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IXYS 整流用 ブリッジダイオード 175A， 1200V， 94 x 54 x 30mm， VUO160-12NO7IXYS￥9,998税込￥10,998
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UL適合E72873.ねじ端子付き三相ブリッジ整流器、VUO160シリーズ、IXYS.ねじ止め端子付きパッケージ絶縁耐圧:3000Vrms低順方向電圧降下
幅(mm)54寸法(mm)94×54×30ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプパネルマウントピーク平均順方向電流(A)175ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード：シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.65ピーク非繰返し順方向サージ電流(kA)1.95
IXYS デュアルサイリスタモジュール， SCRモジュール， 116A， 1200V， MCC95-12io1BIXYS￥6,198税込￥6,818
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UL認証部品MCCシリーズデュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)92×20.8×30タイプサイリスタ：SCRモジュールピン数(ピン)7動作温度(℃)(Max)+125RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)150繰返しピーク逆方向電圧(V)1200最大ゲートトリガー電圧(V)2.5定格平均オン電流(A)116最大保持電流(mA)200サージ電流レーティング(kA)2.4
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 88A， 1200V， 72 x 42 x 30mm， VUO82-12NO7IXYS￥5,998税込￥6,598
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5日以内出荷
UL適合E72873.ねじ端子付き三相ブリッジ整流器、VUO82シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)セラミック製パッケージ強化された温度及びパワーサイクリング非常に低い順方向電圧降下非常に低い漏洩電流
幅(mm)42寸法(mm)72×42×30ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプパネルマウントピーク平均順方向電流(A)88ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)820ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード：シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.6
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 63A， 1200V， 72 x 42 x 30mm， VUO62-12NO7IXYS￥5,498税込￥6,048
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UL適合E72873.ねじ端子付き三相ブリッジ整流器、VUO62シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)セラミックのパッケージ強化された温度及びパワーサイクリング非常に低い順方向電圧降下非常に低い漏洩電流
長さ(mm)72高さ(mm)30ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプパネルマウントピーク平均順方向電流(A)63ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)600ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード：シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.8
IXYS ソリッドステートリレー 最大負荷電流:150 mA 表面実装， CPC1008NIXYS￥1,198税込￥1,318
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6日以内出荷
UL認定コンポーネント: 認定番号E76270 CSA認定コンポーネント: 認定書1172007 EN / IEC60950-1認定コンポーネント: 認定書B 13 12 82667 003. 1フォームA 1500 Vrms SOP OptoMOSリレー、CPC. この単極ミニチュアソリッドステートリレーは、常時開(1フォームA)コンタクトを備え、4ピンSOPパッケージに収容されています。 このリレーは、光結合MOSFET技術を利用して入出力間で1500 Vrmsの絶縁を実現します。 有名なOptoMosアーキテクチャが採用されている出力は、効率的なMOSFETスイッチ及び光起電性ダイによって制御されます。 効率のよい赤外線LED入力で光結合制御を可能にします。 このリレーは、ダブルモールド垂直構造パッケージを採用することで、最も小型のリレーの1つとなっています。 このため、他の大型4ピンSOPリレーよりも基板のスペースを20 %以上節約することができます。 考えられる用途: セキュリティ: 受動型赤外線検出器(PIR)、データ信号伝達、センサ回路 計測機器: マルチプレクサ、データ収集、電子スイッチング、I/Oサブシステム メータ(ワット時、水量、ガス) 医療機器: 患者 / 機器の絶縁 航空宇宙 産業用制御 センサ回路 計装 マルチプレクサ データ収集. 特長 1500 Vrms入力 / 出力絶縁 動作に必要なLED電流はわずか0.5 mA 小型4ピンSOPパッケージ 高い信頼性 アークフリー(スナバ回路なし) EMI / RFI発生なし 放射電磁界に対する耐性 ウエーブはんだ付け可能
仕様最大負荷電流 = 150 mA取り付けタイプ = 表面実装スイッチングタイプ = DC極数 = 1接点構成 = SPST出力装置 = リレーリレータイプ = OptoMOS最大ターンオン時間 = 2ms寸法 = 4.089 x 3.81 x 2.1203mm高さ = 2.1mmRoHS指令(10物質対応)対応
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 単相 40A， 800V， 38.3 x 25.07 x 9.6mm， VBO40-08NO6IXYS￥4,498税込￥4,948
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ULE72873.ねじ端子付きブリッジ整流器モジュール、VBO40シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)絶縁のパッケージ非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化
寸法(mm)38.3×25.07×9.6高さ(mm)9.6ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプパネルマウントピーク逆繰返し電圧(V)800ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)320ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード：シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.15ブリッジタイプ単相
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 35A， 1200V， 28.5 x 28.5 x 10mm， VUO36-12NO8IXYS￥2,298税込￥2,528
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UL適合E72873.プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VUO36シリーズ、IXYS.非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化ねじ1本で簡単に取り付け
幅(mm)28.5寸法(mm)28.5×28.5×10ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)35ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)600ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード：シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.7
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 35A， 1600V， 28.5 x 28.5 x 10mm， VUO36-16NO8IXYS￥2,598税込￥2,858
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UL適合E72873.プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VUO36シリーズ、IXYS.非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化ねじ1本で簡単に取り付け
寸法(mm)28.5×28.5×10高さ(mm)10ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスクリューマウントピーク逆繰返し電圧(V)1600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)600ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード：シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.7ブリッジタイプ3相
