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エコロジープロダクト
制御機器 ：「AB3」の検索結果
制御機器は機器を制御する回路の為のスイッチ、リレー、コントロールボックス等の総合カテゴリーです。制御機器のリレーとは、スイッチやタイマーと連動し一定条件で電流のオン・オフを行うものです。制御機器内には電源の接点があり、国際規格のIEC規格に準拠しているものや、JISに準拠しているものがあります。JISとIECは内容の整合がはかられていますが、その対応はIDT、MOD、NEQと分かれています。この中でNEQはIECと同等とは認められません。
オムロンの品番探しにお役立てください
三菱シーケンサ対応 USBケーブルダイヤトレンド(1件のレビュー)￥1,100税込￥1,210
1本
当日出荷
USB B-Type⇔USB A-Type USB2.0 ケーブル(3M)
ケーブル長(m)3色クロ規格USB端子USB B-Type⇔USB A-TypeRoHS指令(10物質対応)対応結線USB
漏電ブレーカ(JIS互換性形)河村電器産業(7件のレビュー)￥6,598税込￥7,258
1個
当日出荷から3日以内出荷
接続方式ソルダレス端子(M5)JIS規格C8201-2-2 Anne×2主な用途JIS互換性形/OC付接続可能電線(mm2)8動作時間0.1秒以内逆接続可適合安全規格電気用品安全法フレーム(AF)30動作時間(s)0.1以内
防水平面平スイングハンドルホシモト￥1,898税込￥2,088
1個
当日出荷から7日以内出荷
上部PUSHでレバーが開閉するタイプです。
左右兼用設計(左右の変更は止め金と調整座金を裏返して下さい)
用途配電盤、分電盤、制御盤、その他各種BOX材質亜鉛合金表面処理サチライトクロムめっきキー番号H200RoHS指令(10物質対応)対応鍵鍵付
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥589税込￥648
1袋(2個)
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 57 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET75 V 80 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥929税込￥1,022
1袋(5個)
翌々日出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
センサスタンド SAB・SAEタイプ岩田製作所￥8,898税込￥9,788
1個
当日出荷から翌々日出荷
形状L型目盛(シャフト)レーザーマーキング適合センサSUNX：CX、山武：HPB、オプテックスFA：Z、オムロン：E3Z、キーエンス：PZ材質(ブラケット)アルミ(A6063BE T5)材質(シャフト)ステンレス(SUS304)/#400研磨仕上げRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥2,798税込￥3,078
1袋(20個)
当日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 343 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥1,398税込￥1,538
1袋(2個)
翌々日出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 343 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 375000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 108 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥469税込￥516
1袋(2個)
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
翌々日出荷
デジタルオーディオMOSFET、Infineon. クラスDアンプは、短期間で業務用及び家庭用のオーディオ / ビデオシステム向けに推奨されるソリューションとなっています。 Infineonは、高効率クラスDアンプ設計を簡素化する充実した製品ラインアップを揃えています。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4.9V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 100 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
ロータリエンコーダ アブソリュート形 E6F-Aomron(オムロン)￥59,980税込￥65,978
1個
翌々日出荷から42日以内出荷
材質(本体)アルミニウム質量(g)約500(梱包状態)最高回転数(min-1[r.p.m])5000材質(ケース)亜鉛合金回転方向CW(シャフト側から見て右回転)で出力コード増加慣性モーメント(kg・m2)1.5×10-6以下耐振動(耐久)10～500Hz 複振幅1.5mm X、Y、Z方向 1掃引 11min 3掃引出力軸許容ラジアル荷重(N)120出力軸許容スラスト荷重(N)50材質(シャフト)SUS420J2耐電圧(V)AC500 50/60Hz 1min 充電部一括とケース間エンコーダ種類アブソリュート形衝撃(耐久)(m/s2)1000 X、Y、Z各方向 3回
NE サーキットブレーカ(経済形) Eシリーズ 裏面形日東工業￥5,698～税込￥6,268～特価
1個
当日出荷から5日以内出荷
付属品端子カバー、端子ねじ、取付ねじ、木ねじ、対地バリア、封印ねじ、端子カバー止ねじ定格絶縁電圧(V)AC690接続方式裏面形端子構造バー端子 M12定格遮断容量(kA)25(AC415)、50(AC200)過電流引きはずし方式熱動-電磁逆接続可適合圧着端子R60-12～R325-12S/325-12フレーム(AF)400適合JIS規格JIS C 8201-2-1 Ann2
