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伸縮性があり、周囲を糸で特殊織しているため、強度があります。

可とう性にすぐれていますので電気機器の作動部の取り付けに適しています。 より線に比べて表面積が大きいため放熱効果にすぐれ安全電流が大きく採れます。 機器の振動を吸収するため端子が緩みにくくなります。

先端に真鍮のパッドが付いたネジです。 シャフトを傷つけず締め付けができます。

USB差込口(USBメスコネクタ)を保護する防塵カバーです。 プラグ式で差し込むだけで簡単に入れ込むことが出来ます。

組立容易なツーピース構造(分割型)で、合わせ溝に独特の段差を設け、コネクタフランジを確実に覆いシールド効果を高めた軽量フードです。

JIS規格シャックルです。サイズが豊富でいろいろな用途でご使用いただけます。

世界に誇る口元1μmの振れ精度は超高速回転にもバツグンの威力を発揮します。

スタンダードなシャックルです。サイズが豊富でいろいろな用途でご使用いただけます。ステンレス製なので錆に強いです。

●オプトケーブルカバー内への小動物の侵入を防ぎます。

手に馴染みやすい六角形の樹脂ノブ、先端に真鍮・樹脂パッドを付けた製品です。用途や相手物の材質に応じてパッド部の選択が可能です。締め込んだ際、相手物にパッドが当たり固定することができます。また、真鍮・樹脂素材なので相手物を傷つけることなく保持できます。

外径インチネジ、内径メートル並目ネジ穴の変換用アダプタです。既存のユニファイ並目(UNC)ネジ穴にインサートすることでメートル並目ネジ穴へ変換できます。輸入品などのインチ、ユニファイ規格穴に対し、国内規格のネジを使用することができます。六角頭タイプなので簡単にスパナ等で締め付けることができます。外径ユニファイ細目(UNF)のタイプもございます。

RoHS指令相当品

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 220。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 200 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -65 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 220。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 200 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 420。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 200 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 420。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

フィルタエレメントを使用しない構造により大流量、メンテナンスフリーを実現。遠心力で水滴除去(水滴分離率99%)。 水滴を含んだ空気を旋回させ、遠心分離によって水滴を除去します。フラットで一体感のあるデザイン

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 150 mW。最小DC電流ゲイン = 110。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc