絞り込み
ブランド
- onsemi
- モノタロウ(5,955)
- ホンダ(545,819)
- MAZDA(マツダ)(216,599)
- 三菱ふそう(209,501)
- SMC(201,260)
- トヨタ(140,129)
- ミツビシ(138,054)
- YAMAHA(ヤマハ)(91,744)
- ニッサン(87,637)
- エスコ(69,703)
- スズキ(67,744)
- BIGM(丸山製作所)(66,084)
- スバル(50,609)
- 日野自動車(47,247)
- Kawasaki(43,787)
- いすゞ自動車(41,301)
- メディアカバーマーケット(40,230)
- オカムラ(岡村製作所)(34,937)
- RS PRO(34,695)
- Panasonic(パナソニック)(29,515)
- ブランドをもっと見る
エコロジープロダクト
の全商品がキャンペーンコード入力で通常価格より
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥579税込￥6371箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.0833高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)80最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)150
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， H11AA1SR2M
onsemi￥979税込￥1,0771箱(10個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途タイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60最大電流変換率(%)1絶縁電圧(V)7500 ac
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 50 mA， FJV1845FMTF
onsemi￥2,498税込￥2,7481箱(200個)7日以内出荷仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)120最大パワー消費(mW)300最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)120トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)50トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン300最大動作周波数(MHz)110
onsemi Nチャンネル MOSFET400 V 10.5 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：10.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：28 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)135000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)400最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)530最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 19 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
onsemi￥2,498税込￥2,7481箱(10個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでス高さ(mm)16.3ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)19最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、+25トランジスタ構成シングル最大パワー消費120 W
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FOD817A3SD
onsemi￥67税込￥741個7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：1.6チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージPDIP実装タイプ表面実装標準上昇時間4μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50絶縁電圧(kVrms)5
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 25A， 1000V， 29 x 11.23 x 29mm， GBPC2510
onsemi￥4,998税込￥5,4981箱(5個)7日以内出荷寸法(mm)29×11.23×29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応パッケージGBPC実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)25ピーク逆繰返し電圧(V)1000ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， HCPL0501
onsemi￥409税込￥4501箱(2個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：0.5●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間0.3μs標準降下時間0.45μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)25絶縁電圧(V)2500ac
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 70 A スルーホール パッケージTO-3PN 3 ピン
onsemi￥669税込￥7361個8日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：70 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：85 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(パッケージTO-3PN実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)214000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 12A， 400V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC1204
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(2個)7日以内出荷仕様プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 12シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流: 12 A 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 サージ過負荷定格: 300 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 UL認定: UL #E258596幅(mm)29寸法(mm)29×29×11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスクリュー マウントピーク平均順方向電流(A)12ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， MOSFET出力， FOD3120SD
onsemi￥1,898税込￥2,0881セット(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild SemiconductorパッケージMDIP実装タイプ表面実装標準上昇時間60ns標準降下時間60ns出力デバイスMOSFET最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)25絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi Pチャンネル MOSFET100 V 6.6 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi￥999税込￥1,0991箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：6.6 Aピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)530最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 9 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi￥1,198税込￥1,3181箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.375●標準ゲートチャージ @ Vgs：16 nC @ 5 V高さ(mm)2.3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)280最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 850 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
onsemi￥959税込￥1,0551箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：850 mA●標準ゲートチャージ @ Vgs：4 nC @ 5 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷パッケージSOT-223実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2200チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.35最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， ダーリントン出力， H11G1M
onsemi￥859税込￥9451箱(10個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間5μs標準降下時間100μs出力デバイスフォトダーリントン最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60最大電流変換率(%)10絶縁電圧(V)7500 aconsemi MOSFETゲートドライバ DIP 表面実装
onsemi￥2,598税込￥2,8581箱(5個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応パッケージDIP実装タイプ表面実装
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 35A， 400V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC3504W
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(2個)7日以内出荷仕様ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション長さ(mm)29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性基板実装用ブリッジ整流器、GBPC-W 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 基板実装用ワイヤリード構造回路構成シングルパッケージGBPC-W実装タイプスルーホールピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1ブリッジタイプ単相最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FODM2701R2
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(20個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)300絶縁電圧(Vrms)3750
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 6A， 200V， 22.3 x 3.56 x 18.8mm， GBU6D
onsemi￥2,998税込￥3,2981セット(20個)7日以内出荷仕様UL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 耐高サージ電流 基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造寸法(mm)22.3×3.56×18.8高さ(mm)18.8ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)6ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)175ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1
onsemi 整流ダイオード， 60V 表面実装， 3-Pin -277 へ ショットキー 520mV
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(10個)7日以内出荷仕様●ダイオードタイプ：ショットキー●ダイオードテクノロジー：ショットキー●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：ショットキー整流器ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージ-277 へ実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)520ピーク逆繰返し電圧(V)60ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)280
onsemi Nチャンネル MOSFET800 V 8 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥3,198税込￥3,5181箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)178000材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.55最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， H11F1M
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild SemiconductorパッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.75最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 35A， 600V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC3506
onsemi￥3,500税込￥3,8501箱(5個)7日以内出荷寸法(mm)29×29×11.23高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)35ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300 → 400ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi FIN1101K8X LVDSリピータ
onsemi￥1,898税込￥2,0881箱(5個)7日以内出荷仕様●トランスミッションデータレート：1600Mbps●差動入力低閾値電圧：-100mV長さ(mm)2.3幅(mm)2寸法(mm)2.3×2×0.7高さ(mm)0.7入力HSTL、LVPECLインターフェースリピータICピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性LVDSリピータ、Fairchild SemiconductorパッケージUS実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)3.61チップ当たりのエレメント数1ドライバ数1onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， H11AA4M
onsemi￥749税込￥8241箱(10個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途タイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60最大電流変換率(%)1絶縁電圧(V)7500 ac
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 12 A， FJP13009H2TU
onsemi￥2,298税込￥2,5281箱(5個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ寸法(mm)9.9×4.5×9.2ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)400最大パワー消費(W)100最大エミッタ-ベース間電圧(V)9最大コレクタ-ベース間電圧(V)700トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン8， 15onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ダーリントン出力， HCPL0701
onsemi￥1,898税込￥2,0881箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：26●特殊機能：電流ループレシーバ、デジタルロジックアース絶縁、電話機の鳴動検出器●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装出力デバイスダーリントン光検出器最大順方向電圧(V)1.7最大入力電流(mA)20絶縁電圧(Vrms)2500
電圧レベルシフタ onsemi
onsemi￥349税込￥3841箱(5個)7日以内出荷仕様●伝播遅延テスト条件：15pF●低レベル出力電流 Max：24mA●論理回路：FXL寸法(mm)2.1×1.6×0.5RoHS指令(10物質対応)対応特性電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)3.6、(Min) 1.11チップ当たりのエレメント数1高レベル出力電流(mA)-24最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40出力タイプ3ステート
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FOD817DSD
onsemi￥2,498税込￥2,7481箱(50個)7日以内出荷仕様論理出力あり、オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1機能(特殊機能)AC入力応答、鉛フリーIRリフローはんだ付けに使用可能、高い動作温度ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間100μs標準降下時間20μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大電流変換率(%)600絶縁電圧(V)5000 ac
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 35A， 600V， 29 x 11.23 x 29mm， GBPC3506W
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(2個)7日以内出荷寸法(mm)29×11.23×29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応パッケージGBPC-W実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)35ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)400ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 35A， 100V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC3501
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(2個)7日以内出荷仕様UL E-258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流35 A ガラス不動態化ジャンクション 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ファストン端子長さ(mm)29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスクリュー マウントピーク平均順方向電流(A)35ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)400ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， FOD4208
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(2個)7日以内出荷仕様入力電流タイプ：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージMDIP実装タイプスルーホール実装標準上昇時間60μs標準降下時間52μs出力デバイストライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)30絶縁電圧(Vrms)5000onsemi Nチャンネル MOSFET800 V 5.5 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥2,398税込￥2,6381箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：5.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：21 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷パッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)158000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：2， ロジックゲート出力， HCPL0638
onsemi￥549税込￥6041個7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間17ns標準降下時間5ns出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)50絶縁電圧(V)3750aconsemi フォトカプラ， 表面実装， トランジスタ出力， FODM8801AR2
onsemi￥459税込￥5051箱(2個)7日以内出荷仕様●最大電流変換率：2.3●論理出力：ありピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージMini-Flat実装タイプ表面実装標準上昇時間5μs標準降下時間5.5μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.8絶縁電圧(V)3750ac
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， HCPL4503M
onsemi￥799税込￥8791箱(2個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：0.5●最小電流伝送率：0.19●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプスルーホール実装標準上昇時間0.8μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)25絶縁電圧(V)5000ac
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 35A， 1000V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC3510W
onsemi￥4,898税込￥5,3881箱(5個)7日以内出荷仕様一体型成形ヒートシンクは、熱抵抗が非常に低く、最大の熱放散を実現しました 過負荷定格電流： 300A ～ 400A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 端子仕上げ材質 - GBPC パッケージ用銀ニッケル 用途 この製品は一般的な用途であり、さまざまな用途に適しています寸法(mm)29×29×11.23高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC-W実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)35ピーク逆繰返し電圧(V)1000ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300 → 400ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FOD817C3SD
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(50個)7日以内出荷仕様論理出力あり、オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：ACチャンネル数1機能(特殊機能)AC入力応答、鉛フリーIRリフローはんだ付けに使用可能、高い動作温度ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間4μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大電流変換率(%)600絶縁電圧(V)5000 ac
onsemi スイッチングダイオード 表面実装， 1A， 200V， シングル，エレメント数 1 DO-214BA (GF1)， 2-Pin 1.1V
onsemi￥3,500税込￥3,8501箱(50個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A長さ(mm)4.7幅(mm)2.9寸法(mm)4.7×2.9×2.7高さ(mm)2.7ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65 、(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大逆電圧(V)200
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 12A， 200V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC1202
onsemi￥2,498税込￥2,7481箱(2個)7日以内出荷仕様プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 12シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流: 12 A 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 サージ過負荷定格: 300 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 UL認定: UL #E258596長さ(mm)29幅(mm)29ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスクリュー マウントピーク平均順方向電流(A)12ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
