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「si ウェハ」の検索結果

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8×8mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン8×8mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン
16,200税込17,820
1箱(20枚)ほか
22日以内出荷から42日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
50×50mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン50×50mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン
36,100税込39,710
1箱(20枚)ほか
22日以内出荷から23日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):50×50●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
5×5mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン5×5mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン
15,300税込16,830
1箱(20枚)ほか
当日出荷から23日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
40×40mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン40×40mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン
33,200税込36,520
1箱(20枚)ほか
22日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):40×40●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
30×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン30×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン
30,400税込33,440
1箱(20枚)ほか
22日以内出荷から32日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):30×30●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
25×35mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン25×35mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン
24,100税込26,510
1箱(20枚)ほか
22日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):25×35●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
20×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン20×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン
24,100税込26,510
1箱(20枚)ほか
当日出荷から22日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):20×30●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
20×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン20×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン
21,800税込23,980
1箱(20枚)ほか
当日出荷から23日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
15×15mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン15×15mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン
19,600税込21,560
1箱(20枚)ほか
22日以内出荷から32日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):15×15●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
10×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン10×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン
19,600税込21,560
1箱(20枚)ほか
当日出荷から22日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):10×20●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
10×10mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン10×10mm Si シリコン 研究用[P 100 ,1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン
17,900税込19,690
1箱(20枚)ほか
当日出荷から32日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8インチ熱酸化膜+Poly-Si LP-CVD 膜付きウェーハ 熱酸化膜100nm ±10% 研究用[P 100 ,1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入 アズワン8インチ熱酸化膜+Poly-Si LP-CVD 膜付きウェーハ 熱酸化膜100nm ±10% 研究用[P 100 ,1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン
705,000税込775,500
1箱(25枚)
42日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8インチ P-SION PE-CVD 膜付きウェーハ 研究用[P 100 ,1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入 アズワン8インチ P-SION PE-CVD 膜付きウェーハ 研究用[P 100 ,1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン
529,000税込581,900
1箱(25枚)
30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8mm×8mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン8mm×8mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン
11,020税込12,122
1箱(20枚)ほか
22日以内出荷から33日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
5mm×5mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン5mm×5mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン
10,430税込11,473
1箱(20枚)ほか
当日出荷から24日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
50mm×50mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン50mm×50mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン
29,900税込32,890
1箱(20枚)ほか
当日出荷から24日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
40mm×40mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン40mm×40mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン
22,720税込24,992
1箱(20枚)ほか
当日出荷から23日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
30mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン30mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン
20,770税込22,847
1箱(20枚)ほか
当日出荷から33日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
25mm×35mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン25mm×35mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン
16,480税込18,128
1箱(20枚)ほか
22日以内出荷から23日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
20mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン20mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン
16,480税込18,128
1箱(20枚)ほか
22日以内出荷から24日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
20mm×20mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン20mm×20mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン
14,920税込16,412
1箱(20枚)ほか
当日出荷から32日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
15mm×15mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン15mm×15mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン
13,360税込14,696
1箱(20枚)ほか
22日以内出荷から43日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
10mm×20mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン10mm×20mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン
13,360税込14,696
1箱(20枚)ほか
22日以内出荷から33日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
10mm×10mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板 アズワン10mm×10mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン
12,190税込13,409
1箱(20枚)ほか
当日出荷から33日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N プロダクショングレード TanKeBlue単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N プロダクショングレードTanKeBlue
159,800税込175,780
1枚
5日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ: 4H-SiC●導電型/ドーパント: Nタイプ、窒素●グレード: プロダクション●直径: 149.5mm~ 150.0mm (6インチ)●厚さ: 350 μm±25 μm●オフ角度: <11-20 >に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD): 2 個/cm-2 以下●比抵抗値: 0.015~0.024Ω-cm●オリフラ: {10-10} ±5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE): ウェハ端から3mm●反り: LTV≦2.5μm、TTV≦6μm、BOW≦25μm、WARP≦35 μm●表面仕上げ: 両面CMP (Si面 Ra≦0.2 nm)●エッジクラック: 無●結晶多形: 無●エッジチッピング: 幅かつ長さ0.2mm以上のものは無●レーザーマーク: C面(裏面)側に有り●梱包形態: シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-75
単結晶SiCウェハ 4インチ・4H-半絶縁 ZMPグレード/プライムグレード TanKeBlue単結晶SiCウェハ 4インチ・4H-半絶縁 ZMPグレード/プライムグレードTanKeBlue
239,800税込263,780
1枚
5日以内出荷
高品質の単結晶SiC半絶縁ウェハ
仕様●ポリタイプ: 4H-SiC●サイズ: Φ4inch(99.5-100mm)●グレード: ZMP(プライムグレード相当)●厚さ: 500 μm +- 25μm●オフ角: <0001> on-axis +/-0.5°●オリフラ付: {10-10}に平行して+/-0.5°●長さ:32.5 +/- 2mm●マイクロパイプ密度: 1個以下/cm2●比抵抗値: ≧1E 10 Ω・cm●仕上げ: Si面→CMP、C面→ 光学鏡面●梱包:シングルケースアズワン品番68-4088-74
単結晶SiCウェハ 8インチ・4H-N ダミーグレード IV-SemiteC単結晶SiCウェハ 8インチ・4H-N ダミーグレードIV-SemiteC
949,800税込1,044,780
1枚
5日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ: 4H-SiC●導電型: Nタイプ●グレード: ダミー●直径: 200.0mm ± 0.2mm (8インチ)●厚さ: 500 μm±25 μm●オフ角度: [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD): 10 個/cm-2 以下●比抵抗値: 0.015~0.028Ω-cm (75%面積)●ノッチ方位: [1-100]±5.0°、深さ 1.0~1.5mm●面方位: {0001}± 0.2°●反り: LTV≦10μm(10*10mm2)、TTV≦15 μm、BOW≦65μm、WARP≦70 μm●表面仕上げ: 両面CMP、Si面Epi Ready (Si面 Ra≦0.5 nm)●エッジクラック: N/A●結晶多形: 累積面積≦5%●エッジチッピング: N/A●レーザーマーク: C面(裏面)側に有り●梱包形態: シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-78
単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N ダミーグレード IV-SemiteC単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N ダミーグレードIV-SemiteC
119,800税込131,780
1枚
6日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ: 4H-SiC●導電型/ドーパント: Nタイプ、窒素●グレード:ダミーグレード●直径: 150.0mm± 0.2mm (6インチ)●厚さ: 350 μm±25 μm●オフ角度: [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD): 2 個/cm2 以下●比抵抗値: 0.015~0.028Ω-cm●オリフラ: // [11-20] ± 5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE): ウェハ端から3mm●反り: LTV≦5μm、TTV≦15 μm、BOW≦40μm、WARP≦60 μm●表面仕上げ: 両面CMP、Si面Epi-ready (Si面Ra≦0.2 nm、C面Ra≦0.5 nm)●エッジクラック: N/A●結晶多形: 累積面積≦5%●エッジチッピング: 2 個以下、各々1mm 以内●XRD半値幅: ≦60 arcsec●表面パーティクル: 0.3μm ≦30個●表面金属不純物: Al/Cr/Fe/Ni/Cu/Zn/pb/V/Mn/NA/Ca/K/Mg≦5E10atoms●レーザーマーク: C面(裏面)側に有り●梱包形態: シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-73
