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onsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mW onsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(200個)

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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大パワー消費(mW)200最大逆漏れ電流(nA)900ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)37

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)1.57ピン数(ピン)8動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)2.5チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)8.8最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)35最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 800 mA， BC33725BUonsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法4.58 x 3.86 x 4.58mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)800トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100

onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥679税込￥747

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ高密度セル設計高い飽和電流優れたスイッチング高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)300最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成シングル最大パワー消費500 mW

onsemi 汎用整流ダイオード， 200mA， 200V 表面実装， 2-Pin SOD-80 シリコンジャンクション 1.25Vonsemi

￥2,698税込￥2,968

1箱(250個)

5日以内出荷

仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.5ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.25ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4ピーク逆回復時間(ns)50最大連続順方向電流(mA)200

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onsemi Pチャンネル MOSFET50 V 130 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥289税込￥318

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ高密度セル設計高い飽和電流優れたスイッチングピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)130最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)10最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費360 mW

onsemi ツェナーダイオード 4.7V スルーホール 1 Wonsemi

￥829税込￥912

1箱(100個)

7日以内出荷

仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)53最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)8

onsemi ロジックゲート， AND，表面実装， 2-入力， 74onsemi

￥849税込￥934

1箱(25個)

7日以内出荷

仕様AC/ACT08 には、 4 つの 2 入力 AND ゲートがあります。ICC は 74AC のみで 50% 削減されました出力ソース / シンク： 24 mA 用途この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。、論理回路：AC高さ(mm)1.05タイプロジック：ANDピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL10 ns @ 50 pFエレメント数4ゲートあたりの入力数2

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -1 A， BC640TAonsemi

￥2,398税込￥2,638

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-100最大パワー消費(W)1最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)100トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)-1トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)100

onsemi ツェナーダイオード 4.7V スルーホール 500 mWonsemi

￥4,698税込￥5,168

1袋(1000個)

5日以内出荷から7日以内出荷

仕様ツェナーダイオード500 mW、BZX79Cシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法(mm)1.91 (Dia.)×4.56ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールテスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)3最大パワー消費(mW)500ツェナータイプ電圧レギュレータツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)80

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onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 1 A， PN2222ABUonsemi

￥219税込￥241

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)300最大パワー消費625 mW

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3041Monsemi

￥699税込￥769

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)7500ac

電圧レベルシフタ onsemionsemi

￥999税込￥1,099

1箱(25個)

7日以内出荷

仕様●伝播遅延テスト条件：45pF●論理回路：HCタイプロジック：バッファピン数(ピン)14動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)21チップ当たりのエレメント数1低レベル出力電流(mA)(Max)7.8高レベル出力電流(mA)(Max)7.8最大伝播遅延時間@最大CL18 ns @ 45 pF

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， MMBFJ202onsemi

￥879税込￥967

1箱(25個)

7日以内出荷

仕様N チャンネル汎用アンプ - このデバイスは、主に低レベルオーディオ向けに設計され、高インピーダンス信号源を使用する汎用用途に適しています。プロセス 52 から調達。用途この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(mW)350

onsemi 小信号整流ダイオード， 200mA， 100V 表面実装， 3-Pin SOT-23onsemi

￥979税込￥1,077

1箱(50個)

7日以内出荷

仕様MMBD1205 ：高導電性超高速ダイオードプロセス 1P から取得。用途この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。ピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)整流器整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2最大連続順方向電流(mA)200

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3062Monsemi

￥779税込￥857

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductorチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアック最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5

onsemi スイッチングダイオード表面実装，シングル，エレメント数 1 DO-214AC (SMA)， 2-Pin 1.3Vonsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A長さ(mm)4.75幅(mm)2.95寸法(mm)4.75×2.95×2.2高さ(mm)2.2ピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -800 mA， PN2907ATFRonsemi

￥3,898税込￥4,288

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-60最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-800トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン100最大動作周波数(MHz)100

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onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3023Monsemi

￥469税込￥516

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductorチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイスフォトトライアック最大順方向電圧(V)1.15最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)5.3

onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin， 74ACT244MTConsemi

￥11,980税込￥13,178

1セット(73個)

5日以内出荷

仕様74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS、伝播遅延テスト条件：50pF、論理回路：74ACT寸法(mm)6.5×4.4×0.9タイプロジック：バッファ、ドライバ入力種類シングルエンドインターフェースバッファ&ラインドライバICピン数(ピン)20極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)5.5低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)24最大伝播遅延時間@最大CL12.5 ns @ 50 pF出力タイプ3ステート

onsemi バストランシーバ 74ACシリーズ 8ビット，非反転， 75mA， 2→ 6 V， 20-Pin SOIConsemi

￥1,198税込￥1,318

1セット(10個)

