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onsemi Pチャンネル MOSFET25 V 460 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥65税込￥72

1個

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.65V●最大連続ドレイン電流：460 mAピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ高密度セル設計高い飽和電流優れたスイッチングパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)350材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)25最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.1最大ゲート-ソース間電圧(V)8トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi MOSFETゲートドライバ ±10.6 A， ±11.4 A SOIC 2 8-Pin ローサイド非反転表面実装onsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(5個)

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仕様ロジックタイプ：CMOS出力電流(A)±10.6 ， ±11.4ピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor供給電圧(V)18パッケージSOIC実装タイプ表面実装ブリッジタイプフルブリッジドライバ数1トポロジーローサイド高/低サイド依存性シンクロナス出力数2

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 1.9 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥399税込￥439

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：1.9 A幅(mm)1.4ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)600最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装パッケージSOT-23 6 ピンonsemi

￥109税込￥120

1個

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.65V●最大連続ドレイン電流：680 mA●標準ゲートチャージ @ Vgs：1.64 nC @ 4.5 Vピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性デジタルFET、Fairchild SemiconductorパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)900チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)25最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)450最大ゲート-ソース間電圧(V)8トランジスタ構成絶縁型最小動作温度(℃)-55

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 20 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：20 A幅(mm)4シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル IGBT 600 V 120 A， 3-Pin TO-247AB シングルonsemi

￥999税込￥1,099

1個

5日以内出荷

仕様最大連続コレクタ電流：120 A寸法(mm)15.6×4.7×20.6ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性ディスクリートIGBT、Fairchild SemiconductorパッケージTO-247AB実装タイプスルーホール最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20チャンネルタイプN最大パワー消費(W)600トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥599税込￥659

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.3最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、 +25トランジスタ構成シングル最大パワー消費500 mW

onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 15 A スルーホールパッケージTO-220F 3 ピンonsemi

￥509税込￥560

1個

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：15 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：48.5 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)38.5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)650最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)440最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，スルーホール， FDA59N30onsemi

￥4,398税込￥4,838

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7日以内出荷

ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-3P実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)500最大動作温度(℃)150

onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 900 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥359税込￥395

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)900最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)220最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル最大パワー消費350 mW

onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1.6 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥659税込￥725

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷シリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.6最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)115最大ゲートしきい値電圧(V)1.5最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成シングル最大パワー消費500 mW

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 12 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi

￥639税込￥703

1個

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：0高さ(mm)4.83ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)310000材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.3 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピンonsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：3.3 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.1 nC @ 10 V高さ(mm)1.7ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージSOT-223実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)2.2チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)189最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 6.9 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：6.9 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：29 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造をパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)1600チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成絶縁型

onsemi MOSFETゲートドライバ 0.18 A SOIC 2 8-Pin ハイ/ローサイド非反転表面実装onsemi

￥1,998税込￥2,198

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductorタイプロジック：TTLピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応出力電流0.18 A供給電圧(V)20実装タイプ表面実装ブリッジタイプハーフブリッジドライバ数2トポロジーハイ/ローサイド高/低サイド依存性シンクロナス出力数2

onsemi Pチャンネル MOSFET40 V 6.7 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)6.7最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)69最小ゲートしきい値電圧(V)1.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費42 W

onsemi スイッチングダイオードスルーホール，シングル，エレメント数 1 DO-35， 2-Pin 1Vonsemi

￥1,398税込￥1,538

1セット(100個)

5日以内出荷

仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor長さ(mm)4.06直径(Φmm)1.91寸法1.91 (Dia.) x 4.06mmピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65 、(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1

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onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥849税込￥934

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：13 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：21 nC @ 5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 13.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,298税込￥1,428

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：13.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：86 nC @ 4.5 Vピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 30 A 表面実装パッケージPower 33 8 ピンonsemi

￥619税込￥681

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：30 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：15 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 AパッケージPower 33実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)41チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi MOSFETゲートドライバ 350 mA 、 650 mA SOIC 6 20-Pin ハイ/ローサイド反転表面実装onsemi