8インチSICウェハ 研究用 アズワン8インチSICウェハ 研究用アズワン
327,999税込360,799
1箱(1枚)
23日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●グレード:ダミーグレード●タイプ:4H●Surface orientation error:<11-20>4±0.5 °●ドーパント:N型 Nitrogen●抵抗率:0.015~0.025 ohm・cm●直径:200.0±0.2mm●厚み:500±25 μm●主要ノッチ方位:[1-100]±5 °●主要ノッチ深さ:1-1.5 mm●セカンドオリフラ:None●LTV:≦10(10mm×10mm)μm●TTV:≦15μm●Bow:0±65μm●Warp:≦70μm●(AFM)Front(Si-face)Roughness:Ra≦0.2 nm●マイクロパイプ:≦50ea/cm●金属不純物:NA●TED:NA●BPD:NA●TSD:NA●<表面状態>●フロントサイド:Si●面状態:Si-face CMP●パーティークル:NA●スクラッチ:NA●<裏面状態>●面状態:C-face polished●スクラッチ:NA ea/mm●裏面粗さ:Ra≦5 nm●レーザーマーク:On●エッジ:Chamfer●Notes:"NA" =不問。Items not metioned may refer to SEMI-STD●数量:1枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。アズワン品番67-3018-45
6インチSICウェハ 研究用 アズワン6インチSICウェハ 研究用アズワン
51,999税込57,199
1箱(1枚)ほか
23日以内出荷から33日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
4インチSICウェハ 研究用 アズワン4インチSICウェハ 研究用アズワン
61,000税込67,100
1箱(1枚)ほか
当日出荷から23日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
光電センサ ブロック形 検出範囲 2 mm → 120 mm SICK光電センサ ブロック形 検出範囲 2 mm → 120 mmSICK
35,980税込39,578
1個
6日以内出荷
概要一目でわかる試用及びテスト済みセンサの光電センサ製品ファミリ一式です 設計 検出範囲が上向きの調整可能な BGS 光電近接センサ 120 mm まで 検出範囲に関する市場標準を上回る光学性能データ ハウジング設計になっています ジェットブラックやあまり反射しない物体、反射率の高い物体などを確実に検出します ピンポイント LED により、高い検出範囲と信頼性の高い物体を検出可能あなたの利点限られた環境で物体を確実に検出できるため、コストとを削減できます スペースを節約します サブミニチュアハウジングにより、シームレスな統合が可能になり、新しい機会が生まれます 機械設計 試用及びテスト済みの頑丈なハウジング設計は、小型の機械やシステムに簡単に統合できます あらゆる用途に対応する操作機能を備えた、完全な超小型製品ファミリです 45 度傾斜付きケーブルエントリにより、で最大限の柔軟な取り付けが可能です 追加のソフトラバーベアリングが振動と伸張負荷を吸収しますセンサ用のスペースが縮小している一方で、機械やシステムが小型化しつつあります。G2 製品ファミリのサブミニチュアセンサは、頑丈でコンパクトなハウジングを備え、スペースが限られたさまざまな用途に統合できます。このセンサは、長い検出範囲と信頼性の高い物体検出を備えています。用途インテリジェントな検出アタッチメントでトレイを正確に位置合わせできます 小型近接センサを使用したソーラーウェハーの検出
仕様●代表規格:CE Certified、UL Certified●コード番号:210-3978材質筐体:プラスチック/ABS、ケーブル:プラスチック/PVC形状筐体:長方形幅(mm)7.7高さ(mm)27.5質量(g)34.2タイプ●検出:バックグラウンドサプレッション●光:可視赤色奥行(mm)13.5出力スイッチング:NPN接続方式ケーブル、3芯、2m検出距離(mm)25~90(最大:2~120)センサースタイル:ブロック形保護等級IP67消費電流(mA)20波長(nm)640出力電流(mA)(最大)50保護回路Vs接続逆接保護、干渉パルス抑制、出力の過電流保護および短絡保護動作温度(℃)-25~50起動時間(ms)(最大)5保管温度範囲(℃)-40~75アズワン品番65-7290-16サイズ(Φmm)投光スポット:3.5リップル残留:最大5(Vss)最大電圧(V)DC30ケーブル径(Φmm)3供給電圧(V)DC10~30電気的接続ケーブルスイッチング周波数(Hz)800ライトソース赤色MTTF(時間)3378応答時間(ms)(最大)0.6出力タイプライトオン
光電センサ ブロック形 検出範囲 1 mm → 18 mm SICK光電センサ ブロック形 検出範囲 1 mm → 18 mmSICK
33,980税込37,378
1個
7日以内出荷
概要一目でわかる試用及びテスト済みセンサの光電センサ製品ファミリ一式です 設計 検出範囲が上向きの調整可能な BGS 光電近接センサ 120 mm まで 検出範囲に関する市場標準を上回る光学性能データ ハウジング設計になっています ジェットブラックやあまり反射しない物体、反射率の高い物体などを確実に検出します ピンポイント LED により、高い検出範囲と信頼性の高い物体を検出可能あなたの利点限られた環境で物体を確実に検出できるため、コストとを削減できます スペースを節約します サブミニチュアハウジングにより、シームレスな統合が可能になり、新しい機会が生まれます 機械設計 試用及びテスト済みの頑丈なハウジング設計は、小型の機械やシステムに簡単に統合できます あらゆる用途に対応する操作機能を備えた、完全な超小型製品ファミリです 45 度傾斜付きケーブルエントリにより、で最大限の柔軟な取り付けが可能です 追加のソフトラバーベアリングが振動と伸張負荷を吸収しますセンサ用のスペースが縮小している一方で、機械やシステムが小型化しつつあります。G2 製品ファミリのサブミニチュアセンサは、頑丈でコンパクトなハウジングを備え、スペースが限られたさまざまな用途に統合できます。このセンサは、長い検出範囲と信頼性の高い物体検出を備えています。用途インテリジェントな検出アタッチメントでトレイを正確に位置合わせできます 小型近接センサを使用したソーラーウェハーの検出
仕様●センサーのスタイル:ブロック形●検出タイプ:バックグラウンドサプレッション●検出範囲:1 mm → 18 mm●出力タイプ:PNP●電気的接続:M8 コネクタ、ケーブル付き●最大DC電圧:30V●接続方式:3ピンコネクタ●ライトソース:赤色ライト●IP保護等級:IP67●電流 Max:50 mA●応答時間:0.0006 秒●材質:プラスチック●代表規格:CE Certified, UL Certified●コード番号:210-3982アズワン品番65-7285-49
光電センサ ブロック形 検出範囲 0 → 2 m SICK光電センサ ブロック形 検出範囲 0 → 2 mSICK
36,980税込40,678
1個
7日以内出荷
概要一目でわかる試用及びテスト済みセンサの光電センサ製品ファミリ一式です 設計 検出範囲が上向きの調整可能な BGS 光電近接センサ 120 mm まで 検出範囲に関する市場標準を上回る光学性能データ ハウジング設計になっています ジェットブラックやあまり反射しない物体、反射率の高い物体などを確実に検出します ピンポイント LED により、高い検出範囲と信頼性の高い物体を検出可能あなたの利点限られた環境で物体を確実に検出できるため、コストとを削減できます スペースを節約します サブミニチュアハウジングにより、シームレスな統合が可能になり、新しい機会が生まれます 機械設計 試用及びテスト済みの頑丈なハウジング設計は、小型の機械やシステムに簡単に統合できます あらゆる用途に対応する操作機能を備えた、完全な超小型製品ファミリです 45 度傾斜付きケーブルエントリにより、で最大限の柔軟な取り付けが可能です 追加のソフトラバーベアリングが振動と伸張負荷を吸収しますセンサ用のスペースが縮小している一方で、機械やシステムが小型化しつつあります。G2 製品ファミリのサブミニチュアセンサは、頑丈でコンパクトなハウジングを備え、スペースが限られたさまざまな用途に統合できます。このセンサは、長い検出範囲と信頼性の高い物体検出を備えています。用途電子カードを検出します ピックアンドプレース式ロボット用のグリッパーアームと統合しています プラスチック製コンテナを検出します 太陽電池を検出します インテリジェントな検出アタッチメントでトレイを正確に位置合わせできます 小型近接センサを使用したソーラーウェハーの検出注
仕様●センサーのスタイル:ブロック形●検出タイプ:スルービーム●検出範囲:0 → 2 m●出力タイプ:ライトスイッチング●電気的接続:M8コネクタ●最大DC電圧:30V●接続方式:3ピンコネクタ●ライトソース:極性あり赤色光●IP保護等級:IP67●電流 Max:50 mA●応答時間:0.0006 秒●動作温度 Max:+50℃●コード番号:212-2897アズワン品番65-7292-90
近接センサ バレル形 検出範囲 4 → 25 mm ねじの呼び M30 x 1 非点滅 50Hz SICK近接センサ バレル形 検出範囲 4 → 25 mm ねじの呼び M30 x 1 非点滅 50HzSICK
31,980税込35,178
1個
7日以内出荷
概要一目でわかるM12、M18、M30 モデルの円筒形ハウジングです 粉体、粒状物質、液体、固体を検出します 優れた電磁両立性 電気的な構成: DC 2 線及び 4 線 電源電圧: 10 → 36 V dc 光調整インジケータ 検出範囲は最大 25 mm です エンクロージャの定格: IP65、IP68、IP 69Kあなたの利点過酷な産業環境で信頼性の高い機能を備えているため、機械のメンテナンスコストとダウンタイムを削減できます ポテンショメータにより、すばやく簡単に調整できます 試運転中の貴重な時間を節約するためのボタンもあります コンパクトなハウジングとにより、柔軟性の高いさまざまな用途に対応 ユニバーサルマウントシステム 耐衝撃性と耐振性に優れ、埃への感度が最小限に抑えられています また、湿気によって物体を確実に検出し、機械のメンテナンスを軽減します コスト 光学式調整インジケータにより、物体を確実に検出して電位を最小限に抑えることができます マシンの障害静電容量型近接センサは、プラスチックやガラスの壁を通しても、粉末、粒状、液体、固体のあらゆる物質を検出できます。SICK の静電容量型近接センサは、電磁両立性( EMC )に非常に優れているため、誤スイッチやセンサの故障を防止できます。用途最小充填レベル監視 パッケージングの検出 太陽電池製造時のトレイの存在検出 種子および肥料タンクのレベル測定 組み合わせハーベスタのレベル監視 太陽・電子業界における太陽電池ウェハの検出 包装産業でのアルミニウム、段ボール、紙の検出 木材加工機械での木材の検出 プラスチック産業におけるゴムとプラスチックの粒状体の検出 製薬及び化学産業におけるさまざまな液体の検出注
仕様●センサ技術:静電容量型●ねじの呼び:M30 x 1●出力タイプ:NPN●検出範囲:4 → 25 mm●接続方式:4 線、ケーブル●電源電圧:10 → 30 V dc●長さ:81mm●奥行き:30mm●最大DC電圧:30V●実装タイプ:非点滅●出力開閉電流:200 mA●動作温度 Max:+85℃●逆極性保護:あり●コード番号:213-1717アズワン品番65-7279-97
