルーホール, 2-Pin DO-35 シリコンジャンクション 1Vonsemi
329税込362
1箱(50個)
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.53ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)300
onsemi ツェナーダイオード 13V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 13V スルーホール 1 Wonsemi
569税込626
1袋(100個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 13V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 19mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ロジックゲート, OR, 表面実装, 2-入力, 74 onsemionsemi ロジックゲート, OR, 表面実装, 2-入力, 74onsemi
739税込813
1袋(25個)
欠品中
ロジックタイプ = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS
onsemi スイッチングダイオード 表面実装, 1A, 200V, シングル,エレメント数 1 DO-214BA (GF1), 2-Pin 1.1V onsemionsemi スイッチングダイオード 表面実装, 1A, 200V, シングル,エレメント数 1 DO-214BA (GF1), 2-Pin 1.1Vonsemi
2,898税込3,188
1袋(50個)
5日以内出荷
ダイオード構成 = シングルA実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 200Vパッケージタイプ = DO-214BA (GF1)最大順方向降下電圧 = 1.1V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 4.7mm幅 = 2.9mm高さ = 2.7mm寸法 = 4.7 x 2.9 x 2.7mmFairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92 onsemionsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92onsemi
1,998税込2,198
1箱(50個)
5日以内出荷
仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 2最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンonsemi
299税込329
1個
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:50 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:125 nC @ 20 VシリーズMegaFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。パッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)131チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi 反射型 光センサ 4-Pin SMD 表面実装 onsemionsemi 反射型 光センサ 4-Pin SMD 表面実装onsemi
679税込747
1箱(5個)
5日以内出荷
長さ(mm)3.6幅(mm)2.9寸法(mm)3.6×2.9×1.7高さ(mm)1.7チャンネル数1ピン数(ピン)4動作温度(℃)-40 → +85RoHS指令(10物質対応)対応特性反射型フォトインタラプタ. フォトトランジスタ出力付き反射型 エミッタとディテクタの向きが同じ 小型 誤検出を最小限度に抑える可視光ブロック 光学IC (GP2A231LRSAF)、TTL直接接続に対応パッケージSMD実装タイプ表面実装標準上昇時間20μs標準降下時間20μs出力デバイスフォトトランジスタ最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 800 mA, BC33740TA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 800 mA, BC33740TAonsemi
259税込285
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)800トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100最大パワー消費625 mW
onsemi 小信号 整流ダイオード, 500mA, 200V スルーホール, 2-Pin DO-35 シリコンジャンクション 1V onsemionsemi 小信号 整流ダイオード, 500mA, 200V スルーホール, 2-Pin DO-35 シリコンジャンクション 1Vonsemi
2,398税込2,638
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.91ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4ピーク逆回復時間(ns)50最大連続順方向電流(mA)500
onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, トランジスタ出力, H11AA1M onsemionsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, トランジスタ出力, H11AA1Monsemi
569税込626
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●入力電流タイプ:AC●最小電流伝送率:0.2チャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5
onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, トライアック出力, MOC3021M onsemionsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, トライアック出力, MOC3021Monsemi
459税込505
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●入力電流タイプ:DC●論理出力:ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)7500ac
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC559BTA onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC559BTAonsemi
2,898税込3,188
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-30最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-30トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン420最大動作周波数(MHz)10
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 200 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET60 V 200 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピンonsemi
969税込1,066
1袋(20個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4.19mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 61 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET200 V 61 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンonsemi
239税込263
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 61 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ UniFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 41 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 417000 mWトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V幅 4.83mm高さ 9.4mmUniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード, 1A, 30V スルーホール, 2-Pin DO-41 ショットキーバリア onsemionsemi 整流ダイオード, 1A, 30V スルーホール, 2-Pin DO-41 ショットキーバリアonsemi
34税込37
1個
3日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-41●最大連続 順方向電流 : 1A●ピーク逆繰返し電圧 : 30V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●直径 : 2.7mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 25A●ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 質量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオードRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード, 1A, 20V スルーホール, 2-Pin DO-41 ショットキーバリア 750mV onsemionsemi 整流ダイオード, 1A, 20V スルーホール, 2-Pin DO-41 ショットキーバリア 750mVonsemi
359税込395
1袋(5個)
翌々日出荷
実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 20Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 750mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25AON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 51V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 51V スルーホール 5 Wonsemi
339税込373
1袋(5個)
翌々日出荷
標準ツェナー電圧 = 51V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 27Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 14V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 14V スルーホール 5 Wonsemi
559税込615
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 5 W●パッケージタイプ : Surmetic 40●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : 5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 100mA●最大ツェナーインピーダンス : 75Ω●最大逆漏れ電流 : 1μA●寸法 : 3.68 (Dia.) x 8.89mm●動作温度 Min : -65 ℃●ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. ON Semiconductor 1N53 シリーズは、 Surmetic(TM) 40 アキシャルリード 5 W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、隙間のない転送成形の熱硬化性プラスチック製成形パッケージを備えており、最も一般的な環境条件で保護します。電圧レギュレータは厳格な制限を備え、シリコン酸化物不動態化ジャンクションの優れた機能を反映した優れた動作特性を備えています。外面は耐腐食性で、リードは簡単にはんだ付けできます. 用途. 産業用RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード, 3A, 40V スルーホール, 2-Pin DO-201AD ショットキーバリア 950mV onsemionsemi 整流ダイオード, 3A, 40V スルーホール, 2-Pin DO-201AD ショットキーバリア 950mVonsemi
539税込593
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-201AD●最大連続 順方向電流 : 3A●ピーク逆繰返し電圧 : 40V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 950mV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●直径 : 5.3mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 80A●メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージRoHS指令(10物質対応)対応
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