STマイクロ， トライアック， 600V， 25A， 3-Pin TO-220ABSTMicro(1件のレビュー)￥419税込￥461
1個
当日出荷
仕様定格平均オン電流 = 25A実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大ゲートトリガー電流 = 35mA繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 260Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 50mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 9.3mm動作温度 Max = +125 ℃トライアック、25 → 40 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
動力用押釦開閉器開閉器(電動機直接操作用) BSW・BSWTシリーズPATLITE(パトライト/旧:春日電機)(22件のレビュー)￥5,798税込￥6,378
1個
当日出荷
ヒーターや電動機などの簡易形手元開閉器として広く利用されている、小型で堅牢な押釦開閉器です。
開閉部は信頼性の高い2点接続方式を採用しており、長寿命で確実な開閉が行えます。
屋内の機械や壁に取り付けて使用する一般的なタイプです。
電動機の運転・停止用です。
鉛直から60°の範囲の降雨によって有害な影響のない構造です。
種類防雨形取付場所異常な振動、衝撃を受けない所とする。耐電圧(V/min)AC2500
STマイクロ， トライアック， 600V， 30A， 3-Pin TO-220ABSTMicro￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●定格平均オン電流： 30A●実装タイプ： スルーホール●パッケージタイプ： TO-220AB●最大ゲートトリガー電流： 35mA●繰返しピーク逆方向電圧： 600V●サージ電流レーティング： 284A●ピン数： 3●最大ゲートトリガー電圧： 1V●繰返しピーク順方向抑止電圧： 600V●最大保持電流： 60mA●寸法： 10.4×4.6×15.9mm●長さ： 10.4mm●幅： 4.6mm●高さ： 15.9mm●ピークオンステージ電圧： 1.55V●STMicroelectronics 25 → 40 A トライアックRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.7 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥199税込￥219
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 100 V， 1 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 400 V， 8 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR￥589税込￥648
1個
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 27 A， 3 ピン パッケージTO-220AB QFET シリーズON SEMICONDUCTOR(2件のレビュー)￥2,198税込￥2,418
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 120000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 30 nsQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 450 V， 2 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR￥219税込￥241
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50000 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 4 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
NICO-UFO(ニコUFO)日恵製作所(11件のレビュー)￥5,598税込￥6,158
1個
当日出荷から4日以内出荷
アルカリ乾電池2本で約400時間。単3乾電池2本で動作するため、電源の取れない場所や簡単に配線できない場所などに最適。アルカリ乾電池なら約400時間(赤・黄の場合)の長寿命。電源スイッチはボディ外側にあり、手軽に操作できます。
モーターレスで高耐久性。光源には超高輝度LEDを使用。電球に比べ消費電力が少なく、さらに振動にも強いため長寿命。流動式のためモーターなどの磨耗トラブルもなく、グローブには耐候性、透光性に優れたアクリル樹脂を使用し、長くご使用できます。
回転・点滅切替。内部の切替スイッチで、回転(流動)と点滅の切り替えが可能。
壁掛け・マグネット取付&IP55構造。底面には固定穴とマグネットを装備しているので、据え置き以外にも壁掛けやマグネットでの設置が可能。独自のプリズムリフレクションを採用しているので、あらゆる方向で視認でき設置向きを選びません。保護構造IP55なので屋外での使用でも壁面横向き設置ができます。
用途作業用車両など各種特殊車両、農業用トラクター、船舶などの警告灯。
金型交換時、トンネル内災害時、変圧受電設備点検時、緊急時の警告灯。
立入り禁止、危険防止、夜間・暗所での表示灯。
遊技場やイベント時の装飾灯。形状円筒形外径(Φmm)76光源LED材質(グローブ)アクリル樹脂、(ボディ)ABS樹脂質量(g)160取付方式マグネット機能回転・点滅電源(V)DC3(単三×2)点滅数(回/分)72回転数(回/分)270
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 450 V， 5 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR￥279税込￥307
1個
