制御機器 ：「ポッケ」の検索結果

抵抗 = 50mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±700ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 2Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 470mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±250ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 50Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 2.2Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 20Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω～1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω～1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 10.16mm。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω～1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1.8Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。シリーズ = AP101。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±300ppm/℃。動作温度 Min = -65℃。AP101 シリーズ 100 W TO-247 高出力抵抗器. AP101シリーズ無誘導TO-247スタイル厚膜電力抵抗器の消費電力は100 wです。AP101シリーズは新しい材質技術を採用し、非常に低い熱抵抗の特性があります。. O-247スタイルパワーパッケージの消費電力：100 w 抵抗器のホットスポット-金属タブで0.9 ℃/Wの非常に低い熱抵抗 厚膜設計 ねじ1本でヒートシンクに取り付け可能 保護用成形ケース 電気的に絶縁されたケース 無誘導性設計 推奨： 金属タブとヒートシンクの間にサーマルグリスを使用

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。シリーズ = AP101。パッケージ/ケース = TO-247。動作温度 Max = +175℃。動作温度 Min = -65℃。AP101 シリーズ 100 W TO-247 高出力抵抗器. AP101シリーズ無誘導TO-247スタイル厚膜電力抵抗器の消費電力は100 wです。AP101シリーズは新しい材質技術を採用し、非常に低い熱抵抗の特性があります。. O-247スタイルパワーパッケージの消費電力：100 w 抵抗器のホットスポット-金属タブで0.9 ℃/Wの非常に低い熱抵抗 厚膜設計 ねじ1本でヒートシンクに取り付け可能 保護用成形ケース 電気的に絶縁されたケース 無誘導性設計 推奨： 金属タブとヒートシンクの間にサーマルグリスを使用

3535 用に最適化され、7070 サイズまでの LED パッケージに対応した O 38mm の外科用照明用レンズです。 SURI は、6 ° のタイトなビームで手術などの技術的な照明要件に対応しています。これは、手術用照明の IEC 規格に準拠し、ホットスポットなしで高い CD/LM 値を提供します。パッケージ全体は、テープまたはネジを使用して取り付けることができます。

LedilOLGAシリーズクリアLEDレンズは、円形で9°のスポットビームを照射可能です。メタクリル酸ポリメチル(PMMA)素材製です。ホルダと設置テープアセンブリが付属しています。高出力3535サイズLEDパッケージ向けに最適化されています放射パターンはスポットビームです寸法：32.0mm(直径)x19.1mm(高さ)固定具はテープ、ピンです

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

RS PRO IEC無機絶縁Kタイプ熱電対 ねじ込み式ポット・テール付き. RS PRO のKタイプ熱電対温度センサ・プローブは、IEC584規格に準拠しています。この熱電対温度プローブは、無機絶縁の柔軟な310ステンレススチールプローブ被覆を備えた耐久性のある構造で、さまざまな用途に合わせて曲げて成形することができます。この熱電対は、電気的干渉を低減するために単一素子で絶縁された熱接点と、M81.00 mm のファインピッチねじ込みポットシール(定格温度 200C )を備えています。熱電対の測定原理. 熱電対は、さまざまなプロセスで温度測定に使用するセンサです。異なる2種の金属線を2か所の先端部で接触させて、2か所の接点を形成します。熱接点(測温接点)は、温度測定対象の本体に接続します。冷接点(基準接点)は、既知温度の本体に接続します。測温接点を熱源に配置すると、この接点と基準接点の間に電圧差又は電位差が発生します。この電圧は、熱電対参照テーブルを使用して温度測定値に変換されます。このプロセスは、ゼーベック効果として知られています。絶縁接点とは何ですか絶縁接点又は非接地型接点とは、熱電対のワイヤが相互に溶接され、外部保護被覆で完全に覆われる接点です。多くの場合、無機絶縁を利用します。このような接点は、電気的干渉が少なく、安定した読み取りができるという利点があります. 無機絶縁とは何ですか無機絶縁は、他の熱電対線から、またはその周囲を囲む金属プローブ被覆から絶縁するために使用されます。導体が固定接点以外の接点同士の接触を防止するために、被覆には高圧縮酸化マグネシウム粉末が充填されています。高密度のミネラルパウダーにより、熱電対は導体と被覆の間で高速な熱伝導を促進し、迅速な応答が可能になります。又、無機絶縁は、腐食などの環境損傷からの熱電対線の保護、電気的干渉の防止、機械的強度とケーブルの柔軟性の維持に役立ちます。特長. 絶縁熱接点により電気的干渉を低減 無機絶縁により柔軟性、耐久性、高性能を実現 IEC584規格に準拠 柔軟性があり、曲げて成形できるため、取り付けが簡単 耐腐食性と耐酸化性に優れた310ステンレススチール被覆 M81.0 mm ファインピッチのねじ込みポットシール 幅広い温度範囲：-100+1，100 ℃. 用途. Kタイプ熱電対(ニッケルクロム/ニッケルアルミニウム)は幅広い動作温度範囲、高精度と柔軟性を備えた、最も一般的な熱電対です。この無機絶縁Kタイプ熱電対プローブは、主に熱交換器、発電所、レンガセメント炉、熱処理、焼鈍炉、サーモスタット、食品温度計、車両診断、研究機関などに使われています。アクセサリ. M8ロックナットを用意しています。品番762-1162 762-1162； 762-1187 762-1187 を参照してください。

