「si ウェハ」の検索結果
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
抵抗値0.1～100Ω・cm
製造方法CZ法
位置【OF】110
方位【面】100
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
製造方法CZ法
使用済みシリコンウェハを再生加工して、再度プロセスに使用できるレベルにまで再生したシリコンウェハです。実験用、教育用など様々な用途に、少量からご提供します。
用途製造プロセス用、研究開発用、実験用、教育用
抵抗値1-100Ω・cm
仕様パーティクル：不問
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ8インチ
直径(Φmm)200±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)725±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、Vノッチ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
￥8,998
税込￥9,898
欠品中
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ6インチ
直径(Φmm)150±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)625±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
￥7,998
税込￥8,798
当日出荷
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ4インチ
直径(Φmm)100±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)525±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
￥6,998
税込￥7,698
当日出荷
ベアシリコンウェハから半導体素子ができるまでの過程を体感できるセット内容です。教育現場での半導体についての説明などにご利用ください。
用途教育用
セット内容ベアウェハ(12インチ)、膜付きウェハ(12インチ) 、パターン付きウェハ(20mm角)、半導体素子(ダイオード/トランジスタ)
種類セット品
1セット
￥15,980
税込￥17,578
5日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
長さ(mm)(OF)47.5±2.5
抵抗値0.1～100Ω・cm
製造方法CZ法
位置(OF)110
方位(面)100
ウェハー厚(μm)625±25
汎用的な成膜用基板として使用されています。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
装置テスト用(成膜・レジスト・フォトリソ・エッチングの条件出し評価、パーティクル測定、搬送評価など)
用途装置テスト用 仕様0.2μm≦30 サイズ12インチ 直径(Φmm)300±0.2 タイプ製造：CZ、導電型：P型 グレードダミー(モニター)
直径(Φmm)300±0.2
タイプ製造：CZ、導電型：P型
グレードダミー(モニター)
仕上Vノッチ、両面ミラー
方位100(面)
ESD安全性ハンドル部はステンレス製で耐酸性・非磁性
種別ウェハー用
ESD安全性ハンドル部はステンレス製で耐酸性・非磁性
種別ウェハー用
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●グレード：ダミーグレード●タイプ：4H●Surface orientation error：＜11-20＞4±0.5 °●ドーパント：N型 Nitrogen●抵抗率：0.015～0.025 ohm・cm●直径：200.0±0.2mm●厚み：500±25 μm●主要ノッチ方位：[1-100]±5 °●主要ノッチ深さ：1-1.5 mm●セカンドオリフラ：None●LTV：≦10(10mm×10mm)μm●TTV：≦15μm●Bow：0±65μm●Warp：≦70μm●(AFM)Front(Si-face)Roughness：Ra≦0.2 nm●マイクロパイプ：≦50ea/cm●金属不純物：NA●TED：NA●BPD：NA●TSD：NA●＜表面状態＞●フロントサイド：Si●面状態：Si-face CMP●パーティークル：NA●スクラッチ：NA●＜裏面状態＞●面状態：C-face polished●スクラッチ：NA ea/mm●裏面粗さ：Ra≦5 nm●レーザーマーク：On●エッジ：Chamfer●Notes："NA" =不問。Items not metioned may refer to SEMI-STD●数量：1枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
アズワン品番67-3018-45
1箱(1枚)
￥454,000
税込￥499,400
23日以内出荷
装置テスト用(成膜・レジスト・フォトリソ・エッチングの条件出し評価、パーティクル測定、搬送評価など)
仕様(パーティクル)0.3μm≦50、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ4インチ
直径(Φmm)100±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)525±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1箱(25枚)
￥89,980
税込￥98,978
欠品中
ウェハーの出荷・保管用の容器です。ウェハーの表を下にして収納します。
ポケットの底は円錘状でウェハーエッジのみ接触します。スプリングでウェハーを固定します。
トレー同士またはトレーとカバーの積み重ねが可能で、トレーは互いに固定して積み重ねることもできます。
オールポリプロピレン製。
材質ナチュラルPP(ポリプロピレン)
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード： プロダクション●直径： 149.5mm～ 150.0mm (6インチ)●厚さ： 350 μm±25 μm●オフ角度： ＜11-20 ＞に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 2 個/cm-2 以下●比抵抗値： 0.015～0.024Ω-cm●オリフラ： {10-10} ±5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE)： ウェハ端から3mm●反り： LTV≦2.5μm、TTV≦6μm、BOW≦25μm、WARP≦35 μm●表面仕上げ： 両面CMP (Si面 Ra≦0.2 nm)●エッジクラック： 無●結晶多形： 無●エッジチッピング： 幅かつ長さ0.2mm以上のものは無●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-75
1枚
￥159,800
税込￥175,780
5日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード：ダミーグレード●直径： 150.0mm± 0.2mm (6インチ)●厚さ： 350 μm±25 μm●オフ角度： [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 2 個/cm2 以下●比抵抗値： 0.015～0.028Ω-cm●オリフラ： // [11-20] ± 5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE)： ウェハ端から3mm●反り： LTV≦5μm、TTV≦15 μm、BOW≦40μm、WARP≦60 μm●表面仕上げ： 両面CMP、Si面Epi-ready (Si面Ra≦0.2 nm、C面Ra≦0.5 nm)●エッジクラック： N/A●結晶多形： 累積面積≦5%●エッジチッピング： 2 個以下、各々1mm 以内●XRD半値幅： ≦60 arcsec●表面パーティクル： 0.3μm ≦30個●表面金属不純物： Al/Cr/Fe/Ni/Cu/Zn/pb/V/Mn/NA/Ca/K/Mg≦5E10atoms●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-73
1枚
￥119,800
税込￥131,780
6日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型： Nタイプ●グレード： ダミー●直径： 200.0mm ± 0.2mm (8インチ)●厚さ： 500 μm±25 μm●オフ角度： [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 10 個/cm-2 以下●比抵抗値： 0.015～0.028Ω-cm (75%面積)●ノッチ方位： [1-100]±5.0°、深さ 1.0～1.5mm●面方位： {0001}± 0.2°●反り： LTV≦10μm(10*10mm2)、TTV≦15 μm、BOW≦65μm、WARP≦70 μm●表面仕上げ： 両面CMP、Si面Epi Ready (Si面 Ra≦0.5 nm)●エッジクラック： N/A●結晶多形： 累積面積≦5%●エッジチッピング： N/A●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-78
1枚
￥949,800
税込￥1,044,780
5日以内出荷
高品質の単結晶SiC半絶縁ウェハ
仕様●ポリタイプ： 4H-SiC●サイズ： Φ4inch(99.5-100mm)●グレード： ZMP(プライムグレード相当)●厚さ： 500 μm +- 25μm●オフ角： ＜0001＞ on-axis +/-0.5°●オリフラ付： {10-10}に平行して+/-0.5°●長さ：32.5 +/- 2mm●マイクロパイプ密度： 1個以下/cm2●比抵抗値： ≧1E 10 Ω・cm●仕上げ： Si面→CMP、C面→ 光学鏡面●梱包：シングルケース
アズワン品番68-4088-74
1枚
￥239,800
税込￥263,780
5日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
アウトガスを極力抑え、低有機汚染性を実現します。
独自のクッション構造により、落下・輸送・振動に強い構造となっております。
気密性に優れています。
収納数25枚
![50×50mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/middle/mono05087261-241204-02.jpg)
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：50×50●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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