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onsemi Nチャンネル MOSFET300 V 28 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi

￥669税込￥736

1箱(2個)

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：28 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：39 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)250Wチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)129最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 12.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥889税込￥978

1箱(5個)

7日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：12.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：16 nC @ 5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，スルーホール， FDA38N30onsemi

￥3,698税込￥4,068

1箱(5個)

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仕様UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON )19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 nピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-3P実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)312最大動作温度(℃)150

onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 62 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi

￥799税込￥879

1個

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：62 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：76 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)260チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)27最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 14 A 表面実装パッケージPower 33 8 ピンonsemi

￥909税込￥1,000

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：14 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージPower 33実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)30チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)150

onsemi ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 100V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 920mVonsemi

￥2,898税込￥3,188

1箱(100個)

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仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)920ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)15

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 94 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,398税込￥1,538

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：94 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)80材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 2.7 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥399税込￥439

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：2.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：3 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)183最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi MOSFETゲートドライバ 3 A SOIC 2 8-Pin ローサイド非反転表面実装onsemi

￥1,998税込￥2,198

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仕様ロジックタイプ：TTLピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor出力電流0.125供給電圧(V)18パッケージSOIC実装タイプ表面実装ドライバ数2トポロジーローサイド出力数2

onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥2,898税込￥3,188

1箱(25個)

7日以内出荷

仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ高密度セル設計高い飽和電流優れたスイッチングピン数(ピン)8動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)2.5材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.5最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)130最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET250 V 51 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥2,398税込￥2,638

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：51 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：55 nC @ 10 V高さ(mm)9.4ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)320000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)250最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)60最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET800 V 11 A スルーホールパッケージTO-220F 3 ピンonsemi

￥3,198税込￥3,518

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：0.4583333333シリーズSuperFET IIピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮しますパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)35.7材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)340最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi 電源スイッチIConsemi

￥2,398税込￥2,638

1箱(20個)

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仕様オン抵抗：0.125Ω、統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor寸法(mm)3×1.7×1ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)20パワーレーティング(W)0.7電源スイッチの種類内蔵負荷動作電流(A)最大1.8

onsemi N， Pチャンネル MOSFET30 V 7.3 A、8.6 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,098税込￥1,208

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：7.3 A、8.6 A長さ(mm)5シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， P最大パワー消費(mW)1600チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)17 ， 21最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 、-20 、+20 、+25トランジスタ構成絶縁型

onsemi Nチャンネル MOSFET600 V 20 A スルーホールパッケージTO-220F 3 ピンonsemi

￥1,298税込￥1,428

1箱(2個)

7日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：20 AシリーズSuperFET IIピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮しますパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)39材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)600最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)170最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi スイッチングダイオード表面実装，シングル，エレメント数 1 DO-214AC (SMA)， 2-Pin 1.7Vonsemi

￥939税込￥1,033

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A長さ(mm)4.6幅(mm)2.9寸法(mm)4.6×2.9×2.44高さ(mm)2.44ピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1

onsemi ファストリカバリー整流ダイオード， 2A， 50V 表面実装， 2-Pin DO-214AA (SMB)onsemi

￥999税込￥1,099

1箱(25個)

7日以内出荷

ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1ピーク逆繰返し電圧(V)50ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50最大連続順方向電流(A)2ピーク逆回復時間(ns)20

onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥419税込￥461

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：0.0833●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.5 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET40 V 8.2 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥799税込￥879

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：8.2 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：19 nC @ 5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)27最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 2.2 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥759税込￥835

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)2.2最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65最大ゲートしきい値電圧(V)1最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ7 nC @ 4.5 V最大パワー消費500 mW

onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 6.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥609税込￥670

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.6V●最大連続ドレイン電流：6.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)30最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成絶縁型

onsemi ファストリカバリー整流ダイオード， 2A， 100V 表面実装， 2-Pin DO-214AA (SMB) シリコンジャンクション 900mVonsemi

￥2,798税込￥3,078

1セット(100個)

