制御機器 ：「m-180」の検索結果

静電容量 = 90F電圧 = 5.6V dc実装タイプ = スルーホール動作温度 Min = -20℃動作温度 Max = +85℃高さ = 15mm寸法 = 35 x 25 x 15mmリード間隔 = 15mm漏れ電流 = 0.5 mA等価直列抵抗 = 180 (dc) mΩ， 60 (ac) mΩ寿命 = 1000hシリーズ = 196 HVC許容差 = -20 → +80%末端仕様 = ラジアルmm196 HVCシリーズ. 低プロファイル: 2.5 mm 13 Ws/gの高電力密度 最高6つのセルを使用可能 90 Fまでの静電容量 スタック式スルーホール、フラット表面実装、及びレイフラット構成を備えたピン、タブ、コネクタを用意 幅広い電圧範囲: 1.4 → 8.4 V 有効寿命: 1000時間 @ +85 ℃. 組み込みコンピュータ、サーバー、データストレージシステム、業務用リモコン、リアルタイムクロック、緊急照明、ゲーム、自動販売機、ネットワーク機器における環境発電と電源ラインのバックアップ用途

抵抗 180Ωテクノロジー 厚膜パッケージ/ケース 0603 (1608M)許容差 ±1%定格電力 0.25W温度係数 ±100ppm/K自動車規格 AEC-Q200シリーズ CRCW動作温度 Min -55℃動作温度 Max +155℃0603 CRCW高出力厚膜チップ抵抗器. VishayのCRCWシリーズ抵抗器は、優れたパルス負荷耐量を誇る標準的な厚膜表面実装(SMD)抵抗器です。0603パッケージは厚さがわずか0.45 mmで、高品質セラミックボディにメタルグレーズが施されています。出力定格の向上と信頼性の高い安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続)により、CRCWシリーズのSMD抵抗器はさまざまな用途に最適です。 . 特長と利点.優れたパルス負荷耐量 定格電力の向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) ニッケルバリヤ層の鉛(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、鉛(Pb)フリー及び鉛含有のはんだ付けに対応

抵抗 180kΩテクノロジー 厚膜パッケージ/ケース 0805 (2012M)許容差 ±1%定格電力 0.125W温度係数 ±100ppm/℃自動車規格 AEC-Q200シリーズ CRCW動作温度 Min -55℃動作温度 Max +155℃0805 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 5.6 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装(SMD)厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0805パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 180Ωテクノロジー 厚膜パッケージ/ケース 0805 (2012M)許容差 ±1%定格電力 0.5W温度係数 ±100ppm/K自動車規格 AEC-Q200シリーズ CRCW動作温度 Min -55℃動作温度 Max +155℃0805高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.33 W. パルス防止の高出力厚膜チップ抵抗器シリーズは、信頼性、安定性、高い出力定格、優れたパルス負荷性能が重要視される電力測定電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途には、車載機器のバッテリ管理システムなどがあります。. 特長. 優れたパルス負荷耐量 定格電力の向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) ニッケルバリヤ層の鉛(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、鉛( Pb )フリー及び鉛フリーに対応 はんだ付けプロセスを含む. 用途. 自動化 産業用

抵抗 180kΩテクノロジー 厚膜パッケージ/ケース 1206 (3216M)許容差 ±1%定格電力 0.25W温度係数 ±100ppm/℃自動車規格 AEC-Q200シリーズ CRCW動作温度 Min -55℃動作温度 Max +155℃1206 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 5.6 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 1206パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 180Ωテクノロジー 厚膜パッケージ/ケース 0603 (1608M)許容差 ±1%定格電力 0.1W温度係数 ±100ppm/K自動車規格 AEC-Q200シリーズ CRCW動作温度 Min -55℃動作温度 Max +155℃0603 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (0 → 9.53 kΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0603パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 安定性 H05VR/R 1 @ 1000 時間 70 C 2 mm ピッチのパッケージオプションで 0603 サイズに対応 物理的なニッケルバリア層でのはんだコンタクトを強化する 鉛( Pb )フリー及び鉛フリーに対応しています はんだ付け処理が含まれています メタルグレーズで高品質セラミックを採用 AEC-Q200 認定. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 580 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 180 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 5.31mm高さ = 20.7mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 180 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 179 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 15.87mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

静電容量 = 180pF電圧 = 250V dcパッケージ/ケース = 0805 (2012M)実装タイプ = 表面実装温度特性 = C0G許容差 = ±10%寸法 = 2 x 1.25 x 1.45mm長さ = 2mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.45mmシリーズ = VJ HIFREQ末端仕様 = 表面実装℃Vishay VJシリーズ高周波多層セラミック. Vishay表面実装積層VJ高周波セラミックチップコンデンサシリーズは、非常に安定性の高い誘電体材料が採用されています。. 特長と利点:. GHzのシステムでも優れた低損失性能. 高周波. 用途:. ブロードバンドワイヤレス通信及び衛星通信、WiFi及びWiMaxシステム、VoIP及び携帯基地局、RF及びマイクロ波、医療機器及び試験装置、軍事機器

静電容量 = 18pF電圧 = 100V dcパッケージ/ケース = 0402 (1005M)実装タイプ = 表面実装温度特性 = C0G許容差 = ±5%寸法 = 1.02 x 0.51 x 0.61mm長さ = 1.02mm奥行き = 0.51mm高さ = 0.61mmシリーズ = VJ HIFREQ動作温度 Max = +125℃Vishay VJシリーズ高周波多層セラミック. Vishay表面実装積層VJ高周波セラミックチップコンデンサシリーズは、非常に安定性の高い誘電体材料が採用されています。. 特長と利点:. GHzのシステムでも優れた低損失性能. 高周波. 用途:. ブロードバンドワイヤレス通信及び衛星通信、WiFi及びWiMaxシステム、VoIP及び携帯基地局、RF及びマイクロ波、医療機器及び試験装置、軍事機器

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 180 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor