制御機器 ：「110v40w」の検索結果

。海外仕様の電気製品を国内でも使えるよう電気を変換するための変圧器。合計60Wまでのものに対応。10Wぐらいの充電器なら安定して動かすことができる十分なパワーを持っています。最長の辺が70mmと非常に小型。プラグも必要に応じて開閉できるため、他の荷物と干渉し辛く、すっきり収納可能。日本の安全基準に従って厳しい検査をクリアし、PSEマークを取得した"Made in Japan"の変圧器

TRACO POWER TEP 40UIR は、12 ： 1 の超ワイド入力電圧範囲の高性能 40 W 鉄道 DC/DC コンバータシリーズで、小型 ブリック( 2.3 インチ x 1.45 インチ x 0.5 インチ)金属製パッケージを特長としています。超ワイド入力により、このコンバータは、同じ用途で異なる電圧範囲をカバーする必要がある場合にオールインワンソリューションとして機能し、複数

Traco Power の tmdc 40H シリーズ絶縁コンバータは、産業用 DC/DC オフボードモジュールの TMDC ラインで動作します。このコンバータは、2 ： 1 の高入力電圧及び 3000 V ac の強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は 80 → 160 V dc です 動作温度範

Traco Power の tmdc 40H シリーズ絶縁コンバータは、産業用 DC/DC オフボードモジュールの TMDC ラインで動作します。このコンバータは、2 ： 1 の高入力電圧及び 3000 V ac の強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は 80 → 160 V dc です 動作温度範

Traco Power の tmdc 40H シリーズ絶縁コンバータは、産業用 DC/DC オフボードモジュールの TMDC ラインで動作します。このコンバータは、2 ： 1 の高入力電圧及び 3000 V ac の強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は 80 → 160 V dc です 動作温度範

TracoPowerのtmdc40Hシリーズ絶縁コンバータは、産業用DC/DCオフボードモジュールのTMDCラインで動作します。このコンバータは、2：1の高入力電圧及び3000Vacの強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は80→160Vdcです動作温度範囲：-40→+75℃イミュニティ(EN55035)及びエミッション(EN55032)用のフィルタを内蔵過負荷電圧に対する保護低電圧及び短絡から保護します

TRACO POWER TEP 40UIR は、12 ： 1 の超ワイド入力電圧範囲の高性能 40 W 鉄道 DC/DC コンバータシリーズで、小型 ブリック( 2.3 インチ x 1.45 インチ x 0.5 インチ)金属製パッケージを特長としています。超ワイド入力により、このコンバータは、同じ用途で異なる電圧範囲をカバーする必要がある場合にオールインワンソリューションとして機能し、複数の異なるコンバータを設置する問題を解決します。これらのモジュールに内部回路が実装されているため、高電圧コンデンサを使用しなくても全入力範囲に対応できるため、保持時間を簡単に延長できます。バスピンにより、保持時間を簡単に延長可能 動作温度範囲: 40 → +85℃ I/O 絶縁： 3 ’ 000 V ac 効率： 91 % 調整可能な出力電圧、リモートオン / オフ、調整可能な低電圧ロックアウト 鉄道用途では EN50155 及び EN61373 の認定を受けています EN45545-2 準拠の火災挙動に対する認定を取得しています

Traco Power の tmdc 40H シリーズ絶縁コンバータは、産業用 DC/DC オフボードモジュールの TMDC ラインで動作します。このコンバータは、2 ： 1 の高入力電圧及び 3000 V ac の強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は 80 → 160 V dc です 動作温度範

Traco Power の tmdc 40H シリーズ絶縁コンバータは、産業用 DC/DC オフボードモジュールの TMDC ラインで動作します。このコンバータは、2 ： 1 の高入力電圧及び 3000 V ac の強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は 80 → 160 V dc です 動作温度範囲： -40 → +75 ℃ イミュニティ( EN55035 )及びエミッション( EN55032 )用のフィルタを内蔵 過負荷電圧に対する保護 低電圧及び短絡から保護します

Traco Power の tmdc 40H シリーズ絶縁コンバータは、産業用 DC/DC オフボードモジュールの TMDC ラインで動作します。このコンバータは、2 ： 1 の高入力電圧及び 3000 V ac の強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は 80 → 160 V dc です 動作温度範囲： -40 → +75 ℃ イミュニティ( EN55035 )及びエミッション( EN55032 )用のフィルタ

