制御機器 ：「110v20w」の検索結果

PE4104AJは、NEMAタイプの電源アウトレットを4箇所搭載し、IT機器の電源をTCP/IPネットワーク経由でリモートから制御できるIPコントロールボックスです。 各種機器の電源をセキュアかつインテリジェントな方法で一元管理できるため、システム保守の運用コストを最小限に抑えることができます。 NEMA電源アウトレット搭載(入力接続：NEMA5-15P、アウトレットタイプ：NEMA5-15R) アウトレット単位での電源制御(ON、OFF、切断後再投入)が可能 各ポートに対して電源投入シーケンスと遅延時間の設定ができるため、正しい順序で機器への電源投入が可能 自動Ping機能 - 接続機器の死活監視 eco PDU対応 エネルギー&DCIM管理ソフトウェア eco DC対応 スケジューリング機能搭載

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ STripFET。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 1V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 6.2mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 55 V。シリーズ STripFET F3。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。長さ 6.6mm。高さ 2.4mm。NチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

出力電圧 = 5V dc。出力電流 = 20A。定格電力 = 100W。出力数 = 1。入力電圧 = 110 → 175 V dc， 85 → 132 V ac。実装タイプ = シャーシマウント。パッケージタイプ = オープンフレーム。長さ = 155mm。幅 = 62mm。奥行き = 29mm。効率 = 85%。重量 = 290g。VS-E シリーズ、シングル出力、 50 → 150 W. 高効率化と待機電力低減 従来品比率約30%の小型化 産機用途を考慮し、50℃で100%を実現

Traco Power の tmdc 20H シリーズ絶縁コンバータは、産業用 DC/DC オフボードモジュールの TMDC ラインで動作します。このコンバータは、2 ： 1 の高入力電圧及び 3000 V ac の強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は 80 → 160 V dc です 動作温度範

Traco Power の tmdc 20H シリーズ絶縁コンバータは、産業用 DC/DC オフボードモジュールの TMDC ラインで動作します。このコンバータは、2 ： 1 の高入力電圧及び 3000 V ac の強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は 80 → 160 V dc です 動作温度範

Traco Power の tmdc 20H シリーズ絶縁コンバータは、産業用 DC/DC オフボードモジュールの TMDC ラインで動作します。このコンバータは、2 ： 1 の高入力電圧及び 3000 V ac の強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は 80 → 160 V dc です 動作温度範

Traco Power の tmdc 20H シリーズ絶縁コンバータは、産業用 DC/DC オフボードモジュールの TMDC ラインで動作します。このコンバータは、2 ： 1 の高入力電圧及び 3000 V ac の強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は 80 → 160 V dc です 動作温度範

Traco Power の tmdc 20H シリーズ絶縁コンバータは、産業用 DC/DC オフボードモジュールの TMDC ラインで動作します。このコンバータは、2 ： 1 の高入力電圧及び 3000 V ac の強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は 80 → 160 V dc です 動作温度範囲： -40 → +85 ℃ イミュニティ( EN55035 )及びエミッション( EN55032 )用のフィルタを内蔵 過負荷電圧に対する保護 低電圧及び短絡から保護します

Traco Power の tmdc 20H シリーズ絶縁コンバータは、産業用 DC/DC オフボードモジュールの TMDC ラインで動作します。このコンバータは、2 ： 1 の高入力電圧及び 3000 V ac の強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は 80 → 160 V dc です 動作温度範囲： -40 → +85 ℃ イミュニティ( EN55035 )及びエミッション( EN55032 )用のフィルタを内蔵 過負荷電圧に対する保護 低電圧及び短絡から保護します

Traco Power の tmdc 20H シリーズ絶縁コンバータは、産業用 DC/DC オフボードモジュールの TMDC ラインで動作します。このコンバータは、2 ： 1 の高入力電圧及び 3000 V ac の強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は 80 → 160 V dc です 動作温度範囲： -40 → +85 ℃ イミュニティ( EN55035 )及びエミッション( EN55032 )用のフィルタを内蔵 過負荷電圧に対する保護 低電圧及び短絡から保護します

TEQ-20WIR シリーズは、超ワイドな 4 ： 1 入力電圧範囲に対応する、絶縁型高性能鉄道 DC-DC コンバータモジュールのファミリです。頑丈な金属ケースに収容されています。このコンバータは幅広い用途に適していますが、この製品は、基板実装が不可能でもモジュールをシャーシに取り付ける必要がある産業用途向けに特に設計されています。非常に高い効率と

TEQ-20WIR シリーズは、超ワイドな 4 ： 1 入力電圧範囲に対応する、絶縁型高性能鉄道 DC-DC コンバータモジュールのファミリです。頑丈な金属ケースに収容されています。このコンバータは幅広い用途に適していますが、この製品は、基板実装が不可能でもモジュールをシャーシに取り付ける必要がある産業用途向けに特に設計されています。非常に高い効率と

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

TRACO DC/DC コンバータは本来、過酷な産業環境に対応するよう設計されており、サージ、バースト、放射妨害、衝撃 / 振動に対する高い EMC 耐性、熱衝撃耐性を備えているため、厳しい要件にも幅広く使用されています。4:1の超ワイド入力電圧範囲: 936、1875 V dc 鉄道用途でEN50155認定 最大89%の超高効率 シャーシ及び壁面取り付け 3年間の製品保証

200WIRシリーズの絶縁、高性能DC-DCコンバータモジュールは、超ワイドな4:1入力電圧範囲に対応し、頑丈な金属ケースに収容されています。熱対流性の優れた高出力ブロック 動作温度: -40 → +70℃、ディレーティングなし 耐衝撃性と耐振性を向上 4:1の超ワイド入力電圧範囲 鉄道用途でEN50155認定

100WIRシリーズの絶縁、高性能DC-DCコンバータモジュールは、超ワイドな4:1入力電圧範囲に対応し、頑丈な金属ケースに収容されています。動作温度: -40 → +85℃、ディレーティングなし 耐衝撃性と耐振性を向上 4:1の超ワイド入力電圧範囲 鉄道用途でEN50155認定 最大90 %の優れた効率

TRACO POWER TEN 60WIR は、高耐久性の 60 W 鉄道認定 DC/DC コンバータシリーズで、4 ： 1 の幅広い入力電圧範囲に対応し、電磁干渉、衝撃 / 振動、熱衝撃に対する耐性を高めています。標準バージョンには、この 2 インチ x 1 インチの金属パッケージコンバータ用に特別に設計された組み立て済みヒートシンクが付属しています。最大 92 % の高効率ととも

TRACO POWER TEN 60WIR は、高耐久性の 60 W 鉄道認定 DC/DC コンバータシリーズで、4 ： 1 の幅広い入力電圧範囲に対応し、電磁干渉、衝撃 / 振動、熱衝撃に対する耐性を高めています。標準バージョンには、この 2 インチ x 1 インチの金属パッケージコンバータ用に特別に設計された組み立て済みヒートシンクが付属しています。最大 92 % の高効率とともに、このコンバータは -40+70 ℃ の有効な動作温度範囲をディレーティングなしで実現します。動作温度範囲: -40 → +90℃ I/O絶縁: 3，000 V dc 効率: 92% 電圧低下ロックアウト回路 調整可能な出力電圧とリモートオン / オフ 鉄道用途では EN50155 及び EN61373 の認定を受けています EN45545-2 準拠の火災挙動に対する認定を取得しています

TRACO POWER TEP 60UIR は、12 ： 1 の超ワイド入力電圧範囲に対応する高性能 60 W 鉄道 DC/DC コンバータシリーズで、小型 ブリック( 2.3 インチ x 1.45 インチ x 0.5 インチ)金属製パッケージを特長としています。超ワイド入力により、このコンバータは、同じ用途で異なる電圧範囲をカバーする必要がある場合にオールインワンソリューションとして機能

TRACO POWER TEP 40UIR は、12 ： 1 の超ワイド入力電圧範囲の高性能 40 W 鉄道 DC/DC コンバータシリーズで、小型 ブリック( 2.3 インチ x 1.45 インチ x 0.5 インチ)金属製パッケージを特長としています。超ワイド入力により、このコンバータは、同じ用途で異なる電圧範囲をカバーする必要がある場合にオールインワンソリューションとして機能し、複数

TRACO POWER TEP 60UIR は、12 ： 1 の超ワイド入力電圧範囲に対応する高性能 60 W 鉄道 DC/DC コンバータシリーズで、小型 ブリック( 2.3 インチ x 1.45 インチ x 0.5 インチ)金属製パッケージを特長としています。超ワイド入力により、このコンバータは、同じ用途で異なる電圧範囲をカバーする必要がある場合にオールインワンソリューションとして機能し、複数の異なるコンバータを設置する問題を解決します。これらのモジュールに内部回路が実装されているため、高電圧コンデンサを使用しなくても全入力範囲に対応できるため、保持時間を簡単に延長できます。バスピンにより、保持時間を簡単に延長可能 動作温度範囲： -40 → +75 ℃ I/O 絶縁： 3 ’ 000 V ac 効率： 91 % 調整可能な出力電圧、リモートオン / オフ、調整可能な低電圧ロックアウト 鉄道用途では EN50155 及び EN61373 の認定を受けています EN45545-2 準拠の火災挙動に対する認定を取得しています

TRACO POWER TEP 40UIR は、12 ： 1 の超ワイド入力電圧範囲の高性能 40 W 鉄道 DC/DC コンバータシリーズで、小型 ブリック( 2.3 インチ x 1.45 インチ x 0.5 インチ)金属製パッケージを特長としています。超ワイド入力により、このコンバータは、同じ用途で異なる電圧範囲をカバーする必要がある場合にオールインワンソリューションとして機能し、複数の異なるコンバータを設置する問題を解決します。これらのモジュールに内部回路が実装されているため、高電圧コンデンサを使用しなくても全入力範囲に対応できるため、保持時間を簡単に延長できます。バスピンにより、保持時間を簡単に延長可能 動作温度範囲: 40 → +85℃ I/O 絶縁： 3 ’ 000 V ac 効率： 91 % 調整可能な出力電圧、リモートオン / オフ、調整可能な低電圧ロックアウト 鉄道用途では EN50155 及び EN61373 の認定を受けています EN45545-2 準拠の火災挙動に対する認定を取得しています

TRACO POWER TEP 60UIR は、12 ： 1 の超ワイド入力電圧範囲に対応する高性能 60 W 鉄道 DC/DC コンバータシリーズで、小型 ブリック( 2.3 インチ x 1.45 インチ x 0.5 インチ)金属製パッケージを特長としています。超ワイド入力により、このコンバータは、同じ用途で異なる電圧範囲をカバーする必要がある場合にオールインワンソリューションとして機能し、複数の異なるコンバータを設置する問題を解決します。これらのモジュールに内部回路が実装されているため、高電圧コンデンサを使用しなくても全入力範囲に対応できるため、保持時間を簡単に延長できます。バスピンにより、保持時間を簡単に延長可能 動作温度範囲： -40 → +75 ℃ I/O 絶縁： 3 ’ 000 V ac 効率： 91 % 調整可能な出力電圧、リモートオン / オフ、調整可能な低電圧ロックアウト 鉄道用途では EN50155 及び EN61373 の認定を受けています EN45545-2 準拠の火災挙動に対する認定を取得しています

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)