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制御機器 ：「FEX」の検索結果
制御機器は機器を制御する回路の為のスイッチ、リレー、コントロールボックス等の総合カテゴリーです。制御機器のリレーとは、スイッチやタイマーと連動し一定条件で電流のオン・オフを行うものです。制御機器内には電源の接点があり、国際規格のIEC規格に準拠しているものや、JISに準拠しているものがあります。JISとIECは内容の整合がはかられていますが、その対応はIDT、MOD、NEQと分かれています。この中でNEQはIECと同等とは認められません。
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本日4月6日(月)は、制御機器/はんだ・静電気対策用品カテゴリの全商品がキャンペーンコード入力で通常価格より10％引き！
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JST 圧着抜き取り工具 YRSシリーズJST(日本圧着端子製造)￥39,980税込￥43,978
1個
当日出荷
仕様シリーズ = YRS製品用途の情報. このEJ-JWPF抜き取り工具は、SWPR-001T-P025及びSWPT-001T-P025の圧着コンタクトを抜き取るのに使用されます。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥2,798税込￥3,078
1袋(20個)
当日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Schmersal アクチュエータ EX-BNS 250 Safety Switch 磁気式SCHMERSAL￥5,910～税込￥6,501～
1個
当日出荷から翌々日出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥589税込￥648
1袋(2個)
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 57 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 38 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンINFINEON￥2,598税込￥2,858
1袋(5個)
翌々日出荷
PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 38 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 150 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay コンデンサ 47μF， ，450V dc， MAL204317479E3VISHAY￥8,998税込￥9,898
1袋(5個)
翌々日出荷
静電容量 = 47μF電圧 = 450V dc実装タイプ = アキシアル、 スルーホールテクノロジー = アルミ電解寸法 = 18 (Dia.) x 38mm高さ = 38mm動作温度 Min = -40℃直径 = 18mm動作温度 Max = +85℃リード間隔 = 44mm等価直列抵抗 = 3.2Ω043 ASH Series. Life expectancy 2000 hours
RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥469税込￥516
1袋(2個)
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンINFINEON￥1,898税込￥2,088
1袋(10個)
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 400 mA， 3 ピン パッケージSOT-89nexperia￥659税込￥725
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.8V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 49 nsNチャンネルMOSFET、100 V以上、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
ダブルバスレフエンクロージャー組立キット(2台1組)ワンダーピュア(4件のレビュー)￥9,998税込￥10,998
1台
3日以内出荷
8cmユニットから驚異の重低音!8cmフルレンジ・スピーカーユニット/WP-FL08対応のダブルバスレフエンクロージャー組立キットです。ユニット取付穴径は72mmで、FOSTEX製スピーカーユニット/FE83Enにも対応します。金メッキスピーカーターミナル、スピーカーケーブル付属。
付属品金メッキスピーカーターミナル×2個、スピーカーケーブル×2本材質エンクロージャー：MDF質量(kg)5形式ダブルバスレフ型板厚(mm)15寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)140×450×315ユニット取付穴径(Φmm)72スピーカーユニット別売推奨：ワンダーピュア：WP-FL08、FOSTEX：FE83En等
Knipex 圧着工具 Wire Ferrule プライヤーKNIPEX(クニペックス)￥6,798税込￥7,478
1個
3日以内出荷
仕様圧着工具種類：プライヤー●全長：145mm●Knipex台形圧着プロファイル. 高品質のKnipex圧着プライヤーは、台形形状のエンドスリーブやフェルールを圧着する用途向けに設計されています。このハンディタイプの圧着工具は、0.25 → 2.5 mm2のサイズの素材を圧縮する設計で、特に、通常は高品質でスリムなサポートにより、制御システムのターミナルストリップを圧縮できます。台形の断面の4つの圧着ダイは明確に視認でき、エンドスリーブが正しく挿入されていることを確認できるようにマークされています。ユーザーが正しい圧着ダイを選択している場合、エンドフェルールを圧着するために手動で力を加えると、エンドスリーブは導体内に留まり、正確で信頼性の高い圧着であることを確認可能です。 特長と利点 DIN46228パート1+4に適合する、0.25 → 2.5 mm2の台形エンドスリーブ(フェルール)を圧着する場合に使用 4つの台形断面(圧着ダイ) バナジウム電炉鋼、鍛造、油焼き入れ プラスチックコーティングのハンドル 安全な位置決めと圧着に対応する明確なマーク 代表的用途 この圧着プライヤーは、次の作業に使用できます。 制御システム IT 家庭用電気設備 電子システム 製品のメンテナンス方法 機能的に良好な状態を保ち、長寿命を維持するには、軸部分や他の稼働部分に定期的に潤滑剤を供給する必要があります。 工具が埃などの汚れに曝されている場合は、少なくとも10，000サイクルごとに潤滑剤*を供給することをお勧めします。 圧着ダイネストの調整も確認する必要があります。工具の予荷重が大幅に減少している場合は、圧力調整軸の再調整が必要です。 *低粘度の非鉱物油を使用 高品質な圧着の重要性 端子に圧着工具を使用する場合、2つの圧着が同時に行われます。1つは導体と端子間の電気接続です。もう1つは、振動と張力に対するストレインリリーフを提供する絶縁圧着です。電気接続は、ワイヤストランドと端末の間に空隙がない、気密接続にすることが重要です。空隙があると、腐食が発生して抵抗と加熱が発生し、電気接続に損傷が発生する可能性があります。良質の圧着工具を使用することにより、完全な気密性の圧着を実現でき、電気接続と絶縁の将来の劣化を防止することができます。
Knipex 圧着ピンコンタクト Bootlace Ferrule プライヤーKNIPEX(クニペックス)￥99,980税込￥109,978