RS PRO IEC無機絶縁Kタイプ熱電対 ねじ込み式ポット・テール付き. RS PRO のKタイプ熱電対温度センサ・プローブは、IEC584規格に準拠しています。この熱電対温度プローブは、無機絶縁の柔軟な310ステンレススチールプローブ被覆を備えた耐久性のある構造で、さまざまな用途に合わせて曲げて成形することができます。この熱電対は、電気的干渉を低減するために単一素子で絶縁された熱接点と、M8 x 1.00 mm のファインピッチねじ込みポットシール(定格温度 200 ° C )を備えています。熱電対の測定原理. 熱電対は、さまざまなプロセスで温度測定に使用するセンサです。異なる2種の金属線を2か所の先端部で接触させて、2か所の接点を形成します。熱接点(測温接点)は、温度測定対象の本体に接続します。冷接点(基準接点)は、既知温度の本体に接続します。測温接点を熱源に配置すると、この接点と基準接点の間に電圧差又は電位差が発生します。この電圧は、熱電対参照テーブルを使用して温度測定値に変換されます。このプロセスは、ゼーベック効果として知られています。絶縁接点とは何ですか.. 絶縁接点又は非接地型接点とは、熱電対のワイヤが相互に溶接され、外部保護被覆で完全に覆われる接点です。多くの場合、無機絶縁を利用します。このような接点は、電気的干渉が少なく、安定した読み取りができるという利点があります. 無機絶縁とは何ですか.. 無機絶縁は、他の熱電対線から、またはその周囲を囲む金属プローブ被覆から絶縁するために使用されます。導体が固定接点以外の接点同士の接触を防止するために、被覆には高圧縮酸化マグネシウム粉末が充填されています。高密度のミネラルパウダーにより、熱電対は導体と被覆の間で高速な熱伝導を促進し、迅速な応答が可能になります。又、無機絶縁は、腐食などの環境損傷からの熱電対線の保護、電気的干渉の防止、機械的強度とケーブルの柔軟性の維持に役立ちます。特長. 絶縁熱接点により電気的干渉を低減 無機絶縁により柔軟性、耐久性、高性能を実現 IEC584規格に準拠 柔軟性があり、曲げて成形できるため、取り付けが簡単 耐腐食性と耐酸化性に優れた310ステンレススチール被覆 M8 x 1.0 mm ファインピッチのねじ込みポットシール 幅広い温度範囲：-100 → +1，100 ℃. 用途. Kタイプ熱電対(ニッケルクロム/ニッケルアルミニウム)は幅広い動作温度範囲、高精度と柔軟性を備えた、最も一般的な熱電対です。この無機絶縁Kタイプ熱電対プローブは、主に熱交換器、発電所、レンガ / セメント炉、熱処理、焼鈍炉、サーモスタット、食品温度計、車両診断、研究機関などに使われています。アクセサリ. M8ロックナットを用意しています。品番< 762-1162 762-1162 と< 762-1187 762-1187 を参照してください。

RS PRO IEC無機絶縁Kタイプ熱電対 ねじ込み式ポット・テール付き. RS PRO のKタイプ熱電対温度センサ・プローブは、IEC584規格に準拠しています。この熱電対温度プローブは、無機絶縁の柔軟な310ステンレススチールプローブ被覆を備えた耐久性のある構造で、さまざまな用途に合わせて曲げて成形することができます。この熱電対は、電気的干渉を低減するために単一素子で絶縁された熱接点と、M8 x 1.00 mm のファインピッチねじ込みポットシール(定格温度 200 ° C )を備えています。熱電対の測定原理. 熱電対は、さまざまなプロセスで温度測定に使用するセンサです。異なる2種の金属線を2か所の先端部で接触させて、2か所の接点を形成します。熱接点(測温接点)は、温度測定対象の本体に接続します。冷接点(基準接点)は、既知温度の本体に接続します。測温接点を熱源に配置すると、この接点と基準接点の間に電圧差又は電位差が発生します。この電圧は、熱電対参照テーブルを使用して温度測定値に変換されます。このプロセスは、ゼーベック効果として知られています。絶縁接点とは何ですか.. 絶縁接点又は非接地型接点とは、熱電対のワイヤが相互に溶接され、外部保護被覆で完全に覆われる接点です。多くの場合、無機絶縁を利用します。このような接点は、電気的干渉が少なく、安定した読み取りができるという利点があります. 無機絶縁とは何ですか.. 無機絶縁は、他の熱電対線から、またはその周囲を囲む金属プローブ被覆から絶縁するために使用されます。導体が固定接点以外の接点同士の接触を防止するために、被覆には高圧縮酸化マグネシウム粉末が充填されています。高密度のミネラルパウダーにより、熱電対は導体と被覆の間で高速な熱伝導を促進し、迅速な応答が可能になります。又、無機絶縁は、腐食などの環境損傷からの熱電対線の保護、電気的干渉の防止、機械的強度とケーブルの柔軟性の維持に役立ちます。特長. 絶縁熱接点により電気的干渉を低減 無機絶縁により柔軟性、耐久性、高性能を実現 IEC584規格に準拠 柔軟性があり、曲げて成形できるため、取り付けが簡単 耐腐食性と耐酸化性に優れた310ステンレススチール被覆 M8 x 1.0 mm ファインピッチのねじ込みポットシール 幅広い温度範囲：-100 → +1，100 ℃. 用途. Kタイプ熱電対(ニッケルクロム/ニッケルアルミニウム)は幅広い動作温度範囲、高精度と柔軟性を備えた、最も一般的な熱電対です。この無機絶縁Kタイプ熱電対プローブは、主に熱交換器、発電所、レンガ / セメント炉、熱処理、焼鈍炉、サーモスタット、食品温度計、車両診断、研究機関などに使われています。アクセサリ. M8ロックナットを用意しています。品番< 762-1162 762-1162 と< 762-1187 762-1187 を参照してください。

熱電対タイプ = K。プローブ径 = 3mm。プローブの長さ = 1.5m。プローブ材質 = ステンレス鋼℃。実装タイプ = 裸線テール。ケーブル長 = 100mm。代表規格 = IEC， RoHS対応。。RS PRO IEC無機絶縁Kタイプ熱電対 ねじ込み式ポット・テール付き. RS PRO のKタイプ熱電対温度センサ・プローブは、IEC584規格に準拠しています。この熱電対温度プローブは、無機絶縁の柔軟な310ステンレススチールプローブ被覆を備えた耐久性のある構造で、さまざまな用途に合わせて曲げて成形することができます。この熱電対は、電気的干渉を低減するために単一素子で絶縁された熱接点と、M8 x 1.00 mm のファインピッチねじ込みポットシール(定格温度 200 ° C )を備えています。熱電対の測定原理. 熱電対は、さまざまなプロセスで温度測定に使用するセンサです。異なる2種の金属線を2か所の先端部で接触させて、2か所の接点を形成します。熱接点(測温接点)は、温度測定対象の本体に接続します。冷接点(基準接点)は、既知温度の本体に接続します。測温接点を熱源に配置すると、この接点と基準接点の間に電圧差又は電位差が発生します。この電圧は、熱電対参照テーブルを使用して温度測定値に変換されます。このプロセスは、ゼーベック効果として知られています。絶縁接点とは何ですか.. 絶縁接点又は非接地型接点とは、熱電対のワイヤが相互に溶接され、外部保護被覆で完全に覆われる接点です。多くの場合、無機絶縁を利用します。このような接点は、電気的干渉が少なく、安定した読み取りができるという利点があります. 無機絶縁とは何ですか.. 無機絶縁は、他の熱電対線から、またはその周囲を囲む金属プローブ被覆から絶縁するために使用されます。導体が固定接点以外の接点同士の接触を防止するために、被覆には高圧縮酸化マグネシウム粉末が充填されています。高密度のミネラルパウダーにより、熱電対は導体と被覆の間で高速な熱伝導を促進し、迅速な応答が可能になります。又、無機絶縁は、腐食などの環境損傷からの熱電対線の保護、電気的干渉の防止、機械的強度とケーブルの柔軟性の維持に役立ちます。特長. 絶縁熱接点により電気的干渉を低減 無機絶縁により柔軟性、耐久性、高性能を実現 IEC584規格に準拠 柔軟性があり、曲げて成形できるため、取り付けが簡単 耐腐食性と耐酸化性に優れた310ステンレススチール被覆 M8 x 1.0 mm ファインピッチのねじ込みポットシール 幅広い温度範囲：-100 → +1，100 ℃. 用途. Kタイプ熱電対(ニッケルクロム/ニッケルアルミニウム)は幅広い動作温度範囲、高精度と柔軟性を備えた、最も一般的な熱電対です。この無機絶縁Kタイプ熱電対プローブは、主に熱交換器、発電所、レンガ / セメント炉、熱処理、焼鈍炉、サーモスタット、食品温度計、車両診断、研究機関などに使われています。アクセサリ. M8ロックナットを用意しています。品番 ； 762-1162 762-1162 と ； 762-1187 762-1187 を参照してください。

