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エコロジープロダクト
7ページ目:
ON Semiconductor 74 ACTシリーズ 8ビット トランシーバON SEMICONDUCTOR￥3,298～税込￥3,628～
1袋(25個)ほか
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 2チャンネル 単方向 TVSダイオードアレイON SEMICONDUCTOR￥1,598～税込￥1,758～
1セット(50個)ほか
7日以内出荷
ピン数(ピン)5RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOT-553実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大逆スタンドオフ電圧(V)5最大クランピング電圧(V)10最小ブレークダウン電圧(V)5.5最大ピークパルス電流(A)12
フォトダイオード ON Semiconductor 赤外線 60°Si 表面実装 PLCC 2LON SEMICONDUCTOR￥959～税込￥1,055～
1袋(10個)ほか
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
フェアチャイルド， ツェナーダイオード 4.7V スルーホール 1WON SEMICONDUCTOR￥14,980税込￥16,478
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成：シングル 、 1チップ当たりのエレメント数：1 、 最大パワー消費：1 W 、 パッケージタイプ：DO-41 、 ツェナータイプ：汎用 、 ツェナー電圧許容性：5% 、 ピン数：2 、 テスト電流：53mA 、 最大ツェナーインピーダンス：8Ω 、 最大逆漏れ電流：10μA 、 長さ：5.2mm 、 直径：2.72mm 、 寸法：2.72 (Dia.) x 5.2mm 、 動作温度 Min：-65 ℃ 、 ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ LC×シリーズ， 3ステート 非反転， 2～3.6V， 20-Pin SOICON SEMICONDUCTOR￥799税込￥879
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ロジックファミリー：LCX●ロジック機能：バッファ， ラインドライバ●1チップ当たりのチャンネル数：8●出力タイプ：3ステート●極性：非反転●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：SOIC●ピン数：20●高レベル出力電流 Max：-24mA●低レベル出力電流 Max：24mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：7.5ns●寸法：6.5 x 4.4 x 0.9mm●高さ：0.9mm●動作供給電圧 Min：2 V●74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力RoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ HCシリーズ， 3ステート 非反転， 20-Pin SOICWON SEMICONDUCTOR￥51,980税込￥57,178
1リール(1000個)
7日以内出荷
仕様ロジックファミリー：HC 、 ロジック機能：バッファ， ラインドライバ 、 1チップ当たりのチャンネル数：8 、 入力タイプ：シングルエンド 、 出力タイプ：3ステート 、 極性：非反転 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOIC W 、 ピン数：20 、 高レベル出力電流 Max：-7.8mA 、 低レベル出力電流 Max：7.8mA 、 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：165 ns @ 2 V 、 寸法：13 x 7.6 x 2.35mm 、 高さ：2.35mm 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ HCシリーズ， 3ステート 非反転， 2～6V， 20-Pin SOICWON SEMICONDUCTOR￥569税込￥626
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ロジックファミリー：HC 、 ロジック機能：バッファ， ラインドライバ 、 1チップ当たりのチャンネル数：8 、 入力タイプ：シングルエンド 、 出力タイプ：3ステート 、 極性：非反転 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOIC W 、 ピン数：20 、 高レベル出力電流 Max：-7.8mA 、 低レベル出力電流 Max：7.8mA 、 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：165 ns @ 2 V 、 寸法：13 x 7.6 x 2.35mm 、 高さ：2.35mm 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ ACシリーズ， 3ステート 非反転， 20-Pin SOICWON SEMICONDUCTOR￥3,500税込￥3,850
1セット(36個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ 74LVTシリーズ， 3ステート 非反転， 2.7～3.6V， 20-Pin TSSOPON SEMICONDUCTOR￥2,298税込￥2,528
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様ロジックファミリー：74LVT●ロジック機能：バッファ， ラインドライバ●1チップ当たりのチャンネル数：8●出力タイプ：3ステート●極性：非反転●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：TSSOP●ピン数：20●高レベル出力電流 Max：-32mA●低レベル出力電流 Max：64mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：4.2ns●寸法：6.5 x 4.4 x 0.9mm●高さ：0.9mm●動作供給電圧 Min：2.7 V●74LVTファミリ、Fairchild Semiconductor. 低電圧BiCMOSテクノロジロジック 動作電圧: 2.7 → 3.6 互換性: 入力LVTTL/TTL、出力LVTTLRoHS指令(10物質対応)対応
バッファ 74ACTシリーズ， 3ステート 非反転， 4.5～5.5V， 20-Pin TSSOPON SEMICONDUCTOR￥8,598税込￥9,458
1セット(73個)
7日以内出荷
仕様ロジックファミリー：74ACT●ロジック機能：バッファ， ドライバ●入力タイプ：シングルエンド●出力タイプ：3ステート●極性：非反転●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：TSSOP●ピン数：20●高レベル出力電流 Max：24mA●低レベル出力電流 Max：24mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：12.5 ns @ 50 pF●寸法：6.5 x 4.4 x 0.9mm●高さ：0.9mm●動作供給電圧 Min：4.5 V●74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
Small Signal Fast DiodeON SEMICONDUCTOR￥19,980税込￥21,978
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ ON Semiconductor HCPL3700 AC， DC入力， ダーリントン出力， 8-PinON SEMICONDUCTOR￥3,998税込￥4,398
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトダーリントン最大順方向電圧 = 0.65Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = AC， DC標準上昇時間 = 45μs最大入力電流 = 4.4 mA標準降下時間 = 0.5μs特殊機能 = ロジックレベル互換性、低電圧検出、プログラマブル検出電圧オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 8A， 600V， 4-Pin GBU 4LON SEMICONDUCTOR￥2,798税込￥3,078
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBU 4Lピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 22.3mm幅 = 18.8mmUL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 耐高サージ電流 基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造RoHS指令(10物質対応)対応
High Conductance Low Leakage Diode DO-35ON SEMICONDUCTOR￥849税込￥934
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-204AHダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 920mV長さ = 3.6mm直径 = 1.5mmパワー消費 = 500mW小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 250 V， 17 A， 3-Pin TO-264ON SEMICONDUCTOR￥4,198税込￥4,618
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 17 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-264実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 55トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 VパワーNPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル IGBT， 650 V， 120 A， 3-Pin TO-3PN シングルON SEMICONDUCTOR￥949税込￥1,044
1個
7日以内出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 120 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 600 Wパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル長さ = 15.8mm幅 = 5mm高さ = 20.1mm寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm動作温度 Max = +175 ℃ディスクリートIGBT、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 500 V， 4 A， 3 ピン パッケージTO-220F UniFET シリーズON SEMICONDUCTOR￥1,800税込￥1,980
1袋(10個)
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 28 W標準ターンオン遅延時間 = 14 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 150 V， 15 A， 3 ピン パッケージTO-220FON SEMICONDUCTOR￥1,998税込￥2,198
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 22 W標準ターンオン遅延時間 = 14 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 8 A， 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR￥2,198税込￥2,418
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1.5 W高さ = 0.94mmPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 反射センサ， 4-Pin ミニチュア スルーホール実装ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様出力デバイス = フォトトランジスタ標準上昇時間 = 20μs標準降下時間 = 20μsチャンネル数 = 1ピン数 = 4実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = ミニチュア寸法 = 3.6 x 2.9 x 1.7mm高さ = 1.7mm長さ = 3.6mm最高動作温度 = +85℃最低動作温度 = -40℃幅 = 2.9mm動作温度レンジ = -40 → +85℃ミニチュア反射物体センサ、Fairchild Semiconductor. フォトトランジスタ出力 コンタクトなし、表面検出 ミニチュアスルーホールパッケージ、2.9 x 3.6 mmRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 90 V， 30 A， 2-Pin TO-204AAON SEMICONDUCTOR￥2,298税込￥2,528
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 90 Vパッケージタイプ = TO-204AA実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 Vピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 200 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥8,798税込￥9,678
1袋(1000個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor デュアル MOSFETパワードライバ， -5 A， 5 A， 4.5～18 V， 8-Pin SOICON SEMICONDUCTOR￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ドライバ数 = 2動作供給電圧 Min = 4.5 V動作供給電圧 Max = 18 Vトポロジー = ローサイド実装タイプ = 表面実装ピーク出力電流 = -5 A， 5 A出力数 = 2極性 = 非反転パッケージタイプ = SOICピン数 = 8入力ロジック互換性 = TTL高/低サイド依存性 = 独立、同期幅 = 3.9mmローサイドMOSFETドライバ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor MOSFETパワードライバ， 10.6 A， 11.4 A， 4.5～18 V， 8-Pin SOICON SEMICONDUCTOR￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ドライバ数 = 1動作供給電圧 Min = 4.5 V動作供給電圧 Max = 18 Vトポロジー = ローサイド実装タイプ = 表面実装ピーク出力電流 = 10.6 A， 11.4 A出力数 = 2極性 = 非反転パッケージタイプ = SOICピン数 = 8ブリッジタイプ = フルブリッジ入力ロジック互換性 = TTL高/低サイド依存性 = シンクロナス幅 = 3.9mmローサイドMOSFETドライバ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor MOSFETパワードライバ， 10.6 A， 11.4 A， 4.5～18 V， 8-Pin SOICON SEMICONDUCTOR￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ドライバ数 = 1動作供給電圧 Min = 4.5 V動作供給電圧 Max = 18 Vトポロジー = ローサイド実装タイプ = 表面実装ピーク出力電流 = 10.6 A， 11.4 A出力数 = 2極性 = 非反転パッケージタイプ = SOICピン数 = 8ブリッジタイプ = フルブリッジ入力ロジック互換性 = CMOS高/低サイド依存性 = シンクロナス幅 = 3.9mmローサイドMOSFETドライバ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 250 V， 6.2 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) UniFET シリーズON SEMICONDUCTOR￥1,298税込￥1,428
1枚(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 570 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 56 W標準ターンオン遅延時間 = 10 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 150 V， 50 A， 3 ピン パッケージTO-3PN QFET シリーズON SEMICONDUCTOR￥2,850税込￥3,135
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W標準ターンオン遅延時間 = 35 nsQFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ ON Semiconductor FOD817B， トランジスタ出力， 4-PinON SEMICONDUCTOR￥939税込￥1,033
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 18μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms最大電流変換率 = 260%標準降下時間 = 18μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN ダーリントンペア， 60 V， 8 A， hFE≧1000， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR￥4,500税込￥4,950
1袋(25個)
5日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 2最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.5mA幅 = 4.83mmダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ショットキーバリアダイオード， 3A， 40V， 2-Pin DO-214AB (SMC)ON SEMICONDUCTOR￥1,798税込￥1,978
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV長さ = 7.15mm幅 = 6.25mm高さ = 2.75mmピーク逆電流 = 20mAショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ ON Semiconductor H11L1SVM， ロジックゲート出力， 6-PinON SEMICONDUCTOR￥2,898税込￥3,188
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 7500 V ac標準降下時間 = 0.1μsオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 450 V， 5 A， 3-Pin TO-220FON SEMICONDUCTOR￥2,598税込￥2,858
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1000 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 60 V， 400 mA， 3 ピン パッケージTO-92ON SEMICONDUCTOR￥2,698税込￥2,968
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 625 mW長さ = 4.7mm強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応