絞り込み
ブランド
- onsemi
- モノタロウ(5,955)
- ホンダ(545,819)
- MAZDA(マツダ)(216,599)
- 三菱ふそう(209,501)
- SMC(201,260)
- トヨタ(140,129)
- ミツビシ(138,054)
- YAMAHA(ヤマハ)(91,744)
- ニッサン(87,637)
- エスコ(69,703)
- スズキ(67,744)
- BIGM(丸山製作所)(66,084)
- スバル(50,609)
- 日野自動車(47,247)
- Kawasaki(43,787)
- いすゞ自動車(41,301)
- メディアカバーマーケット(40,230)
- オカムラ(岡村製作所)(34,937)
- RS PRO(34,695)
- Panasonic(パナソニック)(29,515)
- ブランドをもっと見る
エコロジープロダクト
の全商品がキャンペーンコード入力で通常価格より
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FOD817BSD
onsemi￥2,598税込￥2,8581箱(50個)7日以内出荷仕様論理出力あり、オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：ACチャンネル数1機能(特殊機能)AC入力応答、鉛フリーIRリフローはんだ付けに使用可能ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間4μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大電流変換率(%)600絶縁電圧(V)5000 ac
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FOD817B300
onsemi￥359税込￥3951箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：2.6チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP-B実装タイプスルーホール実装標準上昇時間18μs標準降下時間18μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)70最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ロジックゲート出力， H11L1SR2M
onsemi￥799税込￥8791箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージPDIP実装タイプ表面実装標準上昇時間0.1μs標準降下時間0.1μs出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.5絶縁電圧(kVrms)7.5
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， ロジックゲート出力， H11L1TVM
onsemi￥669税込￥7361箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプスルーホール実装標準上昇時間0.1μs標準降下時間0.1μs出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)7500
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ロジックゲート出力， HCPL0600
onsemi￥259税込￥2851個7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間50ns標準降下時間12ns出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)15絶縁電圧(kVrms)3.75
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FODM2705R2
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(20個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途タイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)300絶縁電圧(Vrms)3750
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ロジックゲート出力， HCPL0601R2
onsemi￥1,698税込￥1,8681箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間50ns標準降下時間12ns出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)15絶縁電圧(V)3750ac
onsemi アナログスイッチ 表面実装 SC-70， 6-Pin， FSA4157P6X
onsemi￥489税込￥5381セット(5個)7日以内出荷仕様アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2×1.25×1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSC-70実装タイプ表面実装最小動作温度(℃)-40
電圧レベルシフタ onsemi
onsemi￥239税込￥2631箱(10個)7日以内出荷仕様●電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor●伝播遅延テスト条件：30pF●論理回路：FXLPタイプロジック：バッファ出力電流(mA)低レベル：(Max)2.6、高レベル：(Max)-2.6ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Min)-40、(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)1 、(Max)3.6
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：2， オープンコレクタ出力， HCPL062N
onsemi￥3,298税込￥3,6281箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間16ns標準降下時間4ns出力デバイスオープンコレクタ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)2500
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， ダーリントン出力， FOD852
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(10個)8日以内出荷仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間300μs標準降下時間100μs出力デバイスフォトダーリントン最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)150絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 55 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
onsemi￥2,398税込￥2,6381箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：55 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：75 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(パッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)3750チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 8A， 800V， 22.3 x 3.56 x 18.8mm， GBU8K
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(5個)7日以内出荷仕様UL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 耐高サージ電流 基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造長さ(mm)22.3高さ(mm)18.8ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBU実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)8ピーク逆繰返し電圧(V)800ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200ピーク逆電流(μA)50ピーク順方向電圧(V)1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ダーリントン出力， FOD8523S
onsemi￥1,198税込￥1,3181箱(10個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間300μs標準降下時間100μs出力デバイスダーリントン最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)150絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 10 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi￥819税込￥9011箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.4166666667●標準ゲートチャージ @ Vgs：8.7 nC @ 5 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングルonsemi Pチャンネル MOSFET200 V 5.7 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：5.7 A高さ(mm)2.3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチングパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)690最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 8A， 200V， 22.3 x 3.56 x 18.8mm， GBU8D
onsemi￥3,698税込￥4,0681セット(20個)7日以内出荷仕様UL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 耐高サージ電流 基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造長さ(mm)22.3高さ(mm)18.8ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)8ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1
onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 17 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥2,398税込￥2,6381箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：17 A高さ(mm)9.4ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプP最大パワー消費(W)79材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)120最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FOD817A300
onsemi￥339税込￥3731箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：1.6チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP-B実装タイプスルーホール実装標準上昇時間18μs標準降下時間18μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)70最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 12A， 100V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC1201