￥1,298税込￥1,428

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様3相ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor出力電流(mA)350 、 650ピン数(ピン)20極性反転RoHS指令(10物質対応)対応供給電圧(V)20パッケージSOIC実装タイプ表面実装ブリッジタイプハーフブリッジドライバ数3トポロジーハイ/ローサイド高/低サイド依存性独立出力数6

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 36 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥539税込￥593

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：36 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：13.4 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 AパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)62チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)44最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 6.3A 表面実装パッケージSSOT-6 6 ピンonsemi

￥639税込￥703

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A高さ(mm)1ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)6.3最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.6 W

onsemi Nチャンネル MOSFET250 V 44 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi

￥999税込￥1,099

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：44 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：47 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)307チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)250最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)69トランジスタ構成シングル

onsemi PWMコントローラ IC， 8-Pin SOPonsemi

￥719税込￥791

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●上昇時間：200ns●最大スイッチング周波数：190 kHz長さ(mm)5幅(mm)4寸法(mm)5×4×1.5高さ(mm)1.5出力電圧(V)7.5コントロール電流RoHS指令(10物質対応)対応特性フライバック / フォワードPWMコントローラ、Fairchild Semiconductor実装タイプ表面実装トポロジーフライバック最小動作温度(℃)-40

onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥109,800税込￥120,780

1リール(3000個)

5日以内出荷

仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)2最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)80最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,298税込￥1,428

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：13 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 61 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥419税込￥461

1個

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：61 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：58 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)417000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)41最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥799税込￥879

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs：26 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 7 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥969税込￥1,066

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.2916666667●標準ゲートチャージ @ Vgs：15 nC @ 5 V高さ(mm)1.5ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造をパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成絶縁型

onsemi Nチャンネル IGBT 600 V 80 A， 3-Pin TO-247 シングルonsemi

￥669税込￥736

1個

5日以内出荷

仕様最大連続コレクタ電流：80 A寸法(mm)15.6×4.7×20.6ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性ディスクリートIGBT、Fairchild SemiconductorパッケージTO-247実装タイプスルーホール最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20チャンネルタイプN最大パワー消費(W)290トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi スイッチングダイオード表面実装，シングル，エレメント数 1 DO-214AB (SMC)， 2-Pin 1.7Vonsemi

￥529税込￥582

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor長さ(mm)7.11幅(mm)6.22寸法(mm)7.11×6.22×2.62高さ(mm)2.62ピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)-50～+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装

onsemi MOSFETゲートドライバ 3 A SOT-23 1 5-Pin ローサイド反転，非反転表面実装onsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(5個)

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仕様ロジックタイプ：TTLピン数(ピン)5極性反転，非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor出力電流0.125供給電圧(V)18パッケージSOT-23実装タイプ表面実装ドライバ数1トポロジーローサイド出力数1

onsemi N， Pチャンネル MOSFET20 V 1.9 A、2.7 A 表面実装パッケージSOT-23 6 ピンonsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているピン数(ピン)6動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， Pチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.9 、2.7最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)130270最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成絶縁型標準ゲートチャージ2.85 nC @ 4.5 V、3.25 nC @ 4.5 V最大パワー消費960 mW

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 11.6 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥889税込￥978

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：11.6 Aピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 145 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥629税込￥692

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：145 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：89 nC @ 10 V高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)153チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi 汎用整流ダイオード， 300mA， 100V 表面実装， 2-Pin SOD-80 シリコンジャンクション 1Vonsemi

￥1,798税込￥1,978

1セット(250個)

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仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.5ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)300

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onsemi 整流ダイオード， 1A， 200V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 920mVonsemi

￥379税込￥417

1箱(10個)

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仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)920ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)15

onsemi ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 300V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.3Vonsemi

￥1,498税込￥1,648

1セット(100個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.3ピーク逆繰返し電圧(V)300ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)35

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onsemi MOSFETゲートドライバ 2.5 A 、 2.5 A SOP 2 8-Pin ハイ/ローサイド非反転表面実装onsemi

￥1,898税込￥2,088

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5日以内出荷

仕様ロジックタイプ：CMOS， TTL出力電流(A)2.5 、 2.5ピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ハイ / ローサイドゲートドライバ、Fairchild Semiconductor供給電圧(V)20パッケージSOP実装タイプ表面実装ブリッジタイプハーフブリッジドライバ数2トポロジーハイ/ローサイド出力数2

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