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最小DC電流ゲイン = 6トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 13 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 70 A， 3 ピン パッケージTO-220ABON SEMICONDUCTOR￥449税込￥494
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2250 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 50 V， 30 A， 3 ピン パッケージTO-220ABON SEMICONDUCTOR￥1,298税込￥1,428
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 75Wトランジスタ素材 = Si強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥539税込￥593
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥209税込￥230
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥1,198税込￥1,318
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 低電圧アバランシェレギュレータダイオード， 5V， 250 mW， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥289税込￥318
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = アバランシェツェナー電圧許容性 = 4%ピン数 = 3テスト電流 = 0.25mA最大ツェナーインピーダンス = 700Ω最大逆漏れ電流 = 20μA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm標準電圧温度係数 = 0.2mV/℃ツェナーダイオード250 mW、PLVA6xxAシリーズ、Nexperia. 低ノイズRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， コモンアノード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥129税込￥142
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 470nF 50V dc 0805 (2012M) CGA4J3X7R1H474K125ABTDK￥929税込￥1,022
1袋(50個)
翌々日出荷
TDKCGA車載用0805、X5R、X7R及びY5V誘導体.TDKのCGAシリーズ積層セラミックコンデンサ(MLCC)は、非常に高い信頼性を誇ります。精密テクノロジーを活用して、MLCCシリーズはセラミック誘電体の薄膜積層で構成され、大容量を実現しています。このMLCCは低ESRなので、自己発熱量が低く、高リプル耐性です。CGAセラミック誘電体積層はESLが低く、優れた周波数特性を発揮します。.特長と利点:.優れた耐熱性.機械的強度を向上.高い信頼性.成熟した製造過程による保証された性能.各種の誘電体を用意.高精度自動実装に対応.低浮遊容量.用途:.これらのMLCCはAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。主な用途は、車載用バッテリの平滑化、センサモジュール及びエンジン制御ユニットです。CAGシリーズセラミックコンデンサは、アンチロックブレーキ系統及び車載インフォテインメントに最適です。その他に、スマートメーター、スマートグリッド、ソーラーインバータ、AC-DCバッテリ充電器、輸送、農業での用途も推奨されます。
長さ(mm)2寸法(mm)2×1.25×1.25電圧50Vdc高さ(mm)1.25奥行(mm)1.25シリーズCGA許容差±10%静電容量470nF温度特性X7RRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装パッケージ/ケース0805(2012M)抑制クラスClassII
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 100nF 100V dc 0603 (1608M) CGA3E3X7S2A104K080ABTDK￥689税込￥758
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TDKCGA車載用0603シリーズ、X6S/X7S/X7T誘電体.CGAシリーズは、薄膜セラミック誘電体の積層構造になっており、精密技術を利用して高静電容量値を実現モノリシック構造により、優れた機械強度と信頼性を確保低ESL及び優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗AEC-Q200準拠.用途:車載用エンジン制御ユニット、車載用センサモジュール、車載用バッテリラインの平滑化、高い信頼性を必要とする用途、スイッチング電源の平滑化
寸法(mm)1.6×0.8×0.9電圧100Vdc高さ(mm)0.9奥行(mm)0.8シリーズCGA3許容差±10%静電容量100nF温度特性X7S動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装パッケージ/ケース0603(1608M)
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 1μF 50V dc 1206 (3216M) CGA5L3X7R1H105K160ABTDK￥1,398税込￥1,538