TEQ-40WIR シリーズは、超ワイドな 4 ： 1 入力電圧範囲の絶縁された高性能鉄道 DC-DC コンバータモジュールのファミリで、頑丈な金属ケースに収められています。このコンバータは幅広い用途に適していますが、この製品は、基板実装が不可能でもモジュールをシャーシに取り付ける必要がある産業用途向けに特に設計されています。非常に高い効率とヒートシ

TEQ-40WIR シリーズは、超ワイドな 4 ： 1 入力電圧範囲の絶縁された高性能鉄道 DC-DC コンバータモジュールのファミリで、頑丈な金属ケースに収められています。このコンバータは幅広い用途に適していますが、この製品は、基板実装が不可能でもモジュールをシャーシに取り付ける必要がある産業用途向けに特に設計されています。非常に高い効率とヒートシンク構造により、動作温度は、電力ディレーティングなしの自然対流冷却で最大 +83 ℃、電力ディレーティングありで最大 +92 ℃ です。その他の特長には、低電圧ロックアウト、過熱保護、短絡保護などがあります。熱対流性の優れた高出力ブロック 動作温度： -40 → +92 ℃ 4:1の超ワイド入力電圧範囲 高効率: 最大91 % I/O 絶縁：最大 3000 V dc 低電圧ロックアウト回路 過電圧、過熱、短絡から保護します

TEQ-40WIR シリーズは、超ワイドな 4 ： 1 入力電圧範囲の絶縁された高性能鉄道 DC-DC コンバータモジュールのファミリで、頑丈な金属ケースに収められています。このコンバータは幅広い用途に適していますが、この製品は、基板実装が不可能でもモジュールをシャーシに取り付ける必要がある産業用途向けに特に設計されています。非常に高い効率とヒートシンク構造により、動作温度は、電力ディレーティングなしの自然対流冷却で最大 +83 ℃、電力ディレーティングありで最大 +92 ℃ です。その他の特長には、低電圧ロックアウト、過熱保護、短絡保護などがあります。熱対流性の優れた高出力ブロック 動作温度： -40 → +92 ℃ 4:1の超ワイド入力電圧範囲 高効率: 最大91 % I/O 絶縁：最大 3000 V dc 低電圧ロックアウト回路 過電圧、過熱、短絡から保護します

TBA 1 は基本の 1 W DC/DC SIP コンバータシリーズで、品質と寿命に妥協のない低コストのソリューションを提供するよう特別に設計されています。この新しい設計により、業界標準の機能が強化され、統合された連続短絡保護回路、-40 ℃ ～ 85 ℃の動作温度範囲(ディレーティングなし)、および 1 ’ 500 VDC の I/O 絶縁が実現されています。あらゆるスペ

TBA 1 は基本の 1 W DC/DC SIP コンバータシリーズで、品質と寿命に妥協のない低コストのソリューションを提供するよう特別に設計されています。この新しい設計により、業界標準の機能が強化され、統合された連続短絡保護回路、-40 ℃ ～ 85 ℃の動作温度範囲(ディレーティングなし)、および 1 ’ 500 VDC の I/O 絶縁が実現されています。あらゆるスペ

TBA 1 は基本の 1 W DC/DC SIP コンバータシリーズで、品質と寿命に妥協のない低コストのソリューションを提供するよう特別に設計されています。この新しい設計により、業界標準の機能が強化され、統合された連続短絡保護回路、-40 ℃ ～ 85 ℃の動作温度範囲(ディレーティングなし)、および 1 ’ 500 VDC の I/O 絶縁が実現されています。あらゆるスペ

Traco Power の tmdc 06H シリーズ絶縁コンバータは、産業用 DC/DC オフラインモジュールの TMDC ラインで動作します。このコンバータは、2 ： 1 の高入力電圧及び 3000 V ac の強化絶縁電圧だけでなく、完全調整型出力も備えています。このモジュールは、完全密閉型プラスチックパッケージに収容されています。電圧範囲は 80 → 160 V dc です 動作温度範囲： -40 → +80 ℃ イミュニティ( EN55035 )及びエミッション( EN55032 )用のフィルタを内蔵 過負荷電圧に対する保護 低電圧及び短絡から保護します

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V30V品：連続負荷電流 1.5A(最大)60V品：連続負荷電流 1.0A(最大)100V品：連続負荷電流 0.65A(最大)。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V30V品：連続負荷電流 1.5A(最大)60V品：連続負荷電流 1.0A(最大)100V品：連続負荷電流 0.65A(最大)。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V30V品：連続負荷電流 1.5A(最大)60V品：連続負荷電流 1.0A(最大)100V品：連続負荷電流 0.65A(最大)。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)