オンセミ, 整流ダイオード, 300mA, 100V, 2-Pin DO-35ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 4.56mm幅 = 1.91mm高さ = 1.91mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ, 2.2A, 5 V 固定出力, 3-Pin D2PAKON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 2.2Aパッケージタイプ = D2PAK出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正標準ドロップアウト電圧 @ 電流 = 2 V @ 1 AMC7805リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC7805ファミリリニア電圧レギュレータは、広範な用途で使用できる固定電圧レギュレータです。 この7805正電圧レギュレータは外部コンポーネントを必要とせず、内部サーマル過負荷保護及び電流制限、安全動作領域補償を統合しています。. 出力電圧: 5 V 内部の短絡電流制限 出力トランジスタ安全動作領域補償 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 450 V, 2 A, 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50000 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 4 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.6 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 280 mA, 3 ピン パッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 280 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 300 mW寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 15V, 1 W, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR当日出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 15V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 15mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.21mm寸法 = 5.21 x 2.72 x 2.72mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, 整流ダイオード, 300mA, 100V, 2-Pin SOD-80ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様最大連続 順方向電流 = 300mA整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 3.6mm幅 = 1.5mm高さ = 1.5mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ショットキーバリアダイオード, 1A, 50V, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 50V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 5.2mm幅 = 2.7mm高さ = 2.7mm動作温度 Min = -65 ℃メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、1 A → 2 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 150V, 5 W, 2-Pin DO-15ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 8mA最大ツェナーインピーダンス = 330Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 28V, 5 W, 2-Pin DO-15ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 50mA最大ツェナーインピーダンス = 6Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ファストリカバリー 整流ダイオード, 4A, 600V, 2-Pin DO-201ADON SEMICONDUCTOR当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.28V長さ = 9.5mm幅 = 5.3mm高さ = 5.3mmピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 110Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ファストリカバリー 整流ダイオード, 15A, 600V, 2-Pin TO-220ACON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.5V長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mmピーク逆回復時間 = 60ns動作温度 Max = +175 ℃メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ショットキーバリアダイオード, 10A, 45V, 2-Pin TO-220ACON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mm動作温度 Max = +175 ℃メーカー品番がNSV-又はSBR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、10 A → 25 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 60 V, 1.5 A, 3-Pin TO-225ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-225実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.25 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP パワートランジスタ, 400 V, 8 A, 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 負電圧 3端子レギュレータ, 1A, -15 V 固定出力, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様出力電圧 = -15 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負精度 = ±4%負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ, 1A, 5 V 固定出力, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)当日出荷
仕様出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正精度 = ±4%MC7805リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC7805ファミリリニア電圧レギュレータは、広範な用途で使用できる固定電圧レギュレータです。 この7805正電圧レギュレータは外部コンポーネントを必要とせず、内部サーマル過負荷保護及び電流制限、安全動作領域補償を統合しています。. 出力電圧: 5 V 内部の短絡電流制限 出力トランジスタ安全動作領域補償 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ, 700mA, 12 V 固定出力, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR当日出荷
仕様出力電圧 = 12 V出力電流 Max = 700mAパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正ロードレギュレーション = 240 mVMC78M00 / MC78M00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC78M00 / MC78M00A リニア電圧レギュレータは、内部電流制限、サーマルシャットダウン、及び出力トランジスタ安全動作領域保護機能を組み合わせた堅牢なデバイスです。 ローカル、オンカード電圧調整などさまざまな用途で使用できます。 5 V、8 V、12 V、15 V、18 V、20 V、24 Vのモデルを用意しています。いずれも出力電流は最大500 mAで、最適なヒートシンクが搭載されています。. 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 70 A, 3 ピン パッケージTO-220ABON SEMICONDUCTOR翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2250 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP パワートランジスタ, 250 V, 8 A, 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 9.28mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
TVS DIODE 6V 10.3V AXIALON SEMICONDUCTOR5日以内出荷
仕様【パワーライン保護】なしその他【一方向チャンネル】1電流(A)【ピークパルス(10/1000μs)】48.5電圧(V)【逆スタンドオフ】6【ブレークダウン】最小6.67【クランピング@Ipp】10.3RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55~150(TJ)実装タイプスルーホールパッケージ/ケースDO-204AC、DO-15、アキシャルピークパルスパワー消費(W)500
DIODE ZENER 18V 500MW SOD123ON SEMICONDUCTOR5日以内出荷
その他電流:【Vr印加時の逆方向漏れ】100nA @ 14V電圧【If印加時の順方向(Vf)】最大900mV @ 10mA電圧(V)【ツェナー(Vz)】18インピーダンス(最大)(Zzt) 21 Ohms許容誤差±5%RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55~150電力(mW)最大500実装タイプ面実装パッケージ/ケースSOD-123
IC LATCH R-S QUAD P/N 16SOEIAJON SEMICONDUCTOR5日以内出荷
タイプ【ロジック】S-Rラッチ電流(mA)8.8回路1:1、【独立回路】4RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55~125供給電圧(V)3~18実装タイプ面実装パッケージ/ケース16-SOIC(0.209インチ、5.30mm幅)遅延時間(ms)【伝搬】60出力タイプ3ステート
IC REG LINEAR-5V 1A TO220ABON SEMICONDUCTOR5日以内出荷
負のリニア電圧レギュレータ
その他【パッケージ/ピン】TO-220/3出力電圧-5V最大入力電圧-35VRoHS指令(10物質対応)対応出力電流1A動作温度範囲(℃)0~+125出力数1
IC OPAMP GP 1.8MHZ 8DIPON SEMICONDUCTOR5日以内出荷
その他【スルーレート】2.1V/μs、電流:【入力バイアス】20nA電圧【入力オフセット】2mV電流(mA)【出力/チャンネル】27回路数1RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-40~85使用帯域【ゲイン】1.8MHz供給電圧(V)【シングル】3~44【デュアル】±1.5~22実装タイプスルーホールパッケージ/ケース8-DIP(0.300インチ、7.62mm)最大供給電流(μA)220
IC RCVR/DRVR ECL DIFF 5V 8SOICON SEMICONDUCTOR5日以内出荷
AND/NANDゲート MC100EL04DG ON-Semiconductor製を販売します。
仕様●ロジックタイプ:差動レシーバ/ドライバ●電源電圧:3V~5.5V●動作温度:-40℃~85℃●実装タイプ:面実装●パッケージ/ケース:8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)アズワン品番67-0354-94
Bias Resist Transistor NPNON SEMICONDUCTOR¥10,980税込¥12,078
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 47 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.3mmRoHS指令(10物質対応)対応
7.5A 45V Schottky RectifierON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mm動作温度 Min = -65 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Buffer/Line Driver 8-Ch 3-State TSSOP20ON SEMICONDUCTOR¥14,980税込¥16,478
1セット(73個)
7日以内出荷
仕様ロジックファミリー = 74LVTロジック機能 = バッファ, ラインドライバ1チップ当たりのチャンネル数 = 8出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 64mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.2ns寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm高さ = 0.9mm長さ = 6.5mmRoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET P-ChannelON SEMICONDUCTOR¥66,980税込¥73,678
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応