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TDKCGA車載1206シリーズX5R/X7R/Y5V高誘電.TDKのCGAシリーズ積層セラミックコンデンサ(MLCC)は安定性の高いソリューションです。高精度のテクノロジーが採用されたこのMLCCは、薄いセラミック誘電体層で高静電容量を実現しています。低ESRにより自己発熱が少なく、耐リップル特性に優れます。また、ESLが低く周波数特性が良好です。.特長:.高耐熱性.優れた機械的強度.高信頼性.安定した製造工程により性能を保証.幅広い種類の誘電体を提供.高精度な自動実装に対応可能.低浮遊容量.用途:.AEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。主な用途には自動車バッテリラインの平滑用、センサモジュール、エンジンコントロールユニットなどがあります。CGAシリーズセラミックコンデンサは、アンチロックブレーキシステム及び車載情報システムに最適です。他には、スマートメーター、スマートグリッド、ソーラーインバータ、AC-DCバッテリ充電器、運輸、農業などの用途にも適しています。
長さ(mm)3.2寸法(mm)3.2×1.6×1.6電圧50Vdc高さ(mm)1.6奥行(mm)1.6シリーズCGA許容差±10%静電容量1μF温度特性X7R動作温度(℃)(Max)+125RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装パッケージ/ケース1206(3216M)
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 1μF 100V dc 0805 (2012M) CGA4J3X7S2A105K125ABTDK￥989税込￥1,088
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TDKCGA車載用0805、X6T、X7T及びX7S誘導体.TDKのCGAシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサ製品です。最適な用途には、車載エンジン制御ユニット、センサモジュール、電源平滑化などがあります。.モノリシック構造低ESL低自己発熱及び高リプル耐性
長さ(mm)2寸法(mm)2×1.25×1.25電圧100Vdc高さ(mm)1.25奥行(mm)1.25シリーズCGA許容差±10%静電容量1μF温度特性X7SRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装パッケージ/ケース0805(2012M)抑制クラスClassII
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 2.2μF 50V dc 1206 (3216M) CGA5L3X7R1H225K160ABTDK￥209税込￥230
1袋(10個)
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TDKCGA車載1206シリーズX5R/X7R/Y5V高誘電.TDKのCGAシリーズ積層セラミックコンデンサ(MLCC)は安定性の高いソリューションです。高精度のテクノロジーが採用されたこのMLCCは、薄いセラミック誘電体層で高静電容量を実現しています。低ESRにより自己発熱が少なく、耐リップル特性に優れます。また、ESLが低く周波数特性が良好です。.特長:.高耐熱性.優れた機械的強度.高信頼性.安定した製造工程により性能を保証.幅広い種類の誘電体を提供.高精度な自動実装に対応可能.低浮遊容量.用途:.AEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。主な用途には自動車バッテリラインの平滑用、センサモジュール、エンジンコントロールユニットなどがあります。CGAシリーズセラミックコンデンサは、アンチロックブレーキシステム及び車載情報システムに最適です。他には、スマートメーター、スマートグリッド、ソーラーインバータ、AC-DCバッテリ充電器、運輸、農業などの用途にも適しています。
仕様末端仕様：はんだ長さ(mm)3.2寸法(mm)3.2×1.6×1.6電圧50Vdc高さ(mm)1.6奥行(mm)1.6シリーズCGA許容差±10%静電容量2.2μF温度特性X7RRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装パッケージ/ケース1206(3216M)
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 470nF 25V dc 0603 (1608M) CGA3E3X7R1E474K080ABTDK￥819税込￥901
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TDKCGA車載0603シリーズX5R/X7R/Y5V高誘電.TDKCGAシリーズの積層セラミックコンデンサ(MLCC)は、信頼性の高いソリューションです。高精度のテクノロジーが採用されたこのMLCCは、薄いセラミック誘電体層で高静電容量を実現しています。低ESRにより自己発熱が少なく、耐リップル特性に優れます。また、ESLが低く周波数特性が良好です。.特長:.低ESL精密技術を採用した高静電容量により、多層の薄いセラミック誘電体の使用を実現低浮遊容量幅広い種類の誘電体を提供優れた周波数特性安定した製造工程により性能を保証高精度な自動実装に対応可能AEC-Q200準拠.用途:.AEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。主な用途：車載用バッテリラインの平滑用、センサモジュール、エンジンコントロールユニットなどがあります。アンチロックブレーキシステム車載情報システムスマートメータスマートグリッドソーラーインバータAC-DCバッテリ充電器
寸法(mm)1.6×0.8×0.9電圧25Vdc高さ(mm)0.9奥行(mm)0.8シリーズCGA3許容差±10%静電容量470nF温度特性X7RRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装パッケージ/ケース0603(1608M)
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