絞り込み
ブランド
- onsemi
- モノタロウ(5,955)
- ホンダ(545,819)
- MAZDA(マツダ)(216,599)
- 三菱ふそう(209,501)
- SMC(201,260)
- トヨタ(140,129)
- ミツビシ(138,054)
- YAMAHA(ヤマハ)(91,744)
- ニッサン(87,637)
- エスコ(69,717)
- スズキ(67,744)
- BIGM(丸山製作所)(66,084)
- スバル(50,609)
- 日野自動車(47,247)
- Kawasaki(43,787)
- いすゞ自動車(41,301)
- メディアカバーマーケット(40,230)
- オカムラ(岡村製作所)(34,937)
- RS PRO(34,695)
- Panasonic(パナソニック)(29,515)
- ブランドをもっと見る
エコロジープロダクト
の全商品がキャンペーンコード入力で通常価格より
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， 表面実装， FQB5N90TM
onsemi￥2,498税込￥2,7481箱(5個)7日以内出荷仕様この N チャンネル拡張モードパワー MOSFET は、独自の平面ストライプと DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この Advanced MOSFET 技術は、オン状態の抵抗を低減するように特別に調整されており、優れたスイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を実現しています。Switched Mode5.4A 、 900 V 、 RDS ( on )2.7 A 低ゲート電荷量(標準) 31 nC ) 低 CRSs (標準) 13 pF ) 用途 照明ピン数(ピン)2 + TabRoHS指令(10物質対応)対応パッケージD2PAK実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)158最大動作温度(℃)150
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FOD817C300W
onsemi￥1,098税込￥1,2081箱(25個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間18μs標準降下時間18μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)400絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FODM452R2
onsemi￥1,098税込￥1,2081箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：0.5●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージMFP実装タイプ表面実装出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)25絶縁電圧(Vrms)3750
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 4A， 400V， 22.3 x 3.56 x 18.8mm， GBU4G
onsemi￥3,500税込￥3,8501セット(20個)7日以内出荷仕様UL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 耐高サージ電流 基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造長さ(mm)22.3高さ(mm)18.8ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)4ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)150ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 15A， 800V， 29 x 11.23 x 29mm， GBPC1508W
onsemi￥4,298税込￥4,7281箱(5個)7日以内出荷仕様GBPC1508:15 A ブリッジ整流器一体成形ヒートシンクにより、熱抵抗が非常に低く、最大限の放熱を実現しています サージ過負荷定格： 300 → 400 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 端子仕上げ材質 - 銀(ワイヤタイプ GBPC-W パッケージ向けにはんだ付け可能)、 - GBPC パッケージ用にニッケル 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。寸法(mm)29×11.23×29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応パッケージGBPC-W実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)15ピーク逆繰返し電圧(V)800ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 15.6 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：15.6 A幅(mm)6.1シリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲートパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FOD817B
onsemi￥999税込￥1,0991箱(25個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間18μs標準降下時間18μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)260絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 27 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥2,798税込￥3,0781箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：27 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：33 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプP最大パワー消費(mW)120000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70最大ゲートしきい値電圧(V)4最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， シュミットトリガー出力， H11L1VM
onsemi￥919税込￥1,0111箱(10個)7日以内出荷仕様論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性H11LXM シリーズは、ガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されている高速集積回路検出器を備えています。出力には、ノイズ耐性及びパルス整形用のヒステリシスを提供するシュミットトリガが組み込まれています。この検出器回路は、操作の簡素化に最適化されており、用途の柔軟性を最大限に高めるためにオープンコレクタ出力を採用しています。高データ転送速度、標準1 MHz (NRZ) ラッチアップや電圧範囲及び温度範囲全体にわたるオシロスコープを離してください。 マイクロプロセッサ対応ドライブ ロジック互換出力パッケージDIP実装タイプスルーホール実装標準上昇時間0.1μs標準降下時間0.1μs出力デバイスシュミットトリガー最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)10絶縁電圧(kVrms)4.17
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， シュミットトリガー出力， H11L3SR2M
onsemi￥1,298税込￥1,4281箱(10個)7日以内出荷仕様論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性H11LXM シリーズは、ガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されている高速集積回路検出器を備えています。出力には、ノイズ耐性及びパルス整形用のヒステリシスを提供するシュミットトリガが組み込まれています。この検出器回路は、操作の簡素化に最適化されており、用途の柔軟性を最大限に高めるためにオープンコレクタ出力を採用しています。高データ転送速度、標準1 MHz (NRZ) ラッチアップや電圧範囲及び温度範囲全体にわたるオシロスコープを離してください。 マイクロプロセッサ対応ドライブ ロジック互換出力パッケージSMT実装タイプ表面実装標準上昇時間0.1μs標準降下時間0.1μs出力デバイスシュミットトリガー最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)10絶縁電圧(kVrms)4.17
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FOD817CSD
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(25個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間4μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)400絶縁電圧(V)5000 ac
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 25A， 200V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC2502
onsemi￥2,298税込￥2,5281箱(2個)当日出荷仕様UL #E258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 25シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流25 A ガラス不動態化ダイ構造 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 ファストン端子寸法(mm)29×29×11.23高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスクリュー マウントピーク平均順方向電流(A)25ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ダーリントン出力， FOD8523SD
onsemi￥58,980税込￥64,8781リール(1000個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間300μs標準降下時間100μs出力デバイスダーリントン最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)15000絶縁電圧(kVrms)5
onsemi PWMコントローラ IC， 8-Pin PDIP
onsemi￥1,298税込￥1,4281箱(10個)7日以内出荷仕様PWM コントローラタイプ：SMPS、PWM (パルス幅変調)コントローラ、Fairchild Semiconductor幅(mm)6.4寸法(mm)9.6×6.4×3.4高さ(mm)3.4ピン数(ピン)8動作温度(℃)-25 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールスイッチング周波数(kHz)最大600最大供給電流(mA)1.8最大ソース電流(μA)-5最大シンク電流(μA)65スタートアップ供給電流(mA)15
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 56A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥489税込￥5381個7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：56A●標準ゲートチャージ @ Vgs：110 nC @ 20 VシリーズUltraFETピン数(ピン)3特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)200チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)25最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET55 V 75 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(2個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A幅(mm)4.82シリーズUltraFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-247実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)285チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92
onsemi￥3,398税込￥3,7381箱(50個)7日以内出荷仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)5.2×4.19×5.33高さ(mm)5.33ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)50最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 5最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(25個)7日以内出荷仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)4.58×3.86×4.58ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)12最大ゲート-ソース間電圧(V)-25トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 40最大ドレイン-ゲート間電圧(V)25ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)85ソースゲートオンキャパシタンス(pF)85
onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92