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 210 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピンIXYS￥4,598税込￥5,058
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NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)210最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.89kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 132 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピンIXYS￥3,998税込￥4,398
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5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)132最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.89kW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 94 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,898税込￥2,088
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7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3シリーズHiperFET，Polar3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)94最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 98 A スルーホール パッケージTO-264 3 ピンIXYS￥2,998税込￥3,298
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NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)98最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)50最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.3kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 60 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,598税込￥1,758
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NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar3ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)60最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 150 A スルーホール パッケージTO-264 3 ピンIXYS￥3,298税込￥3,628
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5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)150最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)19最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.3kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 61 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥4,298税込￥4,728
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NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6シリーズHiperFET，Polarピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)61最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)85最大ゲートしきい値電圧(V)5.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費700000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 115 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥4,798税込￥5,278
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)115最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ185nC@10V最大パワー消費700000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET800 V 24 A スルーホール パッケージTO-247AD 3 ピンIXYS￥1,498税込￥1,648
1個
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NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)24最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)400最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費650W
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 200 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥4,498税込￥4,948
1個
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NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Max)+175、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)200最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.5最大ゲートしきい値電圧(V)5最小ゲートしきい値電圧(V)3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20最大パワー消費680W
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 75 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンIXYS￥789税込￥868
1個
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NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polarピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)75最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)25最大ゲートしきい値電圧(V)5.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ74nC@10V最大パワー消費360000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 110 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,298税込￥1,428
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polarピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)110最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費480000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 70 A スルーホール パッケージISOPLUS247 3 ピンIXYS￥3,298税込￥3,628
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズPolarHiPerFETピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)70最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26最大ゲートしきい値電圧(V)5最小ゲートしきい値電圧(V)3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20最大パワー消費300W
IXYS サイリスタモジュール， SCR， 54A， 1600V， MCO50-16IO1IXYS￥4,598税込￥5,058
1個
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UL適合E72873MCOシリーズサイリスタモジュール、IXYSハイパワーサイリスタモジュール
寸法(mm)38.2×25.07×9.6タイプサイリスタ：SCR電圧(V)ピークオンステージ：1.3ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)80繰返しピーク逆方向電圧(V)1600最大ゲートトリガー電圧(V)1.4定格平均オン電流(A)54最大保持電流(mA)100サージ電流レーティング(kA)0.8
IXYS Nチャンネル MOSFET600 V 50 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,698税込￥1,868
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Q3シリーズ.IXYSのQ3クラスのHiperFET(TM)パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100V及び70Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。.高速真性整流器低RDS(オン)及びQG(ゲート電荷量)低真性ゲート抵抗産業用の標準パッケージ低パッケージインダクタンス高電力密度
ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)50最大ドレイン-ソース間電圧(V)600最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)145最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS デュアルサイリスタモジュール， SCRモジュール， 130A， 1600V， MCC132-16IO1IXYS￥9,998税込￥10,998
1個
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UL認証部品MCCシリーズデュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)94×34×30タイプサイリスタ：SCRモジュールピン数(ピン)7RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)150繰返しピーク逆方向電圧(V)1600最大ゲートトリガー電圧(V)2.5定格平均オン電流(A)130繰返しピークオフステート電流(mA)10最大保持電流(mA)200サージ電流レーティング(kA)5.08
IXYS デュアルサイリスタモジュール， SCRモジュール， 116A， 1600V， MCC95-16IO1BIXYS￥6,698税込￥7,368
1個
7日以内出荷
UL認証部品MCCシリーズデュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)92×20.8×30タイプサイリスタ：SCRモジュールピン数(ピン)7RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)150繰返しピーク逆方向電圧(V)1600最大ゲートトリガー電圧(V)2.5定格平均オン電流(A)116繰返しピークオフステート電流(mA)5最大保持電流(mA)200サージ電流レーティング(kA)2.4
IXYS デュアルサイリスタモジュール， SCRモジュール， 190A， 1600V， MCC162-16IO1IXYS￥11,980税込￥13,178
1個
5日以内出荷
UL認証部品MCCシリーズデュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)94×34×30タイプサイリスタ：SCRモジュールピン数(ピン)7動作温度(℃)(Max)+125RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)150繰返しピーク逆方向電圧(V)1600最大ゲートトリガー電圧(V)2.5定格平均オン電流(A)190最大保持電流(mA)200サージ電流レーティング(kA)6.4
IXYS デュアルサイリスタモジュール， SCRモジュール， 320A， 1600V， MCC310-16IO1IXYS￥23,980税込￥26,378
1個
7日以内出荷
UL認証部品MCCシリーズデュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)116×60×30タイプサイリスタ：SCRモジュールピン数(ピン)7RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)150繰返しピーク逆方向電圧(V)1600最大ゲートトリガー電圧(V)2定格平均オン電流(A)320繰返しピーク順方向抑止電圧(V)1600最大保持電流(mA)150サージ電流レーティング(kA)9.8
IXYS Nチャンネル MOSFET1000 V 24 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥7,998税込￥8,798
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)シリーズ
シリーズHiperFETピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウント1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)24最大ドレイン-ソース間電圧(V)1000最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)390最大ゲートしきい値電圧(V)5.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費568000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 48 A スルーホール パッケージTO-264AA 3 ピンIXYS￥4,198税込￥4,618
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)シリーズ
高さ(mm)26.16ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)48最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲートしきい値電圧(V)4最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費500W
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 55A， 1600V， 63 x 31.6 x 17mm， VUO52-16NO1IXYS￥4,698税込￥5,168
1個
7日以内出荷
UL適合E72873.基板実装用三相ブリッジ整流器、VUO52シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)セラミック製パッケージ重量の軽量化強化された温度及びパワーサイクリング非常に低い順方向電圧降下非常に低い漏洩電流基板実装用はんだピン
幅(mm)31.6寸法(mm)63×31.6×17ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Max)+130、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプパネルマウントピーク逆繰返し電圧(V)1600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)375ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード：シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.46ブリッジタイプ3相
IXYS Nチャンネル IGBT 1200 V 200 A， 3-Pin TO-247 シングルIXYS￥3,298税込￥3,628
1個
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IGBTディスクリート、IXYSXPTシリーズ.IXYSのXPT(TM)シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。.高電力密度及び低VCE(sat)逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成10μsの短絡耐量オン状態電圧の正温度係数オプションのSonic-FRD(TM)又はHiPerFRED(TM)ダイオード付属国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
寸法(mm)16.26×5.3×21.46ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大連続コレクタ電流(A)200最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)1200最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20チャンネルタイプNトランジスタ構成シングルスイッチングスピード50kHz最大パワー消費1250W
IXYS 汎用 整流ダイオード， シリーズ， 28A， 1200V スルーホール， 3-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 1.6VIXYS￥779税込￥857
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ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シリーズ整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.6ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)330テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション最大連続順方向電流(A)28
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