5日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)900ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50最大連続順方向電流(A)2ピーク逆回復時間(ns)20

onsemi 整流ダイオード， 300mA， 100V 表面実装， 2-Pin SOD-80 シリコンジャンクション 1Vonsemi

￥179税込￥197

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)300

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onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 3 A 表面実装パッケージSOT-23 6 ピンonsemi

￥589税込￥648

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.125高さ(mm)1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)1600材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)105最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥2,198税込￥2,418

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A長さ(mm)5シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)2チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.5最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥719税込￥791

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：8.8 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：29 nC @ 10 Vピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)20最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 18.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,798税込￥1,978

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：18.5 A幅(mm)3.9ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)2.5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 10.6 A 表面実装パッケージMLP8 8 ピンonsemi

￥2,998税込￥3,298

1箱(5個)

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：10.6 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：32 nC @ 10 V高さ(mm)0.75ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージMLP8実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)12最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi 整流ダイオード， 3A， 200V 表面実装， 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 950mVonsemi

￥619税込￥681

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)950ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3ピーク逆回復時間(ns)20

onsemi Pチャンネル MOSFET40 V 8.4 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。シリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)8.4最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)42最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費69 W

onsemi Pチャンネル MOSFET150 V 1.8 A 表面実装パッケージMLPAK33 8 ピンonsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：1.8 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 10 V高さ(mm)0.95ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージMLPAK33実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)42000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)150最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi スイッチングダイオードスルーホール， 500mA， 125V，シングル，エレメント数 1 DO-204AH， 2-Pin 920mVonsemi

￥929税込￥1,022

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仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor長さ(mm)3.6寸法1.5 (Dia.) x 3.6 (L)mmピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(mW)500最大順方向電流(mA)500最大ダイオードキャパシタンス(pF)6最大逆電圧(V)125

onsemi Pチャンネル MOSFET12 V 6.7 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷シリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)6.7最大ドレイン-ソース間電圧(V)12最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)90最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成シングル最大パワー消費52 W

onsemi MOSFETゲートドライバ 0.65 A SOIC 2 8-Pin ハイ/ローサイド反転，非反転表面実装onsemi

￥999税込￥1,099

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仕様ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor出力電流(A)0.65ピン数(ピン)8極性反転，非反転RoHS指令(10物質対応)対応供給電圧(V)20パッケージSOIC実装タイプ表面実装ブリッジタイプハーフブリッジドライバ数2トポロジーハイ/ローサイド高/低サイド依存性シンクロナス出力数2

onsemi Nチャンネル MOSFET400 V 23 A スルーホールパッケージTO-3PN 3 ピンonsemi

￥3,298税込￥3,628

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：23 AシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-3PN実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)235チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)400最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)190最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 4 A 表面実装パッケージSOT-23 6 ピンonsemi

￥609税込￥670

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.1666666667●標準ゲートチャージ @ Vgs：6 nC @ 5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)1.6チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)75最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

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onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥999税込￥1,099

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：3.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：5.1 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)31チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)107最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成絶縁型

onsemi MOSFETゲートドライバ ±10.6 A， ±11.4 A SOIC 2 8-Pin ローサイド非反転表面実装onsemi

￥2,298税込￥2,528

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仕様ロジックタイプ：TTL出力電流(A)±10.6 ， ±11.4ピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor供給電圧(V)18パッケージSOIC実装タイプ表面実装ブリッジタイプフルブリッジドライバ数1トポロジーローサイド高/低サイド依存性シンクロナス出力数2

onsemi MOSFETゲートドライバ 4 A SOP 1 8-Pin ハイサイド非反転表面実装onsemi

￥1,098税込￥1,208

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仕様ハイサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応出力電流0.166666667供給電圧(V)20パッケージSOP実装タイプ表面実装ブリッジタイプハーフブリッジドライバ数1トポロジーハイサイド出力数1

onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥639税込￥703

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：2.4 A幅(mm)1.4高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)52最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル

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