光電センサ ブロック形 検出範囲 1 mm → 36 mm SICK光電センサ ブロック形 検出範囲 1 mm → 36 mmSICK
33,980税込37,378
1個
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概要一目でわかる試用及びテスト済みセンサの光電センサ製品ファミリ一式です 設計 検出範囲が上向きの調整可能な BGS 光電近接センサ 120 mm まで 検出範囲に関する市場標準を上回る光学性能データ ハウジング設計になっています ジェットブラックやあまり反射しない物体、反射率の高い物体などを確実に検出します ピンポイント LED により、高い検出範囲と信頼性の高い物体を検出可能あなたの利点限られた環境で物体を確実に検出できるため、コストとを削減できます スペースを節約します サブミニチュアハウジングにより、シームレスな統合が可能になり、新しい機会が生まれます 機械設計 試用及びテスト済みの頑丈なハウジング設計は、小型の機械やシステムに簡単に統合できます あらゆる用途に対応する操作機能を備えた、完全な超小型製品ファミリです 45 度傾斜付きケーブルエントリにより、で最大限の柔軟な取り付けが可能です 追加のソフトラバーベアリングが振動と伸張負荷を吸収しますセンサ用のスペースが縮小している一方で、機械やシステムが小型化しつつあります。G2 製品ファミリのサブミニチュアセンサは、頑丈でコンパクトなハウジングを備え、スペースが限られたさまざまな用途に統合できます。このセンサは、長い検出範囲と信頼性の高い物体検出を備えています。用途インテリジェントな検出アタッチメントでトレイを正確に位置合わせできます 小型近接センサを使用したソーラーウェハーの検出
仕様●センサーのスタイル:ブロック形●検出タイプ:バックグラウンドサプレッション●検出範囲:1 mm → 36 mm●出力タイプ:PNP●電気的接続:M8 コネクタ、ケーブル付き●最大DC電圧:30V●接続方式:3ピンコネクタ●ライトソース:赤色ライト●IP保護等級:IP67●電流 Max:50 mA●応答時間:0.0006 秒●動作温度 Max:50●代表規格:CE Certified, UL Certified●コード番号:210-3983アズワン品番65-7286-64
Tecan用ネスト型チップ EV-200-NTRシリーズ AXYGENTecan用ネスト型チップ EV-200-NTRシリーズAXYGEN
1ケース(5パック×768個)
欠品中
Axygen(R)は、Tecan(R) Freedom Evo(R)、TeMo、Aquarius、Zymark(R)/Caliper、Biotek(R)、Dynamic Devices自動化システム用のチップ製品を幅広く取り揃えています。これらのチップは、厳しいプロセス管理と自動化された製造システムの基、精密な仕様で製造され、均一な精度と品質を備えています。チップはRNase/DNaseフリーとノンパイロジェニックを保証しています。滅菌済みと滅菌なし、フィルター付きとフィルターなし、ワイドボアタイプからお選びいただけます。透明ポリプロピレンチップは、96ウェルフォーマット用にデザインされており、Tecan(R) Freedom Evo(R)、TeMo、Aquarius(MCA96 head)、Zymark(R)/Caliper RapidPlate(R)、SciClone(R)、Zephyr(R)(HV96 head)、Biotek(R) Precision(TM)、Precision XS 8、12 head、Dynamic Devices Oasis LM 8/96-Channel-Standard Vol、96-Ch.-Low Vol headに適合します。▼MCA96ヘッド用ネスト型▼96チップフォーマット▼透明ポリプロピレン▼RNase/DNaseフリーを保証▼ノンパイロジェニック▼滅菌なし▼互換性:Tecan(R) Freedom Evo(R)、TeMo、Aquarius with(MCA96 head)、Zymark(R)/Caliper RapidPlate(R)、SciClone(R)、Zephyr(R)(HV96 head)、Biotek(R) Precision(TM)、Precision XS 8、12 head、Dynamic Devices Oasis LM 8/96-Channel-Standard Vol、96-Ch.-Low Vol head
仕様●パック入数:768/パック●ケース入数:3840/ケース●ブランド:Axygen(R)●チップフォーマット:96本/ラック●チップ:Standard●フィルター:なし●カラー:クリア●滅菌:あり●パッケージフォーマット:8ウェハー/スタック、5スタック/ケース●オートクレーブ可能:なし●最大容量:200μL●チップ形状:ラウンド●パッケージング:ネスト型チップラック●Tip Feature:Standard●Series:EV●Packaging Configuration:8 Stacked●使用可能モデル:Tecan●モデル:Freedom EVO●パック/ケース:40 Racks/Caseアズワン品番65-3963-37
単結晶SiCウェハ 4インチ・4H-N アズワン単結晶SiCウェハ 4インチ・4H-Nアズワン
99,900税込109,890
1個
6日以内出荷
クイックチェンジ ウェハーCD ピンセット SI-T56 SIPELクイックチェンジ ウェハーCD ピンセット SI-T56SIPEL
5,798税込6,378
1本
5日以内出荷から7日以内出荷
ESD安全性ハンドル部はステンレス製で耐酸性・非磁性
種別ウェハー用
クイックチェンジ ウェハーCD ピンセット SI-MD56 SIPELクイックチェンジ ウェハーCD ピンセット SI-MD56SIPEL
4,798税込5,278
1本
6日以内出荷から7日以内出荷
ESD安全性ハンドル部はステンレス製で耐酸性・非磁性
種別ウェハー用
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