Nexperia スイッチングダイオード, 250mA, 200V, 2-Pin DO-35nexperia当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 4.25mm幅 = 1.85mm高さ = 1.85mmピーク逆回復時間 = 50ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード, 250mA, 125V, 2-Pin DO-34,エレメント数 1, シングルnexperia翌々日出荷
仕様最大順方向電流 = 250mA実装タイプ = スルーホール最大逆電圧 = 125Vパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mm寸法 = 3.04 x 1.6 x 1.6mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Hi-Speed Diode,75V,250mA,BAS516nexperia翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mm寸法 = 0.65 x 1.25 x 0.85mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード, 250mA, 100V, 2-Pin SOD-323F,エレメント数 1, シングルnexperia7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 100Vパッケージタイプ = SOD-323Fピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 1.5pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 0.8mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia デュアル NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 6-Pin SOT-457 (SC-74)nexperia翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-457 (SC-74)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = カレントミラー最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2幅 = 1.7mm汎用NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BCX70Knexperia5日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 380トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BCX70Knexperia5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 380トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3 x 1.4 x 1mm汎用NPNトランジスタ、Nexperia
Nexperia トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BCX70Jnexperia¥11,980税込¥13,178
1セット(3000個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 250トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用NPNトランジスタ、Nexperia
Nexperia NPN トランジスタ, 30 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 12 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 500 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP スイッチングダイオード, 250mA, 100V, 2-Pin SOD-523nexperia¥10,980税込¥12,078
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク逆電流 = 500nA小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード 27.5Vnexperia¥14,980税込¥16,478
1リール(2500個)
7日以内出荷
ダイオードシングル1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(mW)500パッケージSOD-80Cツェナータイプ電圧レギュレータツェナー電圧許容性(%)±2ピン数(ピン)2テスト電流(mA)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)80最大逆漏れ電流(nA)50長さ(mm)3.7寸法(mm)1.6Dia.×3.7直径(Φmm)1.6順方向電流(mA)250RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード, シリーズ, 225mA, 250V, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 250V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 50ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23nexperia7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm汎用PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 250 V, 50 mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 60 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm高電圧トランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
『制御機器/はんだ・静電気対策用品』には他にこんなカテゴリがあります
インバータ富士電機税込¥42,878~¥38,980~
電源フェニックス・コンタクト税込¥39,578~¥35,980~
電源フェニックス・コンタクト税込¥27,478¥24,980
電源フェニックス・コンタクト税込¥37,378~¥33,980~
電源フェニックス・コンタクト税込¥21,978¥19,980