研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
抵抗値0.1~100Ω・cm
製造方法CZ法
位置【OF】110
方位【面】100
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
製造方法CZ法
使用済みシリコンウェハを再生加工して、再度プロセスに使用できるレベルにまで再生したシリコンウェハです。実験用、教育用など様々な用途に、少量からご提供します。
用途製造プロセス用、研究開発用、実験用、教育用
抵抗値1-100Ω・cm
仕様パーティクル:不問
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ4インチ
直径(Φmm)100±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)525±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
¥6,998
税込¥7,698
当日出荷
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ6インチ
直径(Φmm)150±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)625±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
¥7,998
税込¥8,798
当日出荷
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ8インチ
直径(Φmm)200±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)725±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、Vノッチ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
¥8,998
税込¥9,898
当日出荷
装置テスト用(成膜・レジスト・フォトリソ・エッチングの条件出し評価、パーティクル測定、搬送評価など)
用途装置テスト用 仕様0.2μm≦30 サイズ12インチ 直径(Φmm)300±0.2 タイプ製造:CZ、導電型:P型 グレードダミー(モニター)
直径(Φmm)300±0.2
タイプ製造:CZ、導電型:P型
グレードダミー(モニター)
仕上Vノッチ、両面ミラー
方位100(面)
汎用的な成膜用基板として使用されています。
ベアシリコンウェハから半導体素子ができるまでの過程を体感できるセット内容です。教育現場での半導体についての説明などにご利用ください。
用途教育用
セット内容ベアウェハ(12インチ)、膜付きウェハ(12インチ) 、パターン付きウェハ(20mm角)、半導体素子(ダイオード/トランジスタ)
種類セット品
1セット
¥15,980
税込¥17,578
5日以内出荷
長さ(mm)(OF)47.5±2.5
抵抗値0.1~100Ω・cm
製造方法CZ法
位置(OF)110
方位(面)100
ウェハー厚(μm)625±25
アウトガスを極力抑え、低有機汚染性を実現します。
独自のクッション構造により、落下・輸送・振動に強い構造となっております。
気密性に優れています。
収納数25枚
ウェハーの出荷・保管用の容器です。ウェハーの表を下にして収納します。
ポケットの底は円錘状でウェハーエッジのみ接触します。スプリングでウェハーを固定します。
トレー同士またはトレーとカバーの積み重ねが可能で、トレーは互いに固定して積み重ねることもできます。
オールポリプロピレン製。
材質ナチュラルPP(ポリプロピレン)
装置テスト用(成膜・レジスト・フォトリソ・エッチングの条件出し評価、パーティクル測定、搬送評価など)
仕様(パーティクル)0.3μm≦50、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ4インチ
直径(Φmm)100±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)525±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1箱(25枚)
¥89,980
税込¥98,978
当日出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供
仕様(面方位)100、(OF位置)110、パーティクル不問、多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)
抵抗値0.1~100Ω・cm※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm
製造方法CZ法
装置テスト用(成膜・レジスト・フォトリソ・エッチングの条件出し評価、パーティクル測定、搬送評価など)
仕様(パーティクル)0.2μm≦30、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ8インチ
直径(Φmm)200±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)725±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、Vノッチ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1箱(25枚)
¥139,400
税込¥153,340
8日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ: 4H-SiC●導電型: Nタイプ●グレード: ダミー●直径: 200.0mm ± 0.2mm (8インチ)●厚さ: 500 μm±25 μm●オフ角度: [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD): 10 個/cm-2 以下●比抵抗値: 0.015~0.028Ω-cm (75%面積)●ノッチ方位: [1-100]±5.0°、深さ 1.0~1.5mm●面方位: {0001}± 0.2°●反り: LTV≦10μm(10*10mm2)、TTV≦15 μm、BOW≦65μm、WARP≦70 μm●表面仕上げ: 両面CMP、Si面Epi Ready (Si面 Ra≦0.5 nm)●エッジクラック: N/A●結晶多形: 累積面積≦5%●エッジチッピング: N/A●レーザーマーク: C面(裏面)側に有り●梱包形態: シングルウエハケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-78
1枚
¥949,800
税込¥1,044,780
5日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ2インチ
直径(Φmm)50±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)280±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
¥7,798
税込¥8,578
当日出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
ESD安全性ハンドル部はステンレス製で耐酸性・非磁性
種別ウェハー用
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):20×30●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):10×20●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
ESD安全性ハンドル部はステンレス製で耐酸性・非磁性
種別ウェハー用
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ: 4H-SiC●導電型/ドーパント: Nタイプ、窒素●グレード: プロダクション●直径: 149.5mm~ 150.0mm (6インチ)●厚さ: 350 μm±25 μm●オフ角度: <11-20 >に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD): 2 個/cm-2 以下●比抵抗値: 0.015~0.024Ω-cm●オリフラ: {10-10} ±5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE): ウェハ端から3mm●反り: LTV≦2.5μm、TTV≦6μm、BOW≦25μm、WARP≦35 μm●表面仕上げ: 両面CMP (Si面 Ra≦0.2 nm)●エッジクラック: 無●結晶多形: 無●エッジチッピング: 幅かつ長さ0.2mm以上のものは無●レーザーマーク: C面(裏面)側に有り●梱包形態: シングルウエハケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-75
1枚
¥159,800
税込¥175,780
5日以内出荷
高品質の単結晶SiC半絶縁ウェハ
仕様●ポリタイプ: 4H-SiC●サイズ: Φ4inch(99.5-100mm)●グレード: ZMP(プライムグレード相当)●厚さ: 500 μm +- 25μm●オフ角: <0001> on-axis +/-0.5°●オリフラ付: {10-10}に平行して+/-0.5°●長さ:32.5 +/- 2mm●マイクロパイプ密度: 1個以下/cm2●比抵抗値: ≧1E 10 Ω・cm●仕上げ: Si面→CMP、C面→ 光学鏡面●梱包:シングルケース
アズワン品番68-4088-74
1枚
¥239,800
税込¥263,780
5日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ: 4H-SiC●導電型/ドーパント: Nタイプ、窒素●グレード:ダミーグレード●直径: 150.0mm± 0.2mm (6インチ)●厚さ: 350 μm±25 μm●オフ角度: [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD): 2 個/cm2 以下●比抵抗値: 0.015~0.028Ω-cm●オリフラ: // [11-20] ± 5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE): ウェハ端から3mm●反り: LTV≦5μm、TTV≦15 μm、BOW≦40μm、WARP≦60 μm●表面仕上げ: 両面CMP、Si面Epi-ready (Si面Ra≦0.2 nm、C面Ra≦0.5 nm)●エッジクラック: N/A●結晶多形: 累積面積≦5%●エッジチッピング: 2 個以下、各々1mm 以内●XRD半値幅: ≦60 arcsec●表面パーティクル: 0.3μm ≦30個●表面金属不純物: Al/Cr/Fe/Ni/Cu/Zn/pb/V/Mn/NA/Ca/K/Mg≦5E10atoms●レーザーマーク: C面(裏面)側に有り●梱包形態: シングルウエハケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-73
1枚
¥119,800
税込¥131,780
6日以内出荷
概要一目でわかる試用及びテスト済みセンサの光電センサ製品ファミリ一式です 設計 検出範囲が上向きの調整可能な BGS 光電近接センサ 120 mm まで 検出範囲に関する市場標準を上回る光学性能データ ハウジング設計になっています ジェットブラックやあまり反射しない物体、反射率の高い物体などを確実に検出します ピンポイント LED により、高い検出範囲と信頼性の高い物体を検出可能あなたの利点限られた環境で物体を確実に検出できるため、コストとを削減できます スペースを節約します サブミニチュアハウジングにより、シームレスな統合が可能になり、新しい機会が生まれます 機械設計 試用及びテスト済みの頑丈なハウジング設計は、小型の機械やシステムに簡単に統合できます あらゆる用途に対応する操作機能を備えた、完全な超小型製品ファミリです 45 度傾斜付きケーブルエントリにより、で最大限の柔軟な取り付けが可能です 追加のソフトラバーベアリングが振動と伸張負荷を吸収しますセンサ用のスペースが縮小している一方で、機械やシステムが小型化しつつあります。G2 製品ファミリのサブミニチュアセンサは、頑丈でコンパクトなハウジングを備え、スペースが限られたさまざまな用途に統合できます。このセンサは、長い検出範囲と信頼性の高い物体検出を備えています。用途インテリジェントな検出アタッチメントでトレイを正確に位置合わせできます 小型近接センサを使用したソーラーウェハーの検出
仕様●代表規格:CE Certified、UL Certified●コード番号:210-3978
材質筐体:プラスチック/ABS、ケーブル:プラスチック/PVC
形状筐体:長方形
幅(mm)7.7
高さ(mm)27.5
質量(g)34.2
タイプ●検出:バックグラウンドサプレッション●光:可視赤色
奥行(mm)13.5
出力スイッチング:NPN
接続方式ケーブル、3芯、2m
検出距離(mm)25~90(最大:2~120)
センサースタイル:ブロック形
保護等級IP67
消費電流(mA)20
波長(nm)640
出力電流(mA)(最大)50
保護回路Vs接続逆接保護、干渉パルス抑制、出力の過電流保護および短絡保護
動作温度(℃)-25~50
起動時間(ms)(最大)5
保管温度範囲(℃)-40~75
アズワン品番65-7290-16
サイズ(Φmm)投光スポット:3.5
リップル残留:最大5(Vss)
最大電圧(V)DC30
ケーブル径(Φmm)3
供給電圧(V)DC10~30
電気的接続ケーブル
スイッチング周波数(Hz)800
ライトソース赤色
MTTF(時間)3378
応答時間(ms)(最大)0.6
出力タイプライトオン
1個
¥35,980
税込¥39,578
6日以内出荷
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