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onsemi Nチャンネル MOSFET500 V 18 A スルーホールパッケージTO-220F 3 ピンonsemi

￥579税込￥637

1個

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：18 AシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)38.5材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)265最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 6.1 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥2,398税込￥2,638

1箱(25個)

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仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)5チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)6.1最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)58.8最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ19 nC @ 10 V

onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.3 A 表面実装パッケージSOT-23 6 ピンonsemi

￥879税込￥967

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：2.3 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.4 nC @ 4.5 V高さ(mm)1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造をパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)960チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)115最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成絶縁型

onsemi N， Pチャンネル MOSFET60 V 3.5 A、4.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥159,800税込￥175,780

1リール(2500個)

5日以内出荷

仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している幅(mm)4高さ(mm)1.5ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， P最大パワー消費(W)2チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.5 、4.5最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)55105最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型

onsemi 汎用整流ダイオード， 500mA， 125V 表面実装， 2-Pin SOD-80 シリコンジャンクション 1.15Vonsemi

￥3,298税込￥3,628

1セット(250個)

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仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.5ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.15ピーク逆繰返し電圧(V)125ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4最大連続順方向電流(mA)500

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onsemi Nチャンネル MOSFET150 V 14 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,098税込￥1,208

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：14 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：11.2 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)65チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)150最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)282最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi ファストリカバリー整流ダイオード， 3A， 50V 表面実装， 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 950mVonsemi

￥959税込￥1,055

1セット(25個)

5日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)950ピーク逆繰返し電圧(V)50ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3ピーク逆回復時間(ns)30

onsemi MOSFETゲートドライバ -5 A 、 5 A SOIC 2 8-Pin ローサイド非反転表面実装onsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様ロジックタイプ：TTL出力電流(A)-5 、 5ピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor供給電圧(V)18パッケージSOIC実装タイプ表面実装ドライバ数2トポロジーローサイド高/低サイド依存性独立、同期出力数2

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 2 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥429税込￥472

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.0833高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)80最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)150

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， H11AA1SR2Monsemi

￥969税込￥1,066

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途タイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60最大電流変換率(%)1絶縁電圧(V)7500 ac

onsemi トランジスタ， NPN，表面実装， 50 mA， FJV1845FMTFonsemi

￥2,198税込￥2,418

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)120最大パワー消費(mW)300最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)120トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)50トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン300最大動作周波数(MHz)110

onsemi Nチャンネル MOSFET400 V 10.5 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥999税込￥1,099

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：10.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：28 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)135000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)400最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)530最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 19 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンonsemi

￥1,998税込￥2,198

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでス高さ(mm)16.3ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)19最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、+25トランジスタ構成シングル最大パワー消費120 W

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FOD817A3SDonsemi

￥70税込￥77

1個

5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：1.6チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージPDIP実装タイプ表面実装標準上昇時間4μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50絶縁電圧(kVrms)5

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 25A， 1000V， 29 x 11.23 x 29mm， GBPC2510onsemi

￥4,798税込￥5,278

1箱(5個)

7日以内出荷

寸法(mm)29×11.23×29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応パッケージGBPC実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)25ピーク逆繰返し電圧(V)1000ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， HCPL0501onsemi

￥429税込￥472

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：0.5●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間0.3μs標準降下時間0.45μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)25絶縁電圧(V)2500ac

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 70 A スルーホールパッケージTO-3PN 3 ピンonsemi

￥439税込￥483

1個

11日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：70 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：85 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(パッケージTO-3PN実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)214000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 12A， 400V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC1204onsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(2個)

7日以内出荷

仕様プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 12シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流: 12 A 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化サージ過負荷定格: 300 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 UL認定: UL #E258596幅(mm)29寸法(mm)29×29×11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)12ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1， MOSFET出力， FOD3120SDonsemi

￥1,498税込￥1,648

1セット(5個)

5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild SemiconductorパッケージMDIP実装タイプ表面実装標準上昇時間60ns標準降下時間60ns出力デバイスMOSFET最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)25絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi Pチャンネル MOSFET100 V 6.6 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥779税込￥857

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：6.6 Aピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)530最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 9 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥999税込￥1,099

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.375●標準ゲートチャージ @ Vgs：16 nC @ 5 V高さ(mm)2.3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)280最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 850 mA 表面実装パッケージSOT-223 3 ピンonsemi

￥719税込￥791

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：850 mA●標準ゲートチャージ @ Vgs：4 nC @ 5 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷パッケージSOT-223実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2200チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.35最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，ダーリントン出力， H11G1Monsemi

￥829税込￥912

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間5μs標準降下時間100μs出力デバイスフォトダーリントン最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60最大電流変換率(%)10絶縁電圧(V)7500 ac

onsemi MOSFETゲートドライバ DIP 表面実装onsemi

￥2,798税込￥3,078

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応パッケージDIP実装タイプ表面実装

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 35A， 400V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC3504Wonsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション長さ(mm)29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性基板実装用ブリッジ整流器、GBPC-W 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 基板実装用ワイヤリード構造回路構成シングルパッケージGBPC-W実装タイプスルーホールピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1ブリッジタイプ単相最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FODM2701R2onsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(20個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)300絶縁電圧(Vrms)3750

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 6A， 200V， 22.3 x 3.56 x 18.8mm， GBU6Donsemi

￥2,798税込￥3,078

1セット(20個)

5日以内出荷

仕様UL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器耐高サージ電流基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造寸法(mm)22.3×3.56×18.8高さ(mm)18.8ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)6ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)175ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1

onsemi 整流ダイオード， 60V 表面実装， 3-Pin -277 へショットキー 520mVonsemi

￥1,498税込￥1,648

1箱(10個)

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仕様●ダイオードタイプ：ショットキー●ダイオードテクノロジー：ショットキー●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：ショットキー整流器ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージ-277 へ実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)520ピーク逆繰返し電圧(V)60ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)280

onsemi Nチャンネル MOSFET800 V 8 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥2,998税込￥3,298

1箱(5個)

7日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)178000材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.55最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， H11F1Monsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(5個)

7日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild SemiconductorパッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.75最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 35A， 600V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC3506onsemi

￥4,798税込￥5,278

1箱(5個)

7日以内出荷

寸法(mm)29×29×11.23高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)35ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300 → 400ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi FIN1101K8X LVDSリピータonsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●トランスミッションデータレート：1600Mbps●差動入力低閾値電圧：-100mV長さ(mm)2.3幅(mm)2寸法(mm)2.3×2×0.7高さ(mm)0.7入力HSTL、LVPECLインターフェースリピータICピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性LVDSリピータ、Fairchild SemiconductorパッケージUS実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)3.61チップ当たりのエレメント数1ドライバ数1

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， H11AA4Monsemi

￥749税込￥824

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途タイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60最大電流変換率(%)1絶縁電圧(V)7500 ac

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，ダーリントン出力， HCPL0701onsemi

￥2,198税込￥2,418

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：26●特殊機能：電流ループレシーバ、デジタルロジックアース絶縁、電話機の鳴動検出器●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装出力デバイスダーリントン光検出器最大順方向電圧(V)1.7最大入力電流(mA)20絶縁電圧(Vrms)2500

電圧レベルシフタ onsemionsemi

￥359税込￥395

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●伝播遅延テスト条件：15pF●低レベル出力電流 Max：24mA●論理回路：FXL寸法(mm)2.1×1.6×0.5RoHS指令(10物質対応)対応特性電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)3.6、(Min) 1.11チップ当たりのエレメント数1高レベル出力電流(mA)-24最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40出力タイプ3ステート

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FOD817DSDonsemi

￥2,298税込￥2,528

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仕様論理出力あり、オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1機能(特殊機能)AC入力応答、鉛フリーIRリフローはんだ付けに使用可能、高い動作温度ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間100μs標準降下時間20μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大電流変換率(%)600絶縁電圧(V)5000 ac

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 35A， 600V， 29 x 11.23 x 29mm， GBPC3506Wonsemi

￥1,998税込￥2,198

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寸法(mm)29×11.23×29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応パッケージGBPC-W実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)35ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)400ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 35A， 100V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC3501onsemi

￥1,998税込￥2,198

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仕様UL E-258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流35 A ガラス不動態化ジャンクション熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化ファストン端子長さ(mm)29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)35ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)400ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トライアック出力， FOD4208onsemi

￥1,598税込￥1,758

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仕様入力電流タイプ：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージMDIP実装タイプスルーホール実装標準上昇時間60μs標準降下時間52μs出力デバイストライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)30絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi Nチャンネル MOSFET800 V 5.5 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥2,398税込￥2,638

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：5.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：21 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷パッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)158000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

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