制御機器 ：「3P 変換」の検索結果

ワゴンコンソールの中継コネクタとして最適です。面倒なはんだ付け加工なしで機器の接続ができます。フランジサイズはITTキャノン製XLR-F77タイプです。

Raspberry Pi 5で新規に増設された「UART」3ピンコネクタに直結して使用可能なUSB-シリアル変換ケーブル。ラズパイ5をPCのシリアルコンソールで操作する際に便利なケーブルです。

公共放送、携帯電話、無線LAN、業務用無線等の無線信号をそのまま光伝送できる。、同軸ケーブル伝送に比較して伝送損失が大幅に少ない「ファイバロス：約0.5db/km」、※光ファイバには伝送損失の周波数偏差はありませんがLED変調回路やPDAMPの周波数」偏差が影響します。、同軸ケーブルを接続する感覚で手軽にUHF帯、SHF帯の遠距離伝送路を構築できる。、無線伝送のように電波法の適用を受けない。、光ファイバは絶縁体なのでEMC(誘導雷、強磁界、雑音、静電気等)に優れている。、公共放送、携帯電話等の不感地帯対策システムの長距離伝送路(1：1の伝送)、無線LAN、WiMAXシステムのエリア確保及びエリア拡大のビル内中短距離伝送路(1：Nの伝送)、アイソレーションを必要とする計測機器関連の信号伝送路「光アイソレーションAMP等」

特性インピーダンス50Ω-75Ω間のインピーダンスマッチングを取る目的で使用します。

特性インピーダンス50Ω-75Ω間のインピーダンスマッチングを取る目的で使用します。

Eaton Bussmann シリーズ - CAMaster シリーズ. CAMaster シリーズのフルシュラウド HRC ヒューズホルダには、キャリアをヒューズベースから簡単に取り外すことができるカムが取り付けられています。これにより、ヒューズキャリアとヒューズベースコンタクト間の接触圧力が向上し、電気的性能が向上します。 ヒューズキャリアは、 2 極及び 3 極を簡単に付けられるように設計されています。これは、適切な関連極を同時に取り外すことで、電気回路の絶縁に関連する回路保護と安全性を向上させるモジュラヒューズホルダです。 このヒューズホルダは、前面に接続されていますが、独自の変換機能を備えています。背面スタッドアクセサリを使用すると、標準ヒューズホルダを前面接続タイプから背面スタッド及び背面二重スタッド接続タイプに変換できます。 ヒューズホルダケーブル終端には、ステンレススチール製のサドルと硬化処理された終端ねじがあり、プロファイルコンタクトプレートに対して恒久的なケーブルクランプを維持します。独自の使いやすい設計により、ケーブルやねじ山を損傷することなく高い締め付けトルクを実現し、高いケーブル引き抜き力に対する耐性を発揮し、長期的な信頼性を実現します。 ケーブルを挿入できるようにすでにバックアウトされている終端処理済みねじが付属しており、損失を防止し、ヒューズホルダの取り付けを容易にするために、キャプティブヒンジで保持されます。 このシリーズのヒューズホルダは、 2 つの取り付け方法があり、パネル取り付けと DIN レール取り付けの両方に対応しています。DIN レール取り付け機能は、標準 DIN レール寸法ごとに高さと深さが同じであるように製造されています。 このヒューズホルダの通電中の部品は、ヒンジ式内部シールドによってヒューズベース内で完全に覆われています。このシールドのヒンジ付き設計により、ヒューズキャリアの挿入は、ヒューズとホルダの取り付け時に保護できるように、ヒューズキャリアの位置を調整してのみ行うことができます。 ヒューズホルダには、回路を容易に識別できるようにマークラベルが付いています。また、ネオンクリップインインジケータアクセサリに対応しているため、ヒューズの状態を簡単に識別できます。

測温抵抗体入力信号を各種直流信号に変換します。入力モニタ付き 出力模擬機能付き 入出力仕様は、前面パネル又はPC接続で変更可能

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 56 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = UltraFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.83mm動作温度 Min = -55 ℃mmUltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 75 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = UltraFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 325 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 220 nC @ 20 Vmm高さ = 16.3mmUltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 75 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = UltraFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 285 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmUltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 75 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = UltraFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.83mm動作温度 Min = -55 ℃mmUltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 23 A最大ドレイン-ソース間電圧 400 Vシリーズ UniFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 235 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 5mm動作温度 Min -55 ℃VUniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 75 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = UltraFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 325 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmUltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 75 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 Vシリーズ = UltraFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 270 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.67mm高さ = 16.3mmUltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = UltraFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 38 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 85 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmUltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

