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キャンペーンコード
000025251017
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RoHS
仕様出力電圧 = 5 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = DPAK出力電流 Max = 1A実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 20 Vピン数 = 3出力数 = 1静止電流 = 3.6mA精度 = ±1%動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、1A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥839
税込￥923
7日以内出荷
仕様PWM出力数 = 1コントロール方法 = 電流トポロジー = ブースト， フライバック， フォワード上昇時間 = 50ns降下時間 = 50ns最大デューティサイクル = 96%最大スイッチング周波数 = 500 kHz実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 8出力電流 = 1 A動作温度 Min = 0 ℃AC-DCオフラインコントローラ、UCシリーズ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥319
税込￥351
翌々日出荷
仕様出力電圧 Min = 1.25 V出力電圧 Max = 40 V入力電圧 Min = 3 V入力電圧 Max = 40 V出力電流 Max = 1.5Aコンバータタイプ = ステップダウン， ステップアップ出力数 = 1実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 8動作温度 Max = +70 ℃動作温度 Min = 0 ℃幅 = 6.6mmスイッチングレギュレータ、ステップアップ / ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥109
税込￥120
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 131 Wトランジスタ素材 = SiMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥379
税込￥417
当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V高さ = 5.2mm直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(1000個)
￥6,798
税込￥7,478
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 44V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 350W最大ピークパルス電流 = 8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 100nANUP2105L、NUP3105LデュアルラインCAN保護機能. NUP2105L / NUP3105Lは、高速のフォルトトレランスネットワークにおいてCANトランシーバを、ESD及びその他の危険な過渡電圧事故から保護する目的で設計されています。. ライン当たりのピーク電力消失: 350 W 逆漏洩電流が低い(< 100 nA) 低静電容量高速CANデータ転送速度 IEC対応: IEC61000-4-2 (ESD): レベル4 IEC61000-4-4 (EFT): 40 A - 5/50 ns (NUP3105Lは50 A - 5/50 ns) IEC61000-4-5 (照明) 8 A (8/20 μs)
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥699
税込￥769
6日以内出荷
。AND/NANDゲート MC100EL04DG ON-Semiconductor製を販売します。
仕様●ロジックタイプ：差動レシーバ/ドライバ●電源電圧：3V～5.5V●動作温度：-40℃～85℃●実装タイプ：面実装●パッケージ/ケース：8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
アズワン品番67-0354-94
1個
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 47 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.3mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
￥8,640
税込￥9,504
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mm動作温度 Min = -65 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥5,298
税込￥5,828
7日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
￥27,980
税込￥30,778
7日以内出荷
仕様ロジックファミリー = 74LVTロジック機能 = バッファ， ラインドライバ1チップ当たりのチャンネル数 = 8出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 64mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.2ns寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm高さ = 0.9mm長さ = 6.5mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(73個)
￥14,980
税込￥16,478
7日以内出荷
仕様強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
￥66,980
税込￥73,678
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様周辺機器タイプ：スマート カード 、 タイマ/カウンタ数：1 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：TSSOP 、 ピン数：28 、 寸法：9.8 x 4.5 x 1.2mm 、 長さ：9.8mm 、 幅：4.5mm 、 高さ：1.2mm 、 動作供給電圧 Max：5 V 、 動作温度 Max：+85 ℃ 、 動作供給電圧 Min：3 V 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 シリアルI / Oペリフェラル、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
1チップ当たりのエレメント数2
実装タイプ表面実装
テクノロジーショットキー
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