onsemi￥2,198税込￥2,4181箱(2個)7日以内出荷仕様プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 12シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流: 12 A 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 サージ過負荷定格: 300 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 UL認定: UL #E258596寸法(mm)29×29×11.23高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスクリュー マウントピーク平均順方向電流(A)12ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi Nチャンネル MOSFET900 V 8 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥3,798税込￥4,1781箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333長さ(mm)10.1シリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)205000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)900最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ロジックゲート出力， H11L1SVM
onsemi￥2,298税込￥2,5281箱(25個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間0.1μs標準降下時間0.1μs出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)30絶縁電圧(V)7500 ac
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FOD817BS
onsemi￥1,298税込￥1,4281箱(25個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間18μs標準降下時間18μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)260絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， オープンコレクタ出力， FODM611R2
onsemi￥1,898税込￥2,0881箱(10個)7日以内出荷チャンネル数1ピン数(ピン)5RoHS指令(10物質対応)対応パッケージMFP実装タイプ表面実装出力デバイスオープンコレクタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)10絶縁電圧(kVrms)3.75
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 1.7 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
onsemi￥929税込￥1,0221箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：1.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.6 nC @ 5 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷パッケージSOT-223実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)350最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングルonsemi ブリッジ整流器， 35A， 400V， 4ピン
onsemi￥2,698税込￥2,9681箱(2個)7日以内出荷仕様ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション寸法(mm)29×29×11.23高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性UL E-258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流35 A ガラス不動態化ジャンクション 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ファストン端子回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスクリュー マウントピーク平均順方向電流(A)35ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)400ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi クロスポイントスイッチ
onsemi￥689税込￥7581箱(2個)7日以内出荷仕様●3dBバンド幅：115MHz●アレイ構成：12 X 9●標準シングル供給電圧：5 V長さ(mm)9.7寸法(mm)9.7×4.4×0.9高さ(mm)0.9ピン数(ピン)28電源タイプ単一電源RoHS指令(10物質対応)対応特性ビデオスイッチ、Fairchild SemiconductorパッケージTSSOP実装タイプ表面実装カテゴリービデオ最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， MOSFET出力， FOD3182
onsemi￥999税込￥1,0991箱(2個)7日以内出荷仕様入力電流タイプ：DCチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild SemiconductorパッケージMDIP実装タイプスルーホール実装標準上昇時間38ns標準降下時間24ns出力デバイスMOSFET最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)25絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， H11AA1M
onsemi￥679税込￥7471箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：AC●最小電流伝送率：0.2チャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 25A， 100V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC2501W
onsemi￥2,298税込￥2,5281箱(2個)7日以内出荷仕様ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション長さ(mm)29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性UL #E258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 25シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流25 A ガラス不動態化ダイ構造 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 ファストン端子回路構成シングルパッケージGBPC-W実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)25ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ロジックゲート出力， FOD060L
onsemi￥1,298税込￥1,4281箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間22ns標準降下時間3ns出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)3750onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 4A， 600V， 22.3 x 3.56 x 18.8mm， GBU4J
onsemi￥3,898税込￥4,2881セット(20個)7日以内出荷仕様UL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 耐高サージ電流 基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造長さ(mm)22.3高さ(mm)18.8ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスルーホールピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)150ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1ブリッジタイプ単相
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FOD817SD
onsemi￥26,980税込￥29,6781リール(1000個)7日以内出荷タイプ入力電流：AC/DCシリーズFOD817チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間4μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)600絶縁電圧(Vrms)5000 ac (最小)最小電流伝送率(%)50
onsemi フォトカプラ， 表面実装， ロジックゲート出力， H11L1SR2VM
onsemi￥779税込￥8571箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプ表面実装標準上昇時間0.1μs標準降下時間0.1μs出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FOD814A
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(25個)7日以内出荷タイプ入力電流：AC/DCシリーズFOD814チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間4μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)150絶縁電圧(Vrms)5000 ac (最小)
onsemi Nチャンネル MOSFET1000 V 8 A スルーホール パッケージTO-3PN 3 ピン
onsemi￥669税込￥7361個7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs：53 nC @ 10 V高さ(mm)18.9ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージTO-3PN実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)225チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)1000最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.45最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， HCPL0453R2
onsemi￥939税込￥1,0331箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：0.5●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間5ns出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)25絶縁電圧(V)2500aconsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ダーリントン出力， FOD852S
onsemi￥1,098税込￥1,2081箱(10個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間300μs標準降下時間100μs出力デバイスダーリントン最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)150絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 15A， 600V， 29 x 11.23 x 29mm， GBPC1506
onsemi￥5,398税込￥5,9381箱(5個)7日以内出荷仕様GBPC1506:15 A ブリッジ整流器一体成形ヒートシンクにより、熱抵抗が非常に低く、最大限の放熱を実現しています サージ過負荷定格： 300 → 400 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 端子仕上げ材質 - 銀(ワイヤタイプ GBPC-W パッケージ向けにはんだ付け可能)、 - GBPC パッケージ用にニッケル 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。寸法(mm)29×11.23×29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応パッケージGBPC実装タイプスルーホールピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1ブリッジタイプ単相最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi Nチャンネル MOSFET800 V 3 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピン
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.125●標準ゲートチャージ @ Vgs：13 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷パッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)39000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