1個
3日以内出荷
仕様圧着工具種類：プライヤー●全長：190mm●RoHS指令(10物質対応)対応
フランジ足付ヒートシンクアルミケース EMCシールドタイプ EXHFEシリーズタカチ電機工業￥3,198～税込￥3,518～
1台
4日以内出荷
上面がヒートシンク形状で、効率良く放熱が出来る形状の熱対策アルミケースです。フランジ足付のため、壁付けが容易です。壁付けしない時は、切欠部に付属の差込ゴム足を取付ける事が出来ます。カバー内部を無処理とし、導電性ガスケットを使用する事でEMCシールド効果を持たせました。
色メタリックシルバー材質アルミ板、アルミ押出材、導通性繊維・TPERoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 12 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥95税込￥105
1個
5日以内出荷
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 19 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
CAMDENBOSS パイロットランプ， 125V， 緑， 実装ホールサイズ:6.4mm， IND515205-125-T/GRNCAMDENBOSS￥619税込￥681
1個
5日以内出荷
fixing nut and washer. 6.4mm Mount Neon Indicators. 7mm coloured diffused polycarbonate lens Nickel plated brass bezel 125V type suitable for 110-125V a.c. 250V types suitable for 200-250V a.c. Opal lens illuminates orange Average life expectancy 10000 hours when ran at 115V ； 230V respectively
仕様定格電圧 = 125Vライト出力色 = 緑実装ホールサイズ = 6.4mmランプタイプ = ネオン終端タイプ = リードワイヤベゼルスタイル = 突起ベゼル色 = クロム定格電流 = 1mARoHS指令(10物質対応)対応
I2C用双方向レベルシフタボードスイッチサイエンス￥459税込￥505
1個
5日以内出荷
I2C通信用のレベルシフトボードです。
Nexperia社製のデュアルNチャンネルFETのBSS138PSを使用しています。
5V系回路と3.3V系回路間でI2C通信をするために使用します。
プルアップ抵抗を実装済みです。
Infineon N， Pチャンネル MOSFET20 V 1.7 A、2.4 A 表面実装 パッケージMSOP 8 ピンINFINEON￥129税込￥142
1個
5日以内出荷
デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 1.7 A、2.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = MSOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ， 270 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.7V最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V最大パワー消費 = 1250 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 5.3 nC @ 4.5 V、5.4 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 350 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥869税込￥956
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 350 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 380000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 220 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 130 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥589税込￥648
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 130 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 100 nC @ 4.5 V動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 57 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥349税込￥384
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 130 nC @ 10 Vmm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 17 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンINFINEON￥2,598税込￥2,858
1袋(20個)
5日以内出荷から7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 70 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 94 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥969税込￥1,066
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 94 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 580 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 180 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 9.4 A スルーホール パッケージIPAK (TO-251) 3 ピンINFINEON￥209税込￥230
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 210 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 42 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥269税込￥296
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 42 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
CAMDENBOSS パイロットランプ， 240V， 赤， 実装ホールサイズ:6.4mm， IND515205-240-T/RDCAMDENBOSS￥1,398税込￥1,538
1個
5日以内出荷
fixing nut and washer. 6.4mm Mount Neon Indicators. 7mm coloured diffused polycarbonate lens Nickel plated brass bezel 125V type suitable for 110-125V a.c. 250V types suitable for 200-250V a.c. Opal lens illuminates orange Average life expectancy 10000 hours when ran at 115V ； 230V respectively
仕様定格電圧 = 240Vライト出力色 = 赤実装ホールサイズ = 6.4mm終端タイプ = リードワイヤベゼルスタイル = 突起ベゼル色 = クロム定格電流 = 800μARoHS指令(10物質対応)対応
CAMDENBOSS パイロットランプ， 240V， 緑， 実装ホールサイズ:6.4mm， IND515205-240-T/GRNCAMDENBOSS￥1,298税込￥1,428
1個
5日以内出荷
fixing nut and washer. 6.4mm Mount Neon Indicators. 7mm coloured diffused polycarbonate lens Nickel plated brass bezel 125V type suitable for 110-125V a.c. 250V types suitable for 200-250V a.c. Opal lens illuminates orange Average life expectancy 10000 hours when ran at 115V ； 230V respectively
仕様定格電圧 = 240Vライト出力色 = 緑実装ホールサイズ = 6.4mmランプタイプ = ネオン終端タイプ = リードワイヤベゼルスタイル = 突起ベゼル色 = クロム定格電流 = 800μARoHS指令(10物質対応)対応
CAMDENBOSS パイロットランプ， 125V， 赤， 実装ホールサイズ:6.4mm， IND515205-125-T/RDCAMDENBOSS￥899税込￥989
1個
5日以内出荷
fixing nut and washer. 6.4mm Mount Neon Indicators. 7mm coloured diffused polycarbonate lens Nickel plated brass bezel 125V type suitable for 110-125V a.c. 250V types suitable for 200-250V a.c. Opal lens illuminates orange Average life expectancy 10000 hours when ran at 115V ； 230V respectively
仕様定格電圧 = 125Vライト出力色 = 赤実装ホールサイズ = 6.4mm終端タイプ = リードワイヤベゼルスタイル = 突起ベゼル色 = クロム定格電流 = 1mARoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex MOSFETゲートドライバ ローサイド 非反転DiodesZetex￥109,800税込￥120,780
1セット(3000個)
5日以内出荷
供給電圧 = 25Vトポロジー = ローサイドドライバ数 = 1極性 = 非反転ゲートドライバトランジスタ、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET40 V 7 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンDiodesZetex￥109,800税込￥120,780
1セット(1000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET60 V 4.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンDiodesZetex￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.1 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmデュアルPチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET60 V 3 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンDiodesZetex￥129,800税込￥142,780
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.1mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 600 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピンDiodesZetex￥239,800税込￥263,780
1袋(4000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 600 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 700 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET50 V 130 mA 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピンDiodesZetex￥28,980税込￥31,878
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 130 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-323実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.35mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET30 V 4.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex￥77,980税込￥85,778
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.4 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm高さ = 1.12mmNチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET60 V 1.1 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex￥81,980税込￥90,178
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 806 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.05mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET100 V 1.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンDiodesZetex￥189,800税込￥208,780
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.8mm高さ = 1.3mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
『制御機器/はんだ・静電気対策用品』には他にこんなカテゴリがあります
- 制御機器
- はんだ関連・静電気対策用品
