制御機器 ：「SC3N」の検索結果

コンパクトな取り付けスペース 安定した出力電圧精度 正弦波出力(正弦歪率) 負荷変動フィードバック機能 高効率(95%以上)、高力率(0.98以上)を実現 入出力にノイズフィルター内臓 3種類の保護機能を搭載 過電流リミッター ピーク電流リミッター ピーク過電流検出時出力遮断 旧タイプWSA・WSCシリーズを機能、性能を維持したまま小型・ローコスト化したNewタイプです。

国際規格(IEC規格)に対応するグローバルスタンダード製品 海外規格(IEC、EN、VDE、BS、UL、CSA)に標準品で適合・認定取得 補助接点は、高接触信頼性の双接点を標準装備(03～N12形) IC搭載スーパーマグネットによる高運転信頼性(N6～N16形)

ワンタッチで補助接点の増設ができます。ヘッドオンユニットは取付け面積を変更することなく補助接点の追加ができますので、制御盤の小形化に貢献します。接触信頼性の高い双接点を採用することにより、DC5V、3mAの最小使用電圧、電流値を実現しました。

手元操作用の I(閉路)O(遮断)押しボタンスイッチを内蔵したケースカバー付電磁開閉器です。 サーマルリレーがトリップ動作した場合，Oボタンスイッチを押すことにより、外部からリセットできます。 すっきりとしたデザインのプラスチック製ケースカバーを採用しており、電気用品安全法に準拠したPS-Eマークを表示しております。

コイルOFF時に発生するサージ電圧を吸収する素子(バリスタ、またはCR)を内蔵しており、電磁接触器、開閉器周囲の電子回路の誤動作、回路破壊等のサージ電圧の影響を抑制します。 電磁接触器、補助継電器のコイル端子に接続端子を共締めするだけで、簡単に取付けられ、取付面積も不要な省スペースタイプです。

高信頼性の直流用コイルを採用しています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 915 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SC-75。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -6 V， +6 V。幅 = 1.6mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SC-75。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 280 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -6 V， +6 V。幅 = 0.86mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor

ワンタッチで補助接点の増設ができます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 0.85mm。高さ = 0.8mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

正面全体を覆うことにより、充電部の露出を防止し、保守、点検時の安全性を高めます。

2台の電磁接触器を連結させて、機械的インターロックを行います。

国際規格(IEC規格)に対応するグローバルスタンダード製品、海外規格(IEC，EN，VDE.BS，UL，CSA)に標準品で適合・認定取得、補助接点は、高接触信頼性の双接点を標準装備(03～N3形)、電気的耐久性200万回(03～N3形)、豊富なオプションユニット(03～N3形)、IC搭載スーパーマグネットによる高運転信頼性(N6～N16形)