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接触面(舌部)の取り付け穴の一方が開いており、ねじを完全に外さなくても取り付けることができる絶縁被覆付圧着端子です。

国産車メーカーに純正品採用されている国内メーカー製造の高品質商品です。 材質はノンアスベスト材で国産車に最も適したNAO材を使用しています。 ※但し注文コード：01080275のみ材質がNAO材ではなくロースチールになります。

国際規格(IEC規格)に対応するグローバルスタンダード製品 海外規格(IEC、EN、VDE、BS、UL、CSA)に標準品で適合・認定取得 補助接点は、高接触信頼性の双接点を標準装備(03～N12形) IC搭載スーパーマグネットによる高運転信頼性(N6～N16形)

自動車メーカーへのOEM製品を開発する技術力とノウハウをフィードパックし、より高次元な安全性を高めたのがADVICSブレーキパッド。高品質でかつ効き・フェード・磨耗・鳴き・振動・異音という相反する要素をもつブレーキ性能を最大限に向上させ、バランスに優れた製品に仕上げています。

産業機械用エアーエレメントです。

タッカー用のT3ステープルです。タッカー用の肩幅12mmのステープルです。

座屈に強い、国産生産品マックスステープルです。タッカー用の肩幅12mmのステープルです。全てのガンタッカーで使用出来ます。

フラットライニングブレーキシューは純正仕様で作成された通常のブレーキシューです。ライニングの材質はアラミド繊維、無機繊維、潤滑材、耐磨耗材を配合攪拌しフェノール樹脂で固めたものです。ブレーキシューは、カム部分とピン部分の加工精度と並行度が正確に加工されていると、ワイヤーでカムを引っ張った時に、ブレーキの性能が発揮されます。1mmのずれでもブレーキの効きに大きな影響を与え、性能が鈍ります。ダイガストからライニング(摩擦材)まで全て日本の自社工場で生産しております。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。高さ = 0.94mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

タッカー用のT3ステープルです。タッカー用の肩幅12mmのステープルです。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 36 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

純正品番と硬度を合わせておりますので、交換後の違和感はございません。 汎用タイプは大型車両にも装着できるので便利です。

◇洗濯物への糸屑の付着を防ぐ、ゴミ取りネットです。 ◇お使いの洗濯機に適合する、糸くずフィルターをお選びください。 ◇適合メーカー： サンヨー SANYO ◇適合型番： 617-236-9099 LINT-11 617-229-9242 617-229-4674 LINT-10

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 62 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 260 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.67mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 245 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 9.65mm。高さ = 4.83mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 44 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。パッケージタイプ D2PAK (TO-263)。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 69 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 307 W。トランジスタ構成 シングル。長さ 10.67mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。