熱電対タイプ = K。プローブ径 = 1.5mm。プローブの長さ = 2m。プローブ材質 = ステンレス鋼℃。実装タイプ = 裸線テール。ケーブル長 = 100mm。代表規格 = IEC， RoHS対応。。RS PRO IEC無機絶縁Kタイプ熱電対 ねじ込み式ポット・テール付き. RS PRO のKタイプ熱電対温度センサ・プローブは、IEC584規格に準拠しています。この熱電対温度プローブは、無機絶縁の柔軟な310ステンレススチールプローブ被覆を備えた耐久性のある構造で、さまざまな用途に合わせて曲げて成形することができます。この熱電対は、電気的干渉を低減するために単一素子で絶縁された熱接点と、M8 x 1.00 mm のファインピッチねじ込みポットシール(定格温度 200 ° C )を備えています。熱電対の測定原理. 熱電対は、さまざまなプロセスで温度測定に使用するセンサです。異なる2種の金属線を2か所の先端部で接触させて、2か所の接点を形成します。熱接点(測温接点)は、温度測定対象の本体に接続します。冷接点(基準接点)は、既知温度の本体に接続します。測温接点を熱源に配置すると、この接点と基準接点の間に電圧差又は電位差が発生します。この電圧は、熱電対参照テーブルを使用して温度測定値に変換されます。このプロセスは、ゼーベック効果として知られています。絶縁接点とは何ですか.. 絶縁接点又は非接地型接点とは、熱電対のワイヤが相互に溶接され、外部保護被覆で完全に覆われる接点です。多くの場合、無機絶縁を利用します。このような接点は、電気的干渉が少なく、安定した読み取りができるという利点があります. 無機絶縁とは何ですか.. 無機絶縁は、他の熱電対線から、またはその周囲を囲む金属プローブ被覆から絶縁するために使用されます。導体が固定接点以外の接点同士の接触を防止するために、被覆には高圧縮酸化マグネシウム粉末が充填されています。高密度のミネラルパウダーにより、熱電対は導体と被覆の間で高速な熱伝導を促進し、迅速な応答が可能になります。又、無機絶縁は、腐食などの環境損傷からの熱電対線の保護、電気的干渉の防止、機械的強度とケーブルの柔軟性の維持に役立ちます。特長. 絶縁熱接点により電気的干渉を低減 無機絶縁により柔軟性、耐久性、高性能を実現 IEC584規格に準拠 柔軟性があり、曲げて成形できるため、取り付けが簡単 耐腐食性と耐酸化性に優れた310ステンレススチール被覆 M8 x 1.0 mm ファインピッチのねじ込みポットシール 幅広い温度範囲：-100 → +1，100 ℃. 用途. Kタイプ熱電対(ニッケルクロム/ニッケルアルミニウム)は幅広い動作温度範囲、高精度と柔軟性を備えた、最も一般的な熱電対です。この無機絶縁Kタイプ熱電対プローブは、主に熱交換器、発電所、レンガ / セメント炉、熱処理、焼鈍炉、サーモスタット、食品温度計、車両診断、研究機関などに使われています。アクセサリ. M8ロックナットを用意しています。品番 ； 762-1162 762-1162 と ； 762-1187 762-1187 を参照してください。

抵抗 = 25Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整