TMNR-*ME型トルク変換器は、ダブル軸受け採用により静止軸から高速回転軸までトルク測定ができる検出器です。軸受部をダブルにすることにより、ラジアル、スラストとも標準品(TMNR型)と比較して強度が高く、プロペラシャフト等と直接カップリングが可能です。尚、滴下潤滑油方式を標準としていますので重い負荷のかかるトルク測定も可能です。(グリース潤滑方式の場合にはお問い合わせください。) 高性能ロータリトランスフォーマー採用の為、トルク測定のみでなく計装制御分野、例えば自動車用テストスタンド等に使用可能です。 回転検出器(別売品)を取り付けることにより、回転数が計測できますので、原動機出力等の馬力計測も行うことが可能です。

TMNR型トルク変換器は、トルク受感部の検出した電気信号の伝達に高効率のロータリートランスフォーマーを採用しています。従って、駆動側と測定側は非接触ですから、長時間の測定でも安定した性能がえられます。測定用のみでなく計装制御用としても用いられます。 高性能ロータリトランスフォーマー採用の為、トルク測定のみではなく計装制御分野、例えば食品化学工業などにおける攪拌力、練り力の制御に使用可能です。 回転検出器(別売品)を取り付けることにより、回転数が計測できますので、原動機等の馬力計測も行うことが可能です。

Murata e OKL-T/3-W12 シリーズは、組み込み機器用の小型非絶縁型 Point-of-Load ( PoL ) DC/DC 電源コンバータです。検査可能なランドグリッドアレイ( ILGA )形式を採用した OKL-T/3-W12 の寸法は、最大 0.48 x 0.48 x 0.244 インチですプログラム可能な出力電圧: 0.591-5.5 V dc 最大200 μFのセラミック静電容量負荷を駆動 93 % の高電力変換効率 優れた熱ディレーティング性能 短絡及び過電流保護 オン / オフ制御とパワーグッドシグマ

Samtec BNC7T-P-C-GN-ST-CA3 は、BNC7T シリーズの機械用ジャック及びプラグです。ニッケルめっき黄銅シェル材質を使用しています。また、鉛フリーはんだ付けにも対応しています。コンタクト材質： TH1 及び BH1：銅合金 絶縁材： PTFE 動作電圧： 500Vrms

ラインインタラクティブ方式 リチウムイオンバッテリ搭載 UPSの状態がひと目でわかるLCD搭載 通信用インタフェース：USB ネットワークカード対応(別売：SC21)

出力力率が高いので、より高容量の機器を接続できます。 「無停止バイパス機能」標準装備。 制御回路が停止に至る故障が発生した場合でも接続機器に対する電力供給を継続できます。 アイコンと文字による表示で、様々な設定もLCDを見ながら変更可能。 バッテリ寿命もひと目でわかります。 BN75Rは1U(43mm)、BN150R/BN300Rは2U(87mm)サイズの薄型設計。 奥行きも短くラックマウントに最適。 通信用インタフェース USB/RS-232C標準装備 LCD画面により、UPS本体に予め「最大バックアップ時間」を設定することができます。 この機能を使用すれば、PC及びシャットダウンソフトを使用せずにUPSを自動停止することができ、バッテリの不要な消費を抑えることができます。 UPS本体3年保証+バッテリ3年間無償提供サービス UPSの出力コンセント毎に、起動/停止させる時間を設定できます。 例えば、ストレージ機器を先に起動させて、2分後にサーバを起動させることもできます。 UPSの一次側の電源プラグをお客様側でご用意頂いたものに交換可能です。 設置場所の電源容量に応じて変更ができます。

パソコン等のバックアップに最適な小型UPS。100V系常時商用給電方式UPS

U.FL(P)-SMA(J)変換ケーブルU.FL (L型プラグ)とSMA (パネルジャック)の変換ケーブル 使いやすい全長100mm・150mm・200mmの3種類 ケーブルは、日星電気社製(RF-MF5016)を使用

三菱シーケンサ(D-SUB25P)対応RS-422/USBコンバータ(3m)、DAD01R4H

三菱シーケンサ(D-SUB25P)対応RS-422/USBコンバータ(3m)、DINV-485CAB

三菱シーケンサ(D-SUB25P)対応RS-422/USBコンバータ(3m)、DFX-422CAB

三菱シーケンサ(D-SUB25P)対応RS-422/RS-232Cコンバータ(3m)、DAC01R2L、DAD01R4H

三菱シーケンサ(D-SUB25P)対応RS-422/RS-232Cコンバータ(3m)、DAD01R4H

三菱シーケンサ(D-SUB25P)対応RS-422/RS-232Cコンバータ(3m)、DINV-485CAB

三菱シーケンサ(D-SUB25P)対応RS-422/RS-232Cコンバータ(3m)、DFX-422CAB

三菱シーケンサ(D-SUB25P)対応RS-422/RS-232Cコンバータ(3m)、D232V-CAB