onsemi￥2,998税込￥3,2981箱(50個)7日以内出荷仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 2最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92
onsemi￥2,198税込￥2,4181箱(50個)7日以内出荷仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)30最大ゲート-ソース間電圧(V)-35IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 20最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 75 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(2個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A高さ(mm)16.3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-220AB実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)270チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)80最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングルonsemi Nチャンネル MOSFET55 V 75 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥999税込￥1,0991箱(2個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A幅(mm)4.7高さ(mm)16.3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)325チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングルonsemi Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
onsemi￥2,198税込￥2,4181箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：18 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：40 nC @ 5 Vピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージTO-220実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)110チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55onsemi Nチャンネル MOSFET55 V 75 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥2,898税込￥3,1881箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 AシリーズUltraFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-220AB実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)325チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET55 V 75 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥2,198税込￥2,4181箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 Aピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)200000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)12最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)175最小動作温度(℃)-55
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， HMHA2801
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(25個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1機能(特殊機能)デジタルロジック入力、マイクロプロセッサ入力、電話回線レシーバピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)200最大電流変換率(%)600
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -800 mA， KSA916YTA
onsemi￥2,798税込￥3,0781箱(50個)7日以内出荷仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-120最大パワー消費(mW)900最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-120トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-800トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン120最大動作周波数(MHz)1
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -600 mA， KSP2907ATA
onsemi￥319税込￥3511箱(10個)7日以内出荷仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-60最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-600トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン100最大パワー消費625 mWonsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 300 mA， KSP44TF
onsemi￥2,798税込￥3,0781箱(50個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)400最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)500トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)300トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン50最大動作周波数(MHz)1onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 150 mA， KSC945YTA
onsemi￥2,998税込￥3,2981箱(200個)7日以内出荷仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法4.58 x 3.86 x 4.58mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50最大パワー消費(mW)250最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)150トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン120最大動作周波数(MHz)1onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， HMHA2801AR2
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(20個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)160絶縁電圧(Vrms)3750
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 500mA， 100V， 4.95 x 4.2 x 2.7mm， MB1S
onsemi￥1,898税込￥2,0881箱(25個)7日以内出荷仕様UL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器長さ(mm)4.95高さ(mm)2.7ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)35ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1ピーク平均順方向電流(mA)500
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 800mA， 1000V， 4.95 x 4.2 x 2.5mm， MB10S
onsemi￥2,198税込￥2,4181箱(25個)7日以内出荷仕様UL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器長さ(mm)4.95高さ(mm)2.5ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク逆繰返し電圧(V)1000ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)35ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1ピーク平均順方向電流(mA)800onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 2 A， KSC2328AYTA
onsemi￥3,298税込￥3,6281箱(50個)7日以内出荷仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor寸法(mm)4.9×3.9×8ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30最大パワー消費(W)1最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)30トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)2トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン160最大動作周波数(MHz)1onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -1 A， KSA1013YTA
onsemi￥3,698税込￥4,0681箱(50個)7日以内出荷仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-160最大パワー消費(mW)900最大エミッタ-ベース間電圧(V)-6最大コレクタ-ベース間電圧(V)-160トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)-1トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン160最大動作周波数(MHz)1
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 1.2 A， KSC2690AYS
onsemi￥4,998税込￥5,4981箱(50個)7日以内出荷仕様パワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160最大パワー消費(W)20最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)160トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1.2トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン160onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， HMHA281R2
onsemi￥1,498税込￥1,6481箱(20個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)600絶縁電圧(Vrms)3750onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， HMHAA280R2
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(20個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途タイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)600絶縁電圧(Vrms)3750onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 500 mA， KSP42TA
onsemi￥389税込￥4281箱(10個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ寸法(mm)4.58×3.86×4.58ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)300最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)300トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)500トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン40最大パワー消費625 mW
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 300 mA， KSP44TA
onsemi￥519税込￥5711箱(5個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-92実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)400最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)66最大コレクタ-ベース間電圧(V)500トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)300トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン50最大動作温度(℃)150
