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制御機器 ：「110v20w」の検索結果
制御機器は機器を制御する回路の為のスイッチ、リレー、コントロールボックス等の総合カテゴリーです。制御機器のリレーとは、スイッチやタイマーと連動し一定条件で電流のオン・オフを行うものです。制御機器内には電源の接点があり、国際規格のIEC規格に準拠しているものや、JISに準拠しているものがあります。JISとIECは内容の整合がはかられていますが、その対応はIDT、MOD、NEQと分かれています。この中でNEQはIECと同等とは認められません。
4ポート電源リブーター
ATEN￥51,980税込￥57,1781台当日出荷PE4104AJは、NEMAタイプの電源アウトレットを4箇所搭載し、IT機器の電源をTCP/IPネットワーク経由でリモートから制御できるIPコントロールボックスです。 各種機器の電源をセキュアかつインテリジェントな方法で一元管理できるため、システム保守の運用コストを最小限に抑えることができます。 NEMA電源アウトレット搭載(入力接続：NEMA5-15P、アウトレットタイプ：NEMA5-15R) アウトレット単位での電源制御(ON、OFF、切断後再投入)が可能 各ポートに対して電源投入シーケンスと遅延時間の設定ができるため、正しい順序で機器への電源投入が可能 自動Ping機能 - 接続機器の死活監視 eco PDU対応 エネルギー&DCIM管理ソフトウェア eco DC対応 スケジューリング機能搭載用途電源制御(ON、OFF、切断後再投入)の遠隔管理によるシステム運用保守の省力化仕様ブレーカー：有、計測：無、アウトレット切替：有質量(kg)ケース：0.9タイプアウトレット：Nema5-15R×4規格EMC認証：CE-EMC、安全性検証：CE消費電力(W)AC110V:3.1:20BTU、AC220V:3.5:22BTUケーブル長(m)1.8定格入力電圧(V)AC100～120出力電流(A)アウトレット：最大 15、バンク：最大 15、合計：最大 15寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)ケース：44×115×200インターフェース入力側：Nema5-15P入力周波数(Hz)50～60定格出力電圧(V)AC100～120負荷容量1800VA(最大)保管温度(℃)-20～60使用環境湿度(%)0～80RH、結露なきことRoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)0～50最大入力電流(A)15
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omron(オムロン)￥1,498～税込￥1,648～1個ほか32日以内出荷から82日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)形状S-VSON(L)4接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子保管温度(℃)-40~+125最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)￥1,498～税込￥1,648～1個62日以内出荷から82日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)形状S-VSON(L)4接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子保管温度(℃)-40~+125最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□
omron(オムロン)￥1,598税込￥1,7581個62日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)形状S-VSON(L)4品番負荷電圧_ 20V， 連続負荷電流_ 450mA (G3VM-21QR1)電流(A)【パルスオン(出力側)】1.35 (t=100ms、Duty=1/10)接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子連続負荷電流(mA)【ピークAC/DC(出力側)】450保管温度(℃)-40~+125電流低減率(mA/℃)【出力側】(オン)-4.5 (Ta≧25℃)、【直流順(入力側)】-0.235 (Ta≧25℃)最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6最大負荷電圧(V)【AC/DC_出力側】20接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□
omron(オムロン)￥1,798税込￥1,9781個82日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)形状S-VSON(L)4品番負荷電圧_ 20V， 連続負荷電流_ 450mA (G3VM-21QR1)電流(A)【パルスオン(出力側)】1.35 (t=100ms、Duty=1/10)接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子連続負荷電流(mA)【最大】450mA、【ピークAC/DC(出力側)】450mA保管温度(℃)-40~+125電流低減率(mA/℃)【出力側】(オン)-4.5 (Ta≧25℃)、【直流順(入力側)】-0.235 (Ta≧25℃)最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6最大負荷電圧(V)【AC/DC_出力側】20接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)￥1,498税込￥1,6481個82日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)形状S-VSON(L)4接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子保管温度(℃)-40~+125最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125
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