5日以内出荷

仕様●74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS●伝播遅延テスト条件：50pF●論理回路：74ACタイプロジック：バストランシーバ出力電流(mA)低レベル：(Max)75、高レベル：(Max)-75ピン数(ピン)20極性非反転回路数8RoHS指令(10物質対応)対応出力レベルTTL入力レベルTTL実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数18最大伝播遅延時間@最大CL9ns

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -200 mA， 2N3906BUonsemi

￥169税込￥186

1箱(10個)

翌々日出荷

仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-200トランジスタタイプPNP最大パワー消費625 mW

onsemi 反射型光センサ 4-Pin ミニチュアスルーホール実装onsemi

￥899税込￥989

1箱(10個)

6日以内出荷

仕様ON Semiconductor ミニチュア反射物体. ON Semiconductor QRE1113 は、ミニチュアスルーホールパッケージ形式の反射物体センサです。この小型 4 ピンパッケージ；は、わずか 3.6 x 2.9 x 1.7 mm で、ガルウィング形式( 761-3984 )も用意されています。センサはダイオードを使用して信号を発信し、フォトトランジスタはこの信号を検出して所定の範囲内の物体を検出します。. フォトトランジスタ出力接触面検出なし 4 ピン構成ミニチュアスルーホールパ長さ(mm)3.6幅(mm)2.9寸法(mm)3.6×2.9×1.7高さ(mm)1.7チャンネル数1ピン数(ピン)4動作温度(℃)-40～+85、レンジ：-40 → +85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間20μs標準降下時間20μs出力デバイスフォトトランジスタ

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， TIL117Monsemi

￥1,498税込￥1,648

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間2 μs標準降下時間2 μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大電流変換率(%)50絶縁電圧(V)7500 ac最大入力電流(A)3

onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 220 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)0.93ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)350チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)220最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2.5最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装パッケージSOT-363 6 ピンonsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)200チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)115最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)13.5最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 100 mA， BC547CBUonsemi

￥3,298税込￥3,628

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法4.58 x 3.86 x 4.58mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200， 420最大動作周波数(MHz)1

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：2，トランジスタ出力， MCT6SDonsemi

￥979税込￥1,077

1箱(10個)

7日以内出荷

チャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプ表面実装標準上昇時間2.4μs標準降下時間2.4μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)20絶縁電圧(kVrms)5

onsemi トランジスタ， NPN，表面実装， 800 mA， BSR14onsemi

￥849税込￥934

1箱(20個)

5日以内出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(mW)350最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)800トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン50最大動作周波数(MHz)300

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onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 100 mA， BC546BTFonsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)65最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)80トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン110最大動作周波数(MHz)1

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onsemi 小信号整流ダイオード，シリーズ， 200mA， 100V 表面実装， 3-Pin SOT-23 シリコンジャンクション 1Vonsemi

￥139税込￥153

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シリーズ整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)200

onsemi ラッチ， 20-Pin Dタイプ表面実装 MM74HC573WMXonsemi

￥719税込￥791

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS●ラッチエレメント：Dタイプ●ラッチモード：透明●論理回路：74HC長さ(mm)13.01寸法(mm)13.005×7.595×2.642高さ(mm)2.642ビット8bitピン数(ピン)20動作温度(℃)-40 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装出力タイプ3ステート

onsemi N， Pチャンネル MOSFET60 V 340 mA， 510 mA 表面実装パッケージSOT-23 6 ピンonsemi

￥729税込￥802

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)6動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN， Pチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)340510最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)410最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成絶縁型最大パワー消費960 mW

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -100 mA， BC556BTAonsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-65最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-80トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)150

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3063Monsemi

￥799税込￥879

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアックドライバ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(Vrms)4170ac(最小)

onsemi スイッチングダイオード表面実装，シングル，エレメント数 1 DO-214AC (SMA)， 2-Pin 1.1Vonsemi

￥1,298税込￥1,428

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A長さ(mm)4.75幅(mm)2.95寸法(mm)4.75×2.95×2.2高さ(mm)2.2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.1

onsemi ロジックゲート， NAND，表面実装， 2-入力， 74onsemi

￥259税込￥285

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●シュミットトリガ入力：なし●ロジックタイプ：NAND●低レベル出力電流 Max：24mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：10ns●論理回路：AC入力CMOSピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応特性74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOSパッケージSOIC実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6、(Min) 2高レベル出力電流(mA)-24エレメント数4ゲートあたりの入力数2最小動作温度(℃)-40

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onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 70 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥429税込￥472

1個

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：70 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：120 nC @ 20 Vピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)150チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3022VMonsemi

￥699税込￥769

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仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装出力デバイスフォトトライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(Vrms)5300

バリエーション一覧へ(2)

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 100 mA， BC547BTFonsemi

￥2,798